Патенты с меткой «напряжением»

Номер патента: 1827047

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ларкин, Хочанский

МПК: H02M 3/337

Метки: выходным, напряжением, полумостового, постоянным, преобразователя

...импульсный преобразователь 1, выполненный по известной схеме,содержит. конденсаторы 9, 10, первый 11 ивторой 12 ключи на транзисторах, коммутирующий трансформатор 13 и резисторы 14,15, 16, Устройство 6 регулирования величины напряжения источника 5 содержит управляющий тра нсфоратор 17,дополнительный выпрямитель 18, регулирующий транзистор 19, схема сравнения 20,диод 21 резисторы и 22 и 23,Резисторы 14-15, 22, 23 обеспечиваютправильный режим работы активных элементов устройств и не несут функциональной нагрузки.Устройство работает следующим образом,Постоянное(или выпрямленное сетевоенапряжение) подается на вход полумостового преобразователя 1 и далее с его выходанапряжение 01) через силовой ненасыщающий выходной трансформатор 2,...

Номер патента: 1827273

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Желиховская, Черниловская

МПК: A61N 5/06

Метки: выполнении, зрения, напряжением, профилактики, работ, утомления

...лицв течение месяца при постоянном уровне 10освещенности - ЗОО, 500 и 700 лк, и приизменении интенсивности освещения, когда 300 лк сменялась на 700 лк через 1,5 чработы и ВиГ 1 оловинах рабочегО дня.Выполнялась производственная операция 15ВысОкоЙ точности, требуюшаЯ большой наи Ояржен н Ости зрения,В процессс наблюдения за состояниемзрительной функции и функциональным со ц,н,с, приуосвещения (базовый объект) ЗОО, 500 и 700лк было выявлено развитие существенногаутомления к концу 2-го часа работы виполовинах рабочего дня, поэтому усилениеосвещенности было принято через 1,5 ч работы, т.е, в период начальной стадии утомлиния,На основании полученных при постоянном Освещении кривых утомления, усилениеосвещенности при динамическом...

Номер патента: 1711587

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Стеблевская, Трубин

МПК: G01R 31/08

Метки: изоляции, испытания, напряжением, проводов, проход, электрод

1. ЭЛЕКТРОД ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ НАПРЯЖЕНИЕМ НА ПРОХОД ИЗОЛЯЦИИ ПРОВОДОВ, содержащий контактные элементы с дугообразными поверхностями, установленные в корпусе, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности его работы, контактный элемент выполнен в виде колец, нанизанных на подвеску круглого сечения из электропроводящего материала, прижатых к оси электрода упругим элементом и имеющих возможность свободного вращения на ней.2. Электрод по п.1, отличающийся тем, что прижимной элемент выполнен в виде цилиндрического ролика, установленного в корпусе с возможностью вращения.3. Электрод по п.1 и(или) п.2, отличающийся тем, что прижимной элемент выполнен из упруго-эластичного материала.4. Электрод по п.2, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1681618

Опубликовано: 20.03.1996

Авторы: Городкин, Демчук, Коломенцев, Кордонский, Прохоров

МПК: F15D 1/00

Метки: касательным, напряжением, стенке, суспензии, ферромагнитной

СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ КАСАТЕЛЬНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ФЕРРОМАГНИТНОЙ СУСПЕНЗИИ НА СТЕНКЕ путем воздействия нормальным к поверхности стенки магнитным полем, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования касательного напряжения, на стенке создают микронеоднородности магнитного поля за счет индуцирования в ней магнитных зарядов, зеркально отображающих магнитные заряды в пристенном слое ферромагнитной суспензии, для чего стенку изготавливают, например, путем перевода ферромагнитной суспензии в твердое состояние в ориентированном по нормали к поверхности стенки магнитном поле.

Номер патента: 1827147

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной Нп периферийной области, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя рn-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, кольцевую базовую металлизацию шириной а, расположенную под частью периферийной области базы, прилегающей к центральной области базы, и находящуюся на расстоянии l от места выхода на поверхность высокоомного слоя р n-перехода, где величина l соответствует ширине области пространственного заряда в...

Номер патента: 1827148

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 29/72

Метки: высоким, напряжением, планарный, полупроводниковый, прибор, пробоя

1. Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя, содержащий в высокоомном слое первого типа проводимости базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной области глубиной H и периферийной области шириной L, окружающей центральную область, глубина и степень легирования которой уменьшается в направлении к месту выхода на поверхность высокоомного слоя p-n-перехода, образованного базовой областью и высокоомным слоем, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины периферийной области базы при сохранении величины напряжения пробоя и диффузионных параметров центральной области базы, периферийная область базы состоит по крайней мере из двух зон, в которых p-n-переход имеет различный угол наклона к...

Номер патента: 1828721

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Загрядский, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: высоким, напряжением, полупроводникового, прибора, пробоя

1. Способ изготовления полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, включающий последовательное формирование на поверхности полупроводниковой подложки аморфного или поликристаллического слоя толщиной Н, в котором коэффициент диффузии примеси, создающей базовую область полупроводникового прибора и формирующей его p n-переход коллектор база, превышает ее коэффициент диффузии в полупроводниковой подложке, формирование изолирующего слоя, вскрытие в изолирующем слое окна под диффузию примеси, создающей базовую область, диффузию указанной примеси в полупроводниковую подложку через окно в изолирующем слое с формированием базовой области, состоящей из центральной области глубиной Y