Акустический способ определения дефектности структуры магнитоупорядоченных материалов

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК И 29/04 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ мбо СССР 1986 ЕЛЕ НИЯПОРЯДОобластидения,блас еден осится кматериалом дефектоов, напри тение от тронного к способ копии ер фе а именно магнитных А товиспо диоэлектрмат ери алльзуемыхонной и ах раой тех",устроисчислител ики ел точности доменной иала н структуры матерзатухания,теже представлеффициента затухлны прошедшейристалла марганот напряженност эффициент На чер эависи сть ко ания акуст через обра ец-цинково и внешнего ескои ц мопинел агнитно Сушно чт ение ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(54) АКУСТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ОПРДЕФЕКТНОСТИ СТРУКТУРЫ МАГНИТЧЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ(57) Изобретение относится крадиоэлектронного материалов зобретения - повышениеза счет исключения влияния поля,ь изобретения состоит в предлагаемом способе итухания проводят во вне а именно к способам дефектоскопиимагнитных материалов, например ферритов, используемых в устройствах радиоэлектронной и вычислительной техники. Целью изобретения является повышение точности за счет исключениявлияния доменной структуры материалана коэффициент затухания, Сущностьизобретения состоит в том, что впредлагаемом способе измерение затухания проводят во внешнем постоянноммагнитном поле, напряженность которого выбирают таким образом, чтопри дальнейшем увеличении этого полявеличина измеряемсго затухания не,нем постоянном магнитном поле, напряженность которого выбирают таким образом, что при дальнейшем уве", личении этого поля величина измеряемого затухания не меняется, Зависимость затухания является убывающей от напряженности магнитного поля функцией, достигающей своего минимального значения при магнитных полях, больших поля монодаменизации. Поскольку измеряемое значение затухания складывается иэ затухания, обусловленного доменной структурой и дефектами материала, а при монодоменизации доменное затухание исчезает, то измеренное значение затухания бу-. дет характеризовать дефектность контролируемого материала.Способ осуществляется следующим образом.1471120 1 ги06 О Щ Фр йЮ Оровскийук Коррект оставитель ехред А.Кр едактор Е,Па оманен ираж 788 Под пи сно 03 4 каз зобретениям и открыт Раущская наб., д. 4 Т СССР сударственно 11303комитета п Москва, Жм и роиэводственно-издательский комбинат "Пагент", г, Ужгород, ул. Гагарина Образец исследуемого материала помещают в однородное внешнее магнитное поле, возбуждают и принимают упругую волну, прошедшую через образец и определяют коэффициент затухания этой, волны в исследуемом материале любым способом (например, эхо-импульсным) в зависимости от величины внешнего магнитного поля. Начиная с некоторого значения внешнего магнитного поля величина измеренного коэффициента затухания Ы, остается постоянной и обусдовлена дефектами исследуемого материала. 5На чертеже представлена типичнаязависимость затухания от внешнегомагнитного поля Н, продольной волнычастотой 30 1 Тц, распространяющейсяв образце монокристалла марганец-цинковой шпинели. Измеренные значенияь. = оС Ае для трех разлинных образцов одиаковых кристаллографическихориентаций, вырезанных из различныхчастей були (и отличающихся, соответственно, количеством дефектов), следующие: 0,42, 0,28 и 0,14 см- (дляножки, середины и головки були соответственно), Низкое значение с,для головки були (и, соответствейно,меньшее количество дефектов) связанос тем, что в процессе выращивания(методом Бриджмана) головка були успевает пройти отжигСгособ позволяет проводить достаточно точную дефектоскопию как35моно - , так и поликристаллов всехклассов магнитоупорядоченных веществ,Его преимуществами являются простотареализации и быстрота проведениядефектоскопии (в частности, выбраковка негодных материалов). Способпозволяет проводить разбраковкуматериалов на стадии полуфабрикатовдо окончательных и дорогостоящихопераций шлифовки, полировки и т,д.и до их использования в готовыхизделиях. Формула изобретения Акустический способ определения дефектности структуры магнитоупорядоченных материалов, основанный на возбуждении в материале упругой волны, приеме волны, прошедшей через материал, измерении коэффициента затухания и определении дефектности структуры материала по величине измеренного коэффициента затухания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности за счет исключения влияния доменной структуры материала на коэффициент эатуха". ния, материал в процессе контроля помещают во внешнее магнитное поле, последовательно увеличивают напряженность внешнего магнитного поля, измеряют коэффициент затухания при оазличных значениях поля а дефектность структуры материала определяют по величине коэффициента затухания, значение которого остается постоянным при дальнейшем увеличении напряженности внешнего магнитного поля,