Патенты с меткой «тонкослойных»

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 993508

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Бетенеков, Василевский, Егоров, Печерских, Пузако

МПК: B01J 20/06

Метки: неорганических, сорбентов, тонкослойных

1. Способ получения тонкослойных неорганических сорбентов, включающий обработку носителя растворами солей металлов и мочевины при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения сорбционной способности по отношению к ионам поливалентных металлов, обработку ведут в присутствии агента, образующего комплексное соединение с металлом с константой устойчивости 103 - 1010.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве комплексообразующего агента используют растворы перекиси водорода, серной или щавелевой кислот.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что мольное соотношение соли металлов, мочевины и комплексующего агента при смешивании...