Элемент управления матричной жидкокристаллической панели

л. 609 Р Й ной иче- ано кар- еле 1 Я ОО Ь 3 ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ(56) Патент Франции М 2579771015, 1986 (прототип). 54) ЭЛЕМЕНТ УПРАВЛЕНИЯ МАТРИЧ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ 57) Изобретение относится к индикато технике, в частности к жидкокристалл ским панелям, и может быть использо в системах отображения информации(в тографии, вычислительной технике и т видений), Цель изобретения - повышение быстродействия элемента управления путем увеличения его рабочего тока. Поставленная цель достигается тем, что элемент управления матричной панели, содержащий стеклянную подложку 1, на поверхности которой расположены диэлектрический слой П-образной формы 3 и металлические контакты 4, образующие диод Шоттки, примыкающие к боковым поверхностям диэлектрического слоя и электроду отображения 5 панели, размещенному на стеклянной подложке с частичным перекрытием его края, он содержит экранирующий проводящий слой, .расположенный на поверхности стеклянной подложки с примыканием к внутренней поверхности П-образного диэлектрического слоя. 4 ил.Изобретение относится к области индикаторной техники, в частности к жидкокристаллическим панелям, и может быть использовано в системах отображения информации (картографии, вычислительной технике и телевидении),Цель изобретения - повышение быстродействия элемента управления путем увеличения его рабочего тока,Предложенный элемент управления содержит экранирующий проводящий слой, расположенный на поверхности стеклянной подложки с примыканием к внутренней поверхности П-образного полупроводникового слоя и образованием с ними квазиомического контакта,На фиг, 1 представлен общий вид конструкции элемента управления матричной жидкокристаллической панели; на фиг. 2 - поперечный разрез данного элемента управления; на фиг, 3 - электрическая эквивалентная схема элемента управления; на фиг. 4 - ВАХ элемента управления,В соответствии с изобретением, элемент управления формируется на стеклянной подложке 1 и содержит проводящий слой 2 из титана, служащий одновременно светозащитным экраном и образующий омический контакт с полупроводниковым слоем 3 нелегированного аморфного кремния а- Ю, металлические контакты Шоттки 4 и слой прозрачного материала 5 для формирования индикаторного электрода.Устройство работает следующим образом,На рис. 3 01 и 02 - диоды Шоттки, В - сопротивление, создаваемое слоем аморфнога кремния и его квазиомическим контактом со слоем титана. Система двух встречно включенных диодов работает на обратных ветвях ВАХ диодов, т, е, в режиме пробоя. Когда на диод 01 подано напряжение Ч 1, в соответствии с ВАХ (рис. 4) уровень тока в нем будет. Диод 02, включенный в прямом направлении, пропустит ток 1, и емкость Сжк накопит заряд на своих обкладках - информация записана. Смена полярности напряжения (условие работы ЖК - индикатора) приведет к прохождению другой ветви ВАХ и аналогичному результату, обкладки ЖК - конденсатора поменяют знак. В матрице5 10 Использование описываемой конструк 20 ции элемента управления ЖК панели обес 25 30 35 40 45 50 ЖК панели отображение информации осуществляется методом наложения соответствующих напряжений сканирования, подаваемых на строки 4 и столбцы 5, При попадании коммутирующего импульса на строку матоицы (развертки) все диоды строки окажутся подготовленными к прохождению через них видеоимпульсов, заряжающих емкость ЖК-промежутка. Видеосигнал соответствующей амплитуды подается на строки, а выборка нужного элемента в столбце осуществляется подбором уровня сигнала, обеспечивающего рабочую точку ВАХ (1, Ч,), включающего диод 01, происходит зарядка емкости ЖК-промежутка - вклочение ЖК-промежутка, Изменение суммарного сигнала приведет кразрядке Сжк - отключению ячейки. печивает по сравнению с известными следующие преимущества: повышение быстродействия ЖК панели за счет увеличения уровня рабочего тока элемента управления; снижение светочувствительности элемента управления за счет введения защитной экранировки рабочей поверхности диодов; повышение безопасности труда за счет исключения в технологии изготовления элтов управления ЖК панели экологически вредной операции нанесения слоя легированного фосфором или бором аморфного кремния.Формула изобретения Элемент управления матричной жидкокристаллической панели, содержащий стеклянную подложку, на поверхности которой расположены диэлектрический слой П- образной формы, и металлические контакты, образующие диод Шоттки, примыкающиее к боковым поверхностям диэлектрического слоя и электроду отображения панели, размещенным на стеклянной подложке с частичным перекрытием его края, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения быстродействия элемента, он содержит экранирующий проводящий слой, расположенный на поверхности стеклянной подложки с примыканием к внутренней поверхности П-образного диэлектрического слоя,1772821 Корректор оставитель И.Харинаехред М.Моргентал симишинеЧ дакто каз 3847 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 ГКНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101