Механоэлектрический преобразователь

ОП ИСАНИ ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистичесиииРеспублик л 949488(23) Приоритет -Опубликовано 070882, Бюллетень Мо 29Дата опубликования описания 100882 51 М. Кп,601 1 Ч 29/00 Государственный комитет СССР по лелим изобретений и открытий(71) Заявителььд,(54) ИЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ Изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам, преобразующим механические напряжения в электрический сигнал, и может быть использовано в различных отраслях машиностроения.Известен механозлектрический преобразователь упругих колебаний, содержащий излучатель и приемный преобразователь, установленные на эвукапроводах, разделенных акустическим экраном 11. Недостатком преобразователя является то, что в нем используются пьезопластины, обладающие недостаточной шириной полосы частот, чта снижает точность измерения.Наиболее близким к изобретениЮ по технической сущности является механсЬлектрический преобразователь, включающий транзистор 2.Недостатком преобразователя является сравнительно низкая чувствительность к механическим напряжениям и нелинейность преобразования в мирском диапазоне частот.Цель изобретения - повыиение чувствительности и точности преобразования. Укаэанная цель достигается тем,что механоэлектрический преобразователь, включающий транзистор, снабжен вторым транзистором, выполненнымна общем с первым полупроводниковомкристалле, и оба расположены па осимеханической нагрузки, параллельнойлинии тока одного из транзисторов.Кроме того, оба транзистора выполнены полевыми И-типа, канал одного из них ориентирован в направлении 1.1001 кристаллографической оси,а другой - в направлении 010,На фиг.1 показано расположение палевых транзисторов ПТ 1 и ПТ 2 на исходном кристалле ПТ и действие механической нагрузки Р (сжатие), направление тока в канале каждого транзистора относительно кристаллограФнческих направлений показано стрелками;на Фиг.2 - электрическая схема сое-;динения транзисторов, на Фиг.ЗграФический анализ работы устро;,ства.25 Иеханоэлектрический,преобразователь работает следующим образам.В отсутствие механической нагрузки нри равенстве токов стока первого З 0 и второго транзисторов 1 с 1= 1 с выход949488 Формула изобретения 7 ное напряжение механоэлектрическогопреобразователя равноЕсвь где Ес - напряжение питания;Ов - половина напряжения питания.Действие механической нагрузки (сжатие), приложенной параллельно линии тока в канале первого транзистора, приводит к уменьшению тока стока первого транзистора 1на величинуЬ 1 с,и увеличению тока стока второго, транзистора Тс на величинуь 1 В ре-,зультате этого выходное напряжениеО становится равным 15)В 0, -8 вЦ 9-Ч,При действии механической нагрузкирастяжение) выходное напряжение уст ройства соответственно уменьшитсянаЬО (не показано),Таким образом, преобразовательна двух полевых транзисторах и-типа,расположенный на одном кристалле,позволяет увеличить чувствительностьустройства к механической нагрузКев несколько раэ и повысить точностьпреобразования в электрический сигнал.Одновременно использование полевых транзисторов в устройстве поз" волит значительно расширить частотный диапазон линейного преобразования упругих механических колебанийв электрический сигнал,1. Механоэлектрический преобразователь, включающий транзистор, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности и точности, он снабжен вторым транзистором, выполненным на общем с первым полупроводниковом кристалле, и оба тоанэистооа расположены по оси механической нагрузки, параллельной линии тока одного из транэисто" ров.2. Преобразователь по п.1, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что оба транзистора выполнены полевыми и- типа, канал одного из них ориентирован в направлении Е 1001 кристаллографической оси, а другой - в направлении 010 Д. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР Р 415572, кл. 601 М 2904, 1975. 2. Патент Австрии Р 259268,кл, 42 к, 1968 (прототип).Составитель А. ЧистяковРедактор О. Врковецкая Техред Т. Фанта. Корректор/ ска Подпис 11303 4/5 Филиал ППП Патент , г, жгород, ул. роектная,3 5 3ВНИИПи ТиражГосударственного комитета СССелам изобретений и открытийМосква, %-35, Рауюская наб