Патенты с меткой «пробоя»

Номер патента: 1676085

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Дмитриев, Пискарев, Рудский

МПК: G01R 31/26

Метки: вторичного, защиты, контроле, параметров, пробоя, силовых, транзисторов

...момент 12, Протекаощий через диоды ток о 31 препятствует дальнейшему росту коллекторного напряжения 30. Одновременно начинается процесс спада тока коллектора к 29 в условиях практического постоянства напряжения коллектор-эмиттер ИТ, Ток через диод 10 при этом нарастает, поддерживая величину тока индуктивности на заданном уровне (. =: к + о. Уровень напряжения источника 9 Оф выбирается несколько превышающим уровень напряжения стабилизации Ост стабилитрона 14, поэтому в базовую цепь транзисторов 11 защиты начинает протекать ток з 32 приоткрывающий транзисторы 11. В результате спустя некоторое время задержки коллекторное напряжение ИТ ограничивается на уровне напряжения стабилизации Ост. При сникении напряжения 30 от величины О до О с...

Номер патента: 1758609

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Дмитриев, Пискарев, Рудский

МПК: G01R 31/26, H02H 7/10

Метки: вторичного, защиты, контроле, параметров, пробоя, силовых, транзисторов

...блока 2 обнаружения ВП, Втораясхема 21 ,индикатор ВЧ - колебаний)содернит одновибратор и детектор высокочастотных колебаний, включенныймежду входом одновибратора и вторыминформационным входом 24, Третьясхема 22 обнаружения ВП (индикатор"хвоста" тока) содержит преобразователь "время-напряжения" и компараторы, включенные между входом преобразователя "время-напряжениян и информационным входом 25 блока 2 обнаружения ВП, Выходы предусилителя 27,одновибратора и преобразователя "время-напряжения" подключены к вгкходу26 блока 2 обнаружения ВП,Блок 3 индикации ВП содержит ключ,световой индикатор и источник напряжения питания и имеет вход 28 и выход 29. Вход ключа соединен со входом 28, а источник напряжения питания - с выходом 29 блока 3...

Номер патента: 1760594

Опубликовано: 07.09.1992

Автор: Новиков

МПК: H02H 7/12

Метки: выпрямительной, диодов, пробоя, сигнализации, установки

...(увеличении) напряжения обмоток 1 происходит дополнительный разряд (заряд) конденсаторов 7. Процесс дополнительного заряда конденсаторов 7 не создает запаздывания между изменениями напряжения обмоток 1 и напряжения конденсаторов 7, Тэк как конденсаторы 7 обладают свойством запоминания напряжения, то процесс дополнительного разряда конденсаторов 7 происходит с некоторым запаздыванием относительно изменения напряжения обмоток 1,Если выпрямительная установка не имеет пробитых диодов, то в ее рабочих режимах, которые сопровождаются изменением (преднамеренным регулированием) напряжения обмоток 1, напряжение конденсаторов 7 имеет одинаковую величину и полярность, которая показана на схеме фиг.1. В таких режимах в контурах блока 3....

Номер патента: 1760595

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Колоколкин, Кострюков, Тимофеева, Трофимов

МПК: H02H 7/12

Метки: вентилей, вентильном, высоковольтных, последовательно, преобразователе, пробоя, соединенных, тиристоров, управляемом

...цепью подключены между объединенными входами 20 и 21 выходных ключей 17 и 18 одноименных ступеней контроля количества пробитых тиристоров датчиков пробоя 11 - 15 и 16 и управляющими входами 39 и 40 соответствующих элементов в памяти 22 и 23, управляющим входом 41 управляемые аналоговые ключи подключены к выходу 37 формирователя импульсов задержки, входом 38 предназначенного для подключения к выходу 42 блока 2 фазоимпульсного управления.30 40 45 5 10 15 20 25 Элементы памяти 22 и 23 могут быть выполнены, например, на реле 43 и 44 с соответствующими контактами 45 и 46. Реле 43, фиксирующее пробой недопустимого количества тиристоров (например, 2-х и более тиристоров), формирует в систему 1 управления преобразователем через узел отключения...

Номер патента: 1772770

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Бердников, Дурандин, Сухогузов

МПК: G01R 31/12

Метки: возникновение, группового, изоляции, пробоя, цепей, электрических

...с каждой испытуемой цепью 7.1 , 7.п включен соответственно соответствующий блок 3.1 ., З,п дет противоположно направлению тока в остальных электрических цепях и эталонном конденсаторе 6, что будет зафиксировано блоком 1 индикации с указанием цепи с дефектной изоляцией. Изобретение позволяет в отличие от прототипа определить при групповом контроле на пробой электрическую цепь с дефектной изоляцией на более ранней стадии, чем полный пробой, т. е, идентифицировать обьект с дефектной изоляцией из группы проверяемых, 1 ил. измерения токов, а последовательно с эталонным конденсатором 6 включен блок 4 измерения токов. Каждая из испытуемых электрических цепей 7 с соответствующим блоком 3, а также эталонный конденсатор 6 с блокам 4...

Номер патента: 1810847

Опубликовано: 23.04.1993

Автор: Соколов

МПК: G01R 31/12

Метки: пробоя, фиксации

...(и+1), где в 11 -(и+1 - число витков последней секции и - (и+1, Ктрз 1 - (и+1 -й)2в 1 и - (и +1где в 1 1 - (и+1) - число витков всей первичной обмотки.Номера витков, от которых сделаны выводы для промежуточных ступеней, рассчитываются из следующего ряда коэффициентов трансформации: и 2 - (и+1+1вз з - (пи 1)1 .ф- . .и - 1Значение Л О заносится в датчик величины единичной ступени напряжения, При нажатии кнопки "Пуск" срабатывает триггер и через схему И импульсы от генератора проходят на вход кольцевого счетчика, каждое состояние которого, начиная с первого, последовательно включает оптотиристорные пары, отключая предыдущие, тем самым. последовательно увеличивая коэффициент трансформации третьего трансформатора и соответственно увеличивая...

Номер патента: 1536982

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Гук, Зубрилов, Котин, Шуман

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, коэффициентом, лавинного, однородности, положительным, пробоя, температурным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОДНОРОДНОСТИ ЛАВИННОГО ПРОБОЯ ДИОДОВ С ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ НАПРЯЖЕНИЯ, включающий пропускание через диод импульсов обратного тока, отличающийся тем, что, с целью устранения разрушения прибора в процессе измерений, на диод подают последовательно два одиночных прямоугольных импульса обратного тока равной длительности с различными амплитудами со средней плотностью тока в импульсе не менее 20 А/см2, измеряют напряжения на диоде в конце каждого импульса тока, определяют по ним дифференциальное сопротивление диода, при этом длительность импульсов обратного тока выбирают в пределах 2 10-6c

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y