Способ управления перемещением дугового разряда в рельсовом плазмотроне

СОЮЭ СОЕЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРеспуБлин 51)5 Н 05 В 7/2 ОБР ТЕНИ ИСАНИ ител ьны юхин,.Чибирк ва ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТГ 10 иэОБРетенийм и ОткРытиЯОРИ ГКНТ СССР К АВТОРСКОМУ СВИ(72) Г.Г,Волокитин, Р.О,ДедВ.С.Карих, Ю.Д.Истомин, В.Ки ВеИвИиюкоягвий. ",(5 б) Ясько 0;И; Эпектричесйая друга в плазмотроне, 1977, с, 31.Авторское свидетельство СССР У 107 1187, кл . Н 05 В 7/22, 1984. (54) СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПЕРЕ 1 Ы 4 ЕНИЕМ ДУГОВОГО РАЗРЯДАВ РЕПЬСОВОМ ПЛАЗМОТРОНЕ,(57) Изобретение относится к области электротехники и может быть испольэо но для плазменной обработки поверхИзобретение относится к области электротехники, конкретно к способам управления перемещением дугового разряда и может быть использовано, например, для плазменной обработки диэлектрических материалов с целью получения низкосорбционных защитно-декбративных покрытий.Целью изобретения является повышение качества обработки путем равномерного перемещения разряда с заданной скоростью,4На фиг, 1 показана схема экспериментальной установки, на которой осуществлен данный способ; на фиг. 2 разрез А-А на фиг, 1; на фиг, 3 и 4 - векторные диаграммы сил, тока дуги и магнитных ицдукций. Дуговой разряд 1 с силой тока Т между ностей диэлектрических материалов, Цель изобретения - повышение качества обработки путем равномерного перемещения дугового разряда с заданной скоростью. Это достигается воздейст-, вием на дуговой разряд двух скрЕщецных магнитных полей. Силовые линии одного магнитного поля В расположе-, ны равномерно между электродами и перпендикулярны плоскости электродов. Силовые линли второго поля В, расположены под углом ( к силовым лцццям первого поля в эоце дугового аэряда в плоскости, перпендикулярной плоскости электродов. Второе поле перемещают с заданной скоростью плолц электр дов, причем 180 (270 ц / Л / / Г / /со з о//. 4 цл. электродами 2 перемещается силой Г,при взаимодействии магнитного целя синдукццей В создаваемого соленоид,1;3, и током дуги 1. Вторым подццжцымэлектромагнитом 4 в зоне дуговогоразряда 1 создается магцитцое поле свектором индукции Й. На фнг. 3 Р, - вектор силы, дей - ствующей на дуговой разряд с током цри наложении магнитного поля с ицдукцией В , М - вектор сцлы, действующей на дуговой разряд с током T прц наложении магнитного поля с ццдукцией В , Х - вектор результирующей силы, действующей на дуговой рая ряд стоком Г цри наложении двух скрещенных магнитных полей Прц зыф . е полнении условий 180 сС 270 ц / В/=150 Э 67гре зультирующая сила 1", дейстудгья ца дуговой разряд, напрвлецаерпспдикулярцо к поверхности обрабаынсмого диэлектричегкого изделия 5,ри этом действие горизонтальных силга рр голой разряд компенсировано, сна Г прижимает дуговой рвряд к обра"батыяемой поверхности. Перемещаямагнитное иоле В по напрнлению действия силы 1, перемещается с той жескоростью и в ту же сторону дуговойразряд под пействием силы Г, . Большую скорость перемещения дут ового 15разряда вдоль электродов не позволяет рвить тормозящее поле Й , скорость перемещения которого и оцредечяет скорость перемещения дуговогоразряда. 20Ири / В /7/В, //сов, и 180 1 (270(гм, фцг.3) дуговой разряд перемещается вдоль электродов в сторону перемощения магнитного поля Вг, вправопоп действием силы Р, влево - иодФ едействием Г, +Гг. Направление равпопс йствующей Р смещено при выполнении указанных условий влево относительно нормали к поверхности обраба"тываемого изделия 5 (см, Фиг 4),УоИри Вг=-В, (1=180 ) сила 1=О,г.е не будет прижима к поверхностиобрабатываемого иэделия, онижаетсяКП 11 дуги, Ири перемещении В в направлении . будет перемещаться и 35д говой разряд в этом же направлении.При / В /7/ В / (ю(=180") при перемещении магнитного поля будет переМещаться дуговой разряд в ту же сторону, что и магнитное поле ВЛ/ оИри / В/с -- и 0 г 180 равномерсоз сного перемещения дугового разряда непрсисходит, так как результирующаясила направлена вправо от нормали 45к поверхности (см. фиг.4).Эксцеримецтальйые исследованияподтвердили теоретические обоснования способа управления перемещениемдугового разряда. На электроды 2 цодавалось цапряжецие постоянного тока 300 В. Ио всей длине между электродамй создавалось стационарное иолес индукцией М соленоидом 3. Вторымэлектромагнитом 4 создавалось магнитное поле Йг в зоне дугового раээряд. Силовые линии поля В рсполяг гались ппд углом "( .=225 к силовым линиям магнитного полн В , Угол а( задавался углбм /Э расположения электромагнита 4. Ири неподвижном электро" магните 4 н, следовательно магцит-Ф1 ном поле В, создающегося электромагнитом 4, дуговой разряд 1 находился в неподвижном положении, При перемещении электромагнитна 4 перемещается в соответствующую сторону по электродам луговой разряд 1 со скоростью, равной перемещению магнитного поля В, создающегося электромагнитом 4.Таким образом, использование двух скрещенных магнитных полей для управ" ления перемещением дугового рзрялавдоль элек тродовВ 1- -1- - , 180 (В/ осов(ф (з(270 ) позволяет равно ерпо иереомещать дуговой разряд вдоль эл ктродов с заданной скоростью,Использование изобретения обес.печивает равномерность перемещени дугового разряда вдоль влекродов с з- данной скоростью, повьддает кчестнообработки диэлектрических материалов .Формула изобретенияСпособ управления перемещением дугового разряда в рельсовом плазмотроне для обработки диэлектрических материалов, цри котором воздействую на разряд двумя скрещенными магццтцыМи поляки, всктор магнитной индукции В одного иэ которых, равномерно рспределенцого по всей длине электродов, направлен перпендикулярно пчоскости расположения электродов, о т д н ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества обработки путем равномерного перемещения разряда с заданной скоростью вдоль электродов, вектор магнитной индукции Вг второго поля, сконцентрированного в зоне разряда, располагают под уком г к вектору магнитной индукции Й н той же плоскости, причем 180 с (270 а величины ицдукций магнитных полей выбирают в соответствии с выражецивем /В /3соя 4Фие фи Составитель Н.добряТехред И,Ходанич Корректо ск Редактор С.Ок дписно и йЯог 3035 4 5 оизеодстзенно-изаательс Заказ 19701 1 ВНИИПИ ГосуйарстЪмитетй по изобретениям и скна, Ж, Раушская наб%ий комбинат "Патент", г. крытиям при ГКНТ ССС ород, ул. Гагар