Стабилитрон

3) Приорнте дапам кзабретенн и аткрмткЯБюллетень6 исания 15,02.82 публиковано 15,02.(72) Автор изобретени еи 7 Заявит(54) СТАБИЛИТРО анзисторов подключ тродам э стабилитронаНедостатком его являетсяобласть использования из-заметричной вольтамперной харастики стабилитрона.Цель - расширение функционвоэможностей путем получениязисимметричной вольтампернойтеристики стабилитрона,кая ильных харакПоставленная цель достем, что в стабилитронепараллельно или параллелэмиттер-коллектор упомянзистора включен такой жедругого транзистора.На чертеже представленатабилитрона,Стабилитрон содерторы 1 и 2 разного тмости,тигается встречно ьно переходуутого транпереход Ис ехническим реявляется стакомплементарнуэы которых жит транзисипа проводи с присоединением заявк Изобретение относится к элементному базису электроники и может использоваться как стабилитрон с квазисимметричной вольтамперной характеристикой (СКВАХ).Известен СКВАХ, выполненный на однотипных транзисторах и состоящий из двух встречно параллельных пар Дарлингтона, в которых база первого транзистора соединена с коллекторами обоих транзисторов, Сн применяется как ограничитель входного дифференциального сигнала в некоторых микросхемах Г 11Недостатком этого СКВАХ являетс выполнение его на 4 транзисторах, два иэ которых по существу используются как идеализированные диоды в цепях обратной связи ведомых - вторых транзисторов.Наиболее близким тшением к изобретениюбилитрон, содержащийпару транзисторов, ба оединены между собои, при этом переод эмиттер-коллектор одного из5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50плучснная структура стабпитронасимметрична - работоспособна какв прямом, так и в инверсном включении. Гсли напряжение на стабилитроне в любой полярности превышаетсуммарный порог активации переходов базоэмиттер, то каждый базоэмиттерный переход помимо основнойфункции управления током своего коллектора, выполняет также функциюнелинейного элемента обратной связив цепи базоколлектора другого транзистора, При инверсной полярностив роли базоэмиттерных переходов оказываются базоколлекторные. Ток стабилитрона в таких ситуациях распределяется в соответствии с выражением11 Вчв котором при общем токечбаз выявляется отношение токов черезтранзисторы близкое отношению коэффициентов передачи по току, Разбросвеличины тока стабилитрона при сменеполярности приложенного напряженияможет быть уменьшен применениемсимметричных транзисторов, у каждогоиз которых площади коллектора и эмиттера идентичны, В непроводящем состоянии через структуру идут толькотоки утечки, в том числе и емкостные,которые могут доминировать на высокихчастотах,Предлагаемый стабилитрон макетируется на дискретных транзисторах,германиевых, кремниевых и их сочетаниях, при этом соответственно меняется среднее напряжение стабилизации(0,7 В; 1,3 В; 1 В). Применениемтранзисторов с повышенным коэффициентом передачи по току в предлагаемойструктуре относительно защищаемыхтранзисторов входа усилителя можноувеличить технологический запас понапряжению на входном ограничителе,устраняющий нелинейные переходныепроцессы в усилителе при перегрузке .дифференциальным сигналом,Возможно также применение стабилитрона как элемента цепочки. Крометого, неравенство прямого и инверсного напряжения при том же токе через стабилитрон можно испольэоватьпри подгонке конкретных режимов внекоторых сложных транзисторных структурах, например, включг.на цепочка из двух идентичных стабилитро. нов, соединенных встречно-последовательно, очевидно, симметричность суммарного стабилитрона при повышенном напряжении окажется ближе н идеальной.Таким образом, в связи с включением базоколлекторного перехода одного транзистора комплементарной пары параллельно база-эмиттерному переходу второго транзистора получают стабилитрон с квазисимметричной вольтамперной характеристикой, что дает, по сравнению с известным положительный эффект - расширение области применения такого стабилитрона.Использование предлагаемого стабилитрона в качестве ограничителя входного дифференциального сигнала упрощает схему ограничителя,выполненного на 4-х транзисторах в микросхемах типа 1110 УД 10, что приводит к дальнейшей миниатюризации и снижению себестоимости изделий электроники,формула изобретения Стабилитрон, содержащий комплементарную пару транзисторов, базыкоторых соединены непосредственномежду собой, при этом переход эмиттер-коллектор одного из транзисторовподключен к электродам стабилитрона,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью расширения функциональныхвозможностей путем получения квазисимметричной вольтамперной характеристики стабилитрона, в нем встречнопараллельно или параллельно переходуэмиттер-коллектор упомянутого транзистора включен такой же переходдругого транзистора.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Аналоговые и цифровые интегральные схемы под ред. Якубовского,"Советское радио", М 1979, с. 222,рис. 1. 11.2. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы в радиоэлектронной аппаратуре. М., 1979, с. 71, рис. 2,15.Составитель С. Горбачева Редактор Л. Повхан Техред И,Гайду Корректор М. Демчик ее Заказ 36 М 64 Тираж 907 .Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раущская наб., д. 4/5 е е еФилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,1