Сподынейко

Номер патента: 1200376

Опубликовано: 23.12.1985

Автор: Сподынейко

МПК: H03F 1/10

Метки: усилительное

...жилу и оболочку коаксиального кабеля измерительного прибо ра, В симметричном варианте работыусилительного устройства, состоящего из двух идентичных усилительныхустройств, индуктивный датчик 11 10непосредственно подключен к шине 9обоих устройств, а их шины 10 соединены между собой. Выходы обоих,устройств аналогично и независимоподключены каждый к отдельному коаксиальному кабелю, причем оболочки 15этих кабелей объединяются на дифференциальном входе измерительного прибора.В несимметричном варианте устройство работает следующим образом.Напряжение, развиваемое на шине9 относительно шины 10 током сигнала датчика, усиливается с повторением по фазе на выходе устройства, приэтом между выходом и входом устройства, всего один переход...

Номер патента: 905808

Опубликовано: 15.02.1982

Автор: Сподынейко

МПК: G05F 3/16

Метки: стабилитрон

...по току, Разбросвеличины тока стабилитрона при сменеполярности приложенного напряженияможет быть уменьшен применениемсимметричных транзисторов, у каждогоиз которых площади коллектора и эмиттера идентичны, В непроводящем состоянии через структуру идут толькотоки утечки, в том числе и емкостные,которые могут доминировать на высокихчастотах,Предлагаемый стабилитрон макетируется на дискретных транзисторах,германиевых, кремниевых и их сочетаниях, при этом соответственно меняется среднее напряжение стабилизации(0,7 В; 1,3 В; 1 В). Применениемтранзисторов с повышенным коэффициентом передачи по току в предлагаемойструктуре относительно защищаемыхтранзисторов входа усилителя можноувеличить технологический запас понапряжению на входном...

Номер патента: 746884

Опубликовано: 05.07.1980

Автор: Сподынейко

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, формирователь

...ки насыщенныхтранзисторов 4,5 е91 1 1 о - остаточные. коло ог., с 5,З)1. 3 лекторные и эмит 15 терные токи запертых транзисторов 2, 3.Нетрудно показать, что остаточное напряжение на нагрузке в паузе между им 20 пульсами в сумме с падением напряжения на внутреннем сопротивлении формирователя во время импульса, отнесенноек величине Е 1, есть погрешность отработки амплитуды ( сР), вносимая форми 25 рователем и оцейиваемая согласно выраОжениям нСР 15ф.реннее сопротивление источника питания 1;В, Яо, - сопротивления насыщеМВ,й) ЪО 5ния транзисторов 25 е,ц)дно)- сопротивления наг-3рузки, диода 10, перехода эмиттер-базазапертого транзистора3Оо, - напряжение насьпцеО Х,3ния ТЭДД.Величины Д минимизируются выбором транзисторов с малыми...