Датчик магнитостатических волн
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1091084
Авторы: Бугаев, Галкин, Гуляев, Зильберман
Текст
1091084 Изобретение относится к,твердотельной СВЧ электронике и может бытьиспользовано для высокочувствительного детектирования магнитостатическихколебаний в широком диапазоне длин 5волн.Известен СВЧ датчик, содержащийчетырехслойную пленку, состоящую иэметаллического слоя, полупроводникар(п)-типа, полупроводника п(р)-типа 1 фи второго металлического слоя, размещенную на поверхности среды с магнитостатическими колебаниями, нижняяи верхняя металлические ппенки которого служат для подключения измерительной аппаратуры, предназначенныйдля детектирования магнитостатическихколебаний в р-и-переходе 1.Недостаток датчика - сложностьтехнологии выполнения омических контактов в тонкой металлической пленке,низкая чувствительность, определяемаямалой подвижностью зарядов в полупроводнике, и высокая температурнаянестабильность, определяемая свойствами р-п-перехода,Наиболее близким к предлагаемомуявляется датчик магнитостатическихволн, содержащий чувствительный слойиз полупроводникового материала с ЗОэлектрическими контактами на краях,служащими для подключения измерительной аппаратуры 1,21.Недостатками известного устройстваявляются низкая чувствительность итемпературная нестабильность, определяемые свойствами полупроводниковогоматериала, а также технологическиетрудности выполнения омических контактов в месте подключения к полупровод никовому слою.Цель изобретения - повышение чувствительности и температурной стабильности при упрощении технологииизготовления. 45Поставленная цель достигается тем,что в датчике магнитостатических волн,содержащем чувствительный слой сэлектрическями контактами на краях,служащими для подключения измеритель 50ной аппаратуры, чувствительный слойвыполнен из металла и имеет толщинуЙ, удовлетворяющую условию420 п 5 д-- 4 зф 1,55ск с% где и - концентрация свободных электронов в металле; 28 - глубина скин-слоя электромагнитной волны в металле начастоте магнитостатическойволны.На чертеже схематически изображендатчик магнитостатических волн.Датчик магнитостатических волн содержит чувствительный слой 1 с электрическими контактами 2 и 3 по краям,служащими для подключения измерительной аппаратуры.Датчик работает следующим образом.При размещении датчика магнитостатических вблн на поверхности средыс распространяющейся магнитостатической волной поперечное электрическоеи магнитное поля магнитостатическойволны проникают в чувствительныйслой 1, где воздействуют на свободныеэлектроны с силой Лоренца и вызываютдвижение электронов в направлениираспространения волны. Величина возНикающего при этом электрического тока регистрируется с помощью измерительной аппаратуры, подключенной кэлектрическим контактам 2 и 3 на краяхдатчика.При выполнении чувствительного слоя1 датчика из металла толщиной меньшескиновой глубины достигается высокаячувствительность детектирования магнитостатической волны, составляющаядесятки мА/Вт, так как ограничение.толщины чувствительного слоя сверхууменьшает экранирующее действие металла на электромагнитные поля внутринего и на границе среда с распространяющейся магнитостатической волной -металл,При создании металлического чувствительного слоя 1 толщиной, меньшей скин-слоя, возникают островки неоднородности чувствительного слоя, приводящие к резкому снижению его электропроводности и, как следствие, к понижению чувствительности датчика. Повышение температурной стабильности датчика обеспечивается высокой температурой стабильности подвикности электронов в металле,Упрощение технологии изготовления обусловлено простотой создания элект" рических контактов 2 и 3 с металлическим чувствительным слоем на его краях.1091084 Составитель В. ГеворкянРедактор А. Курах Техред Л.Микеш Корректор М. Шароши Тираж 711 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 3075/41 Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Таким образом, предлагаемый датчик туркой стабильности при упромагнитостатических волн обеспечивает шенин технологии изготовлеповышение чувствительности и темпера- ния.
СмотретьЗаявка
3429877, 23.04.1982
ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН СССР, МОСКОВСКИЙ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ
БУГАЕВ АЛЕКСАНДР СТЕПАНОВИЧ, ГАЛКИН ОЛЕГ ЛЬВОВИЧ, ГУЛЯЕВ ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ЗИЛЬБЕРМАН ПЕТР ЕФИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 21/06
Метки: волн, датчик, магнитостатических
Опубликовано: 07.05.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1091084-datchik-magnitostaticheskikh-voln.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик магнитостатических волн</a>
Предыдущий патент: Дискретно-аналоговый измерительный прибор
Следующий патент: Устройство для измерения кратковременной нестабильности частоты
Случайный патент: Теплообменное устройство печи кипящего слоя