Полупроводниковый механоэлектрический преобразователь
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОЮЗ СОВЕТСНИХ ОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 9) (11 17 А Н 04 К 23/О нХАНОЭЛЕКТР ится к поозволяетеобразоваНа осно упроовыеляании ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ(57) Изобретение отноводниковой технике исить ударостойкость пи упростить его сборк 1 зафиксирована через прокладку 2жесткая планка " держатель 3 с микрошаром 4, выполняющим роль индентора.Микрошар прижат к полупроводниковомукристаллу 5 с силой, установленнойтягой 8. Опасность вертикальных ударов устранена ограничителем силы,выполненным в ниде вертикальной стойки9 с откосом, по которой скользит выступ 11 пластинчатой пружины 10,Силаих прижима устанавливается в 5 - 10раз меньше силы прижима микрошара ккристаллу. Для расширения рабочегоинтервала температур планка - держатель 3 индентора и основание выполнены из одного и того же материала ссовпадающим направлением прокатки.1з. .ф- ы, г5О15 20 Изобретение относится к полупровод никовой технике, а именно к технике преобразования механического сигнала в электрический при помощи полупроводникового преобразователя и может быть использовано для создания сейсмоприемников, звукоснимателей, микрофонов и других аналогичных приборов.Цель изобретения - повышение ударостойкости и упрощения его сборки.На фиг. 1 показан преобразователь вид спереди; на фиг, 2 - то же, вид сверху.Основанием преобразователя служит стальная пластина 1, к которой через подушку 2 зафиксирована стальная пластина-держатель 3 микрошара 4, Последний выполняет роль индентора. Основание 1 и пластика-держатель 3 выполнены из одного и того же материала с соблюдением направления прокатки.Твердосплавный микрошар-индентор в первом варианте исполнения приварен к острому кончику пластины-держателя 3 и прижат к полупроводниковому крис таллу 5.Во втором конструктивном варианте микрошар 4 не приварен к пластине- держателю. У основания пластины-держателя 3 выполнен вырез 6, который с обоих концов завершается продолговатыми отверстиями 7. Участок пластины-держателя 3 за отверстиями 7 утоньшен до 20-30 мкм. Перпендикулярно пластине 3 приварены тяга 8 и стальной прямоугольный треугольник 9. К вертикальному катету треугольника 9 силой, развиваемой плоской пружиной 10, прижат цилиндрический выступ 11 плоской пружины 10, Детали 9-11 составляют узел ограничителя силы на сухом трении. Полупроводниковый кристалл 5 закреплен на основании 1 через изолятор 12. Сила прижима между микрошаром и полупроводниковым кристаллом установлена тягой 8, которая приварена к пластине 3 и проходит через соответствующее отверстие в основании преобразователя 1,Преобразователь работает следующим образом.Вырезы б и 7 облегчают перемещение кончика пластины с микрошаром по вертикали при натяжении тяги 8. Жесткость пластины-держателя обеспе. - чивает точную фиксацию микрошара-индентора над выбранной точкой кристалла, Масса пластины-держателя не пре 25 30 35 40 45 50 вышает 2-3 мг, а упругая деформацияутоньшенных участков, из-за их малойдлины, ничтожна. Поэтому даже присильных боковых ударах не происходит скольжение микрошара по поверхности кристалла. Опасность вертикальных ударов устранена ограничителемсилы на сухом трении, причем жесткостьпластины обеспечивает плавность сколь.жения выступа 11 плоской пружины 10по катету треугольника 9. Их соприкасающиеся поверхности полированы, асила прижима устанавливается в 5-10раз меньше, чем сила прижима междумикрошаром 4 и кристаллом 5В предлагаемой конструкции основа. ние 1 и пластика 3 вырезаются химическим фрезерованием или электроэрозионной обработкой из одной и той же пластинки вдоль выбранного направления прокатки. формула изобретения 1. Полупроводниковый механоэлектрический преобразователь, содержащий основание, чувствительный элемент, связанный через ограничитель силы с держателем индентора, индентор, полупроводниковый кристалл, закрепленный на основании, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что, с целью повышения ударостойкости и упрощения его сборки, индентор выполнен в виде мик рошара, держатель - в виде жесткой планки, прикрепленной одним концом через дополнительную прокладку.к основанию, второй конец которой связан с ограничителем силы, при этом в месте сопряжения планки с прокладкой на поверхности планки выполнен пазослабитель, а ограничитель силы выполнен в виде вертикальной стойки с откосом, жестко закрепленной вдоль пластины-держателя, и пластинчатой пружины с выступом на конце, упруго контактирующим с поверхностью вертикальной части стойки, причем второй конец пластинчатой пружины связан с чувствительным элементом. 2. Преобразователь по п.1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения рабочего интервала температур, пластина - держатель индентора и основание выполнены из одного и того же материала с совпадающим направлением прокатки,Ре ное ака 4/5 аб. иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул роектная, 4 з 1621/60 Тираж 624 ВНИИПИ Государственного ком по делам изобретений и о 113035, Москва, Ж, Раушск
СмотретьЗаявка
3647683, 28.09.1983
ЕРЕВАНСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. К. МАРКСА
МЕЛИКЯН ЭДВАРД ГАРЕГИНОВИЧ, КЕЧИЕВ ОГАНЕС МИХАЙЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H04R 23/00
Метки: механоэлектрический, полупроводниковый
Опубликовано: 30.03.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1221765-poluprovodnikovyjj-mekhanoehlektricheskijj-preobrazovatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый механоэлектрический преобразователь</a>
Предыдущий патент: Устройство визуализации световых сигналов
Следующий патент: Схема питания ламп накаливания светильника
Случайный патент: Установка для получения серы из флотационного концентрата