Патенты с меткой «селеновых»

Номер патента: 144239

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бабиков, Бахтин, Депутатов, Зачко, Маргодин, Парфенов

МПК: G01R 31/26

Метки: автомат, величине, выпрямительных, обратного, падения, прямого, селеновых, сортировки, элементов

...20, Последний срабатывает и поворачивает соответствуюший упор 10, после чего движение элемента происходит аналогично вышеописанному, но только срабатывает электромагнит 21.При измерении на позиции УУУ годный по обратному току элемент, относяшийся к худшему классу, заставляет сработать усилитель 22, поляризованное реле 23 которого своим контактом 24 замыкает цепь реле 25.Последнее замыкает при срабатывании контакт 2 б. По окончании замера кулачок 27 замыкает контакт 28, срабатывает реле 29 и через контакт 30 становутся на самоудержание одновременно через контакт 31 включается реле Й и через контакт 33 остается на самоудержании, благодаря чему происходит предварительное запоминание результата измерения элемента по обратному току...

Номер патента: 144912

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Геллер, Гринберг, Книгин, Мурыгин, Прохоров, Смирнов, Яхно

МПК: H01L 21/105

Метки: выпрямителей, селеновых

...методо месь кадмия с последующим ава, содержащего кадмий, чис изготовления с елью повышени морфного или к вводится при ектрода из спл металлов. Известны различные способь 1 изготовления селеновых выпрямителей. Для получения выпрямляющего контакта обычно на поверхностный слой селена наносится сплав, содержащий кадмий, после чего производится термическая обработка выпрямителя. По другому способу перед нанесением катодного сплава на поверхность кристаллического селена наносится тонкий слой кадмия методом испарения в высоком вакууме.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет повысить допустимую плотность тока выпрямителя. Это достигается тем, что в поверхностный слой аморфного или кристаллического селена методом...

Номер патента: 148144

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Березина, Бочарова, Геллер, Евдокимов, Ильницкая, Кочин, Омеров, Салынский

МПК: H01L 21/10

Метки: вольтамперной, выпрямительных, крутой, селеновых, характеристикой, элементов

...основной слой селена при температуре подложки 100 - 12Способ, согласно изобретению, осуществляется по следующнологии:подготовка элементов, отбивка песком, висмутированиеэлектрода;нанесение первого слоя селена толщиной 10 - 15 микрон инературе подложки 60 - 80,нанесение слоя селена толщиной 5 микрон с присадкой галтемпературе подложки 100 - 120;нанесение основного слоя селена при температуре подложк120";нанесение катодного сплава, содержащего галлийМногослойные селеновые элементы со средним слоем селдержащим галлий, имеют малое сопротивление в пропускном нании и большую крутизну вольтамперной характеристики.Благодаря этому при утроенном значении плотностиционного тока 75 ма/сиР, величина прямого падения напрявых элементоВ нИже,...

Номер патента: 155560

Опубликовано: 01.01.1963

Авторы: Бабиков, Бокарев, Депутатов, Парфенов, Сербии, Чарский

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматусортировки, заготовок, запирающего, ориентации, селеновых, слоя, элементов

...9, и пружину возврата 10; механизм сбрасыванпя отобранных в момент замера селеновых элементов, состоящий из электромагнитов 11 и выбиваемых упоров 12, которые воздействуют на рычаг 13 заслонки 5 в период сброса элемента при повороте диска.Кроме того, устройство включает механизм вибрационного цилиндрического бункера 14; устройство для ориентации поступающих из вибробункера селеновых элементов, состоящее из подвижных направляющих 15, соединенных шарнирно с электромагнитами 1 б, щупа 17, соединенного шарнирно с электромагнитом 18, и лотка 19 сброса элементов в гнезда диска.При включении автомата элементы, засыпанные в вибробутнкер 14, поднимаясь по винтовой линии, заходят в направляющие 15 механизма ориентации, На этой позиции щуп...

Номер патента: 167731

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C23C 14/02, C23C 14/16

Метки: пленок, селеновых

...напылением селена на металлическую подложку, которую можно легко растворить. При растворении подложки в определенном растворителе происходит загрязнение и при высыхании тонкой пленки - ее разрушение (трещины, ломка).Для увеличения выхода пленки н упрощения технологического процесса предлагается производить вакуумное напыление из аморфного селена на металлическую подложку из фосфористой или бериллиевой бронзы, предварительно полированную до зеркального блеска. Снятие селеновой пленки с подложки производят изгибанием подложки.Пластинку из фосфористой или бериллиевой бронзы толщиной 0,1 - 0,2 мл полируют пастой ГОИ до зеркального блеска, промывают бензином, а затем этиловым спиртом. После снятия с помощью сухой ваты остатков спирта...

Номер патента: 180715

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Горохов, Никандров

МПК: H01T 21/00

Метки: вакуумное, полуавтоматическое, селеновых, фотоэлементов

...вставляется в привод б, который расположен в вакуумном ооъеме 7, ограниченном колпаком 8, поднимаемым подъемником 9. Под барабаном 3 размещен источник нспаряемых веществ 10, содержащий требуемые вещества 5 (селен плн кадмнй).Форвакуумный насос 11 откачивает воздухиз вакуумного объема 7. Затем включаются система подогрева, контроля ц регулирования температуры (на чертеже не показана) бара бана 3, а также система подогрева источникаиспаряемых веществ 10, система вращения барабана 3 ц реле времени контроля процесса нанесения селена (кадмия) на заготовки 4 фотоэлементов.15 С помощью крана 12 вакуумныи обьем 7заполняется аргоно-кнслородной смесью прц выполнении операции селеннрованця заготовок 4 фотоэлементов н аргоном прц выполнении...

Номер патента: 266330

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Давиденко, Кочетов, Филиппенков

МПК: B23K 37/00, G01N 23/18, H05G 1/02 ...

Метки: аппарату, пластин, селеновых, узел

...что оп снабжен эксцентричным валом с насаженными на нем цилиндрическими шестернями, установленным перпендикулярно направляющим в плоскости, параллельной плоскости их расположения, На рамке установлены рейки, входящие в зацепление с цилгпдрпческимп шестернями. 1 Цетка выполнена пслой, соединена гибким шлангом с пылесосом, шарнирно закреплена на основании и соединена шарнирной тягой с валом.1 акое выполнение предлагаемого узла повышает качество очистки селеновых пластин.На фиг. 1 изображен описываемый узел очистки в поперечном разрезе; на фиг, 2 - то же, в продольном разрезе; на фиг. 3 - разрез по :1 - - А на фиг. 2.Узел содержит основание 1, закрепленные на нем направляющие 2, в которых с возможностью перемещения усгановлена рамка 3,...

Номер патента: 322756

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Бабич

МПК: G03G 21/00

Метки: барабанов, гная, пластин, поверхности, селеновых

...аета ик 10 ру- ого шаетсслоя. является повышение 15 го слоя пластин и бар афических устройств лости селенового слоя руктуры. Эта цель дое промывки спиртом 20 н и просушки на него вазелиновового масла. м восстанавливается поверхность слоя за ной окисной пленки и 25 селена маслом.овое масло является Целью изобретения долговечности селеново рабанов для электрог путем уменьшения уста и восстановления его ст стигается тем, что посл селенового слоя пласти наносится микропленкаВазелиновым масло глянцевая скользящая счет удаления усталост заполнения пористостиКроме того, вазелин жидким состоянием веществ группы парафинов, и поэтому оно инертно к окислителям,Селеновый слой пластин пли барабанов перед началом работы промывается...

Номер патента: 345837

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Бондаренко, Броницкий, Дарьин, Ислямов, Казакова, Лепешкин, Окунас, Подвигалкин, Рейцман, Шнейдман, Янкаускас

МПК: G03G 5/08

Метки: селеновых, слоев, электрофотографических

...получения селеновых электрофотографических слоев.Известен способ получения с еленовых 5 электрофотографических слоев путем вакуумного напыления. Однако проведение процесса в стационарном режиме по известному способу не обеспечивает получения оптимальных значений эксплуатационных 10 параметров слоя.Предлагаемый способ позволяет улучшить параметры селеновых электрофотографических слоев, а именно снижает эффекты усталости и световой памяти в сло ях, а также увеличивает их тиражеустойчивость. Это достигается тем, что в процессе напыления увеличивают температуру подложки от 20 до 50 С со средней скоростью 0,5 - 0,9 град,мин при изменении дав О ления остаточных газов в пределах от 3 10 з до 2 10 - 4 тор с градиентом 1 10 -- 1 10-4...

Номер патента: 918926

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Бальчюнас, Гальвидис, Кулемин, Монтримас, Таурайтис

МПК: G03G 5/08

Метки: пластин, селеновых, электрофотографических

...изготовленияселеновых электрофотографическихпластин по и, 1, содержащее вакуумнуюкамеру с испарителями трехселенистогомышьяка, о т л и ч а ю щ е е с ятем, что с целью повышения качества электрофтографических пластин,оно имеет переменные по высоте перегородки, расположенные между испарителем с трехселенистым мышьяком ииспарителем с селеном для полученияпеременной концентрации паров трехселенистого мышьяка,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1,Электрофотография и магнитография, Вильнюс, 1965, с.108-119,3 91892 родок 5 путем конденсации паров кристаллизационно стойкого трехселенисто,го мышьяка 6, смеси его с селеном 7, образовавшегося в вакуумной камере в области щели 8 системы перегородок, отделяющих испарители с....

Номер патента: 1101778

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Котов, Попов, Селимханов, Шнейдман

МПК: G03G 5/04

Метки: изображения, носителей, селеновых, электрофотографических

...способ получения селеновых электрофотографических носителей изображения, включающий вакуумное напыление селена на электропро,водящую подложку с последующей термообработкой Я ,Недостаток известного способа - 10низкое качество носителей.Целью изобретения является повышение качества носителей,Цель достигается тем, что согласно способу получения селеновых элект 1рофотографических носителей изобра"жеиия, включающему вакуумное напыление селена на злектропроводящую под"ложку с последующей термообработкойселенового слоя, термообработку эОселенового слоя проводят в средедвуокиси углерода.Термообработку проводят при давле.иии двуокиси углерода, равном атмосферному, 25Повышенная температура поверхности селенового слоя в конце...

Номер патента: 1251012

Опубликовано: 15.08.1986

Автор: Дибиров

МПК: G03G 21/00

Метки: селеновых, цилиндров, электрофотографических

...электрофотографических свойств селеновой поверхности.1 ОП р и м е р, В водяной бане 80мас.ч, вазелина доводят до полногорасплавления при 87 С, затем постепенно добавляют 20 мас,ч. мела итщательно перемешивают до полученияоднородной массы. После охлаждениядо 18-20 С получают очищающий реагент.Через 80-100 ч эксплуатации цилин,дров на селеновую поверхность наносят 5-10 г состава и энергично рас,тирают ватным тампоном круговымидвижениями в течение 3-5 мин,при этом на поверхности образуетсятемно-красное покрытие. Затем чистыми ватными тампонами удаляют остаткисостава. После очистки цилиндры готовы к эксплуатации без промывки спиртом и дополнительной сушки (нормализации) обработанной поверхности.В результате воздействия на селеновую...

Номер патента: 1525182

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Асаявичюс, Гальвидис, Жиленас, Зарубинский, Ларина, Петропавловский

МПК: C09D 5/02

Метки: композиция, пластин, покрытия, селеновых, электрографических

...ла, бутаты (в рас 8,30 до го эфира мас.% и1525182 Состав коюозиции мас.2 Приме Примечание (характеристика отслоения) Показатели 34 мр целлюлозы ПатексБСК/3,сухоевещество Толщи- Адгена,нкн зня кселеВола СоотноПрочНОСТЬ,кгс/еч Удлинениепри разрыве, 2 Растворимость некиевфирцелиловыХммическан природа ЯС,Х ну,г/сн латекссухоееещестПрадлагаемьа1 1,9 О,Э Отслаивание с разрывон пленкиОтслаивание самопроизвольное от слоя То иеКоличественное отслаи 150 50 50 0 6,9 1 150 98 2,00 2 НЦ 100 7,0 0 1,26 3200 0,7 740 150 150 Э Натрид КНЦ 2,00 4 1,00 9876,6 В 1:20,0 22,22 ванин селеяаТо не 11,0 1 В,О 25,0 523 209113 140 0,9 50 1,0 26 1,2н 90,04 1:5,0 9244 1:Э,2 14, ЭОВ,ЗО5,ВО 180 200 220 1,43 1,66 1, 16 Отслаиианиа Вез поеренденмя слоя селем...

Номер патента: 1541306

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Зелионкайте, Крылова, Яницкис

МПК: C23G 1/00

Метки: алюминиевых, подложек, селеновых, слоев, тонких, удаления

...электрографических пластин наибо лее пригодны водные растворы дихромата калия и пероксодисульфата калия концентрацией 0,03-0,05 моль/л, При их использовании не выделяется ядовитый сселеноводород, в растворе не образуется коллоидный селен, а качество регенер 1 рованных алюминиевых подложек 99- 1007 Бремя отслаивания селена в растворах дихромата калия75 мин, пероксодисучьфатакалия - 45 мин.В течение термообработки в растворе дихромата калия или пероксодйсульфата калия выкристаллизовавшийся се лвн может быть отделен от раствора и использован в производстве электрографических пластин, а раствор применен для повторного удаления слоев.Растворы перманганата калия, хро мата калия, перекиси водорода исследованных концентраций для удаления...

Номер патента: 1601604

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Иванов, Касаков, Нерсесов

МПК: G03G 5/082

Метки: селеновых, цилиндров, электрофотографических

...ввакуумной камереДля определениячисла Рейнольдса используют формулу4 СНе = где С - расход испаи д.,фряемого вещества.Б зависимости от параметров Реи 1 возможны следующие режимы истечения струи: свободномолекулярный,35переходный от. свободномолекулярногок сплошному и сплошной. При сплошном :, режиме истечения струи внутри струиимеется невязкое ядро струи с характерной ударно-волновой структурой.В переходном режиме течения происходит размытие ударных волн до их полного исчезновения. В области ударнойволны (скачка уплотнения), поперечные размеРы которой порядка длинысвободного пробега молекул, происходит резкое увеличение плотности,давления, температуры и уменьшение скорости газа.Режим нанесения селенового покрытия сверхзвуковой струей...