Полупостоянное запоминающее устройство

ОП ИИЗОБРЕТЕНИЯ пц 622 И Союз Соеетских Социалистических(51) М. Кл. О 11 С17/02 присоединением заявки М Госудерстееиныл комите оеета Мииистрое СССР 23) Приорите(45) Дата опубликования описания 31.07,78 53) УДК 681.327.66(088,8) по делам изобретеии и открытий, И. Аукштуолис и И. С, Левитас 1) Заявител Ордена Трудового Красного Знамени институт физ полупроводников АН Литовской ССР СТРОЙ СТВ(54) ПОЛУПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИН ческий сиги реднему уров Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использованопри построении устройств хранения дискретной информации,Известны полупостоянные запоминающие 5устройства (ППЗУ), содержащие карту сячейками, отличающимися своими магнитными сопротивлениями, и магниточувствительные элементы 1, 21.Одно из известных Г 1 ПЗУ содержит систему управления, выполненную в виде плоского элемента с ячейками, которые отличаются магнитным сопротивлением, и устройство трансляции данных, предназначенное для обнаружения их неоднородностей в 15заданных ячейках и формирования соответствующих сигналов. В устройство трансляции данных входит несколько индуктивныхэлементов, каждый из которых ограничивает два контура магнитного потока и содержит систему наведения потока в указанных контурах и систему считывания сигналов. Выходные сигналы с системы считывания изменяются в соответствии с изменениями магнитного сопротивления в указанных контурах потока 11.Недостаток такого устройства состоит втом, что система управления, которая является частью контуров магнитного потока,изменяет магнитное сопротивление конту ров, вызывающее электр и ал только дополнительно к с ню сигнала.Наиболее близким техническим решением к изобретению является ППЗУ, которое содержит, как и предложенное, карту с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов, магниточувствительные элементы, расположенные с одной стороны карты, и исполнительный блок 21.Однако это устройство имеет низкую помехоустойчивость, что требует компенсации помехи нуля схемными элементами.Цель изобретения - повышение помехоустойчивости и чувствительности ППЗУ.Поставленная цель достигается тем, что в ППЗУ введены источники переменного магнитного поля и разделительные элементы, источники переменного магнитного поля расположены с другой стороны карты и магнитно связаны с магниточувствительными элементами, подключенными через разделительные элементы к исполнительному блоку.Источники переменного магнитного поля выполнены в виде встречно соединенных катушек с концентраторами магнитного потока,Схема предложенного ППЗУ представлена на чертеже.Устройство содержит источники переменного магнитного поля в виде встречно соединенных катушек 1 с концентраторами 2 магнитного поля, карту 3 с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов и магниточувствительные элементы 4. Магниточувствительные элементы 4 расположены с одной стороны карты 3, а источники переменного магнитного поля - с другой ее стороны. Магниточувствительные элементы подключены через нагрузочные резисторы 5 к источнику 6 питания и через разделительные элементы 7 к исполнительному блоку 8,Работает устройство следующим образом.Переменное магнитное поле, создаваемое катушкой 1 с концентраторами 2, проходящее через ячейку из неферромагнитного материала карты 3, воздействует на соответствующий магпиточувствительный элемент 4 и вызывает появление переменной составляющей падения напряжения с частотой магнитного поля, которая, отделенная от постоянной составляющей тока питания (обусловливающей дрейф нуля), через разделительный элемент 7 поступает к исполнительному блоку 8. В тех ячейках, в которых имеется ферромагнитный материал, магнитное поле замыкается в нем и практически не оказывает воздействия на соответствующий магниточувствительный элемент. При этом сигнал на выходе отсутствует. Встречное включение катушек создает фокусировку локальных магнитных полей, что уменьшает уровень помехи нуля и увеличивает чувствительность устройства. Таким образом, введение разделительных элементов и сточников переменного магнитного поля в ви: встречно соединенных катушек с узконаправленными магнитными потоками повышает помехоустойчивость и чувствительность устройства. Формула изобретения10 1. Полупостоянное запоминающее устройство, содержащее карту с ячейками из ферромагнитного и неферромагнитного материалов, магниточувствительные элементы, расположенные с одной стороны карты, и 15 исполнительный блок, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью повышения помехоустойчивости и чувствительности устройства, оно содержит источники переменного магнитного поля и разделительные элементы, источ ники переменного магнитного поля расположены с другой стороны карты и магнитно связаны с магниточувствительными элементами, подключенными через разделительные элементы к исполнительному блоку, 25 2. Устройство по п. 1, отличающеесятем, что источники переменного магнитного поля выполнены в виде встречно соединенных катушек с концентраторами магнитного потока.30 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент СШЛ3358124, кл, 235 - 61,12.03. 66.2. Авах Ю. К, Полупостоянные запоми 35 нающие устройства с механической сменойинформации, изд-во Энергия, 1973, с, 91.оставите екре С едактор И. Грузовааказ 1463/11НПО Го Изд. Ле 569 ударственного ком по делам изоб 3035, Москва, Ж Ю. Розенталь Тюрина Тираж 692итета Совета Министроетенцй и открытий5, Раушская наб., д. 4/ ректор О. Тюрина Подписное