Андроникашвили

Номер патента: 648007

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Андроникашвили, Бархударов, Галусташвили, Паперно, Тактакишвили

МПК: H01S 3/02

Метки: кристалла, оптической, прочности, увеличения

...- повышение пороговой плотности энергии оптического пробоя,Это достигается тем, что по предлагаемому способу кристалл предварительно нагружают.в области пределатекучести и в нагруженном сост ииоблучают потоком-лучей доэо1-210 рад.П р и м е р. Исследуемый кристаллНаС 1 в форме пластины 30 х 20 х 3 юсефподвергают одноосному сжатию вдолькристаллографического направления:(100) и облучают ) -лучами при комнатной температуре. Обработанный таким образом кристалл исследуют на;.пробой лучом импульсного СО - лазера атмосферного давления с двойнымпоперечным разрядом. Импульс излучения имеет сложную форму: за пиком длительностью 100-150 нс следу.ет фхвост продолжительностью 1,52 мкс. Длина волны излучения 10,6мкм. Луч фокусируют на...

Номер патента: 608881

Опубликовано: 30.05.1978

Авторы: Андроникашвили, Гоглидзе, Моргошия

МПК: E02D 3/10

Метки: возведения, грунтовом, земляного, основании, полотна, слабом

...изобрете Спос слабом 25 возвсдс следую с упло щийс дочных 30 ния необ возведения з грунтовом осн ние на основани цую послойную тнением каждог я тем, что, с це свойств земляно ушей способноста й емляногоовании, вки жесткой потсыпку нао слоя,лью снижего полотнаи основани олотна лючаю литы и нее гр тлич ния пр и увел я, жест та оса- иче- кую Изобретение относится к томобильных и железных грунтовых основаниях. Известен способ возведе лотна на слабом грунтово полного или частичного грунта и замены его приво Недостатки такого снос лой несущей способности эффективности и высокой ительства.дующего замоноличивания их цементно-песчаным раствором.Способ осуществляют следующим образом.На подготовленную поверхность слабого грунтового основания...

Номер патента: 582201

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Андроникашвили, Лаперашвили, Майсурадзе, Цицишвили

МПК: C01B 39/00

Метки: катионообменных, форм, цеолитов

...отмывки пх водой,Целью изобретения является ускорениепроцесса получения катионообменных форм цеолитов.Это достигается описываемым способом получения катионообменных форм цеолитов, 10 состоящим в контактировании натриевойформы цеолита с водным раствором соли соответствующего катиона путем электролиза с использованием в качестве анода металла того же обменного катиона.1 д Технология осуществления способа состоитв следующем.В перхлорвинпловую диафрагму вместе сцеолитом помещают анод-пластинку из металла ионообменного катиона. В качестве 20 электролита применяют водный раствор солиобменного катиона. Ионный обмен происходит в анодном пространстве, По окончании процесса цеолит промывают водой до отрицательной реакции на ионы взятой соли в 25...

Номер патента: 483993

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Андроникашвили, Васильев, Кельцев, Летичевский, Липкинд, Маергойз, Михайлов, Пушкарев, Сабелашвили, Уротадзе, Цицишвили

МПК: B01D 53/02

Метки: газовых, смесей

...ируемых систем от есей окислов углероем адсорбции послсдном адсорбенте, соя, кальция, алюмцющиися тем, что, с пн очистки газов от ню ведут на сорбен,21 - 0,3) ИагООз(2,4 - 3,0) 510 14. 04.72. Изобретение относится к способам очистки газовых смесей, применяемых, например, при производстве азотводородных контролируемых систем в металлургии и машиностроении.Известен способ разделения и концентрации газовых смсссй, основанный на применении природного окисного сорбснта, поглощающего окись, двуокись углерода, азот и другнс газы. При этом низка стспень очистки газов от окиси углерода - поглотительная способность сорбента 3,6 г/100 г при парциальном давлении СО 760 мм рт. ст.Цель изобретения - повышение степени очистки газов от окиси...

Номер патента: 357086

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Андроникашвили, Ордена, Паперно, Политов, Размадзе

МПК: B29D 5/00

Метки: 357086

...способы улучшения прочности кристаллов, одним из которых является облучение в реакторе. Однако при этом кристалл становится настолько хрупким, что область пластической деформации практически отсутствует.Цель изобретения - улучшение пластических характеристик кристалла с одновременным улучшением его прочности.Для этого кристалл перед облучением подвергают сжатию нагрузкой, превосходящей предел текучести кристалла, а затем облучают в сжатом состоянии потоком нейтронов 10" н/смсек в течение 10 мин,Облучение кристалла в напряженном состоянии (3 мин при дифференциальном потоке нейтронов 3,2 Х 10" н/смсек) повышает прочность кристалла примерно в 2 раза; при этом кристалл становится пластичным. По сравнению с контрольным образцом...

Номер патента: 387735

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андроникашвили, Вител, Ермилова, Крупенникова, Цицишвили

МПК: B01J 29/04

Метки: дегидратации, катализатор, спиртов

...испытаний катализатора приводятся ниже. и м е р 1. Дегидратация идратацию бутанолад интервале температур о изатор - порошок цирк та типа А (КаУгА) с 4,1 тора 0,0675 г.абл. 1 показана завв вес. % на пр Пр Дег оутанола.бутенов прово до 254 С;ониевой формы % УгО; вес какатал цеоли тализВ т тенов исимость выхода бу опущенный спирт,ица Состав газа, отн, % Превра- ение, У емпер ура,ТрансбутенЦис-бу тенБутен27,0 23,0 25,7 24,8 23,3 22,8 30 47 64 30 66 54 10,5 14,8 10,3 15,0 14,5 16,4 62,5 65,2 64,0 60,2 62,2 60,8,6 ,6 ,г ,9 5,0 25Из табл. 1 виратуры выход бдостигает 22,6только бутены30 ружено) . дно, что с повышением темпетенов возрастает и при 266 СВ продуктах присутствуют побочных продуктов не обна 3. В. Грязнова, М....

Номер патента: 186418

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Андроникашвили, Галич, Гутыр, Лаперашвили, Сидоренко, Цицишвили

МПК: C07C 15/02, C07C 2/66

Метки: гемимеллитола

...фосфорнокислого катализатора при температуре 400 С и повышенном давлении. При этом содержание гемимеллитола составляет лишь 2,4 - 3,5 мол. % от общего количества метилзамещенных продуктов.Предлагаемым способом можно получать малодоступныи в настоящее время гемимеллитол (1,2,3-триметилбензол) путем селективного алкилирования о-ксилола при температуре около 475 С в присутствии синтетического цеолита состава 0,89 ВаО 0,1 ХавО АвОз2,551 Оз в качестве катализатора. Гемимеллитол служит исходным продуктом для получения синтетических смол и пластификаторов.Высокое содержание гемимеллитола в продуктах метилирования (около 60,4 мол. %) делает целесоооразным его выделение путем четкой ректификации, Выход продуктов метилирования составляет 26%,...