Полупроводниковый конденсатор

Номер патента: 1670384

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Адамян, Барсегян, Паносян, Чибухчян

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрического, поверхности, полупроводника, слоя, толщины

...О =(1/2 а) п(ЙЙ 1 - 2 Й 1 1)Й 2/(Й - Й 1, где Й = (и - 1)/(п 11)2, Й 2 = (п 2 - п 1)/п 2п 1)1, определяют толщину б контролируемого диэлектрического слоя. 1 ил.С Облучают контролируемый образец пуч- О ком монохроматического света с длинойволны, для которой выполняется условие С) 1 а( 10 см,где а - коэффициент поглощения (р,) материала диэлектрического слоя, измеря- (ф ют интенсивность Й света, отраженного от ф поверхности диэлектрическо о слоя, коэффициент а поглощения, показатели п 1, п 2 преломления материалов диэлектрического слоя и полупроводника, соответственно, вычисляют коэффициенты Й 1 и Й 2 отражения от диэлектоического слоя и границы диэлектрик/полупроводник, соответственно с оомощью выражений1670384 и определяют...

Номер патента: 1564430

Опубликовано: 15.05.1990

Авторы: Кауфман, Корчагин, Нестеров, Попов

МПК: F16D 3/54, G01M 13/04

Метки: между, поверхностями, слоя, смазочного, толщины, трения

...оси ординат, тариревочного графика (фиг, 2),определяют соответствующую ей толщинусмазочного слоя Ь,а, и по соотношениюшину слоя,Обоснуем выбор соотношения для определения реальной толщины смазочногослоя, Процесс измерения толщины смазочного слоя емкостными датчиками основан на косвенном методе измеренияих емкости при неизменных геометрических размерах и диэлектрической проницаемости среды,Общеизвестна Формула для определения емкости конденсатора:Е ЯС= - ,1где Б - площадь пластины конденсатора;Ь - расстояние между пластинамиконденсатора;Е вдиэлектрическая проницаемостьсреды,11 ри определении толщины слоя предполагается, что при равенстве показаний регистрирующего прибора в моментыизмерения и тарировки емкость датчика и, следовательно,...

Номер патента: 200179

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Мишарин, Ушаков

МПК: G01B 11/06, G01D 5/30

Метки: вращающимисядеталями, между, слоя, смазочного, толщины, тяжелонагруженными

...содержит центральный диск 1,приводимый в движение двигателем 2 постоянного тока; два нажимных самоустанавли вающихся диска 3, вращающихся под действием силы трения в зоне контакта; гидравлическое устройство 4, резервуар (на чертеже не показан) и фитиль 5 для подачи смазки; светонепроницаемый кожух б, в верхней час ти которого установлен кронштейн 7.Поверхность диска освещается ртутно-кварцевой лампой 8, заключенной в защитную коробку, соединенную с трубкой-световодом 9.Световой поток люминесценции пленки, воз буждаемой ультрафиолетовым светом лампы,преобразуется оптико-электрическим преобразователем, содержащим коллиматор 10, све.тофильтры 11, световод 12 и фотоумножитель 13, в электрические импульсы. Источник све.30 та и преобразователь...

Номер патента: 603702

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Бабушкин, Соколова, Тиммерман

МПК: C23F 1/08

Метки: металла, слоя, стравливаемого, толщины

...11. Защите контактов 9,10 от действия агрессивного раствора осуцествляется чехлами 12, изготовленными из З 5тонкой разинь, Крепежная скоба 2 выполненатак, что контролируемый участок металла 4жестко зажат между прижимами 1 и в процессе травления не деформируется, Нв направляющей 3 нанесена шкала 13 толшин на фтребуемуо толщину стревливвемого слоя металла 4.Работа устройства происходит следующимобразол. 11 еред началом контроля контакты10 устанавливаются по шкале 13 на требуе-ф 5л:ую величину снимаемого слоя. Затем припсмошн скобы 2 устройство вертикально крепится на технологическом припуске обрабатываемого металла 4, поплавок -колокол 7при этом находцтся в верхней части напоав- "ляюшей 3, а клапан 8 не касается контактов 9. 1:онец...

Номер патента: 1243479

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Гусев, Зацепин, Пушкин

МПК: G01B 7/06

Метки: арматуры, бетона, диаметра, защитного, конструкций, слоя, строительных, толщины

1. Способ измерения толщины защитного слоя бетона и диаметра арматуры строительных конструкций, заключающийся в том, что по контролируемому объекту перемещают источник магнитного поля и регистрируют распределение напряженности вторичного магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, распределение напряженности вторичного магнитного поля регистрируют со скоростью, отличной от скорости перемещения источника магнитного поля, измеряют расстояние между точками, в которых значения нормальной или тангенциальной составляющей напряженности вторичного магнитного поля максимальны, по расстоянию между этими точками определяют толщину h защитного слоя бетона, а по толщине защитного слоя бетона и по напряженности...