Патенты с меткой «амн»

Номер патента: 198713

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Бобрович, Мишин, Расторгуев, Сухов, Хахан

МПК: G01D 9/30, G01N 27/48

Метки: амн, ссср

...поэтому в принципе каналы отличаются друг от друга только, видом датчика, С выходов этих датчиков медленно меняющаяся э. д. с., пропорциональная ионной активности, поступает на десять блоков входных устройств 2. Во входных устройствах эта э, д. с. модулирует вектор переменного напряженияимеющего частоту сети (50 ги), по фазе так, что при изменении э, д. с. по,величине этот вектор поворачивается на определенный угол, пропорциональный этой э, д. с. Все десять входных устройств 2, имея индуктивную связь, практически не имеют ни гальванической, ни емкостной связи с остальнойчастью прибора. Затем переменные напряже 5 ния поступают на десять блоков 3 усилителей сигналов, где проходят предварительноеусиление и демодуляцию по фазе. С...

Номер патента: 238553

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Баскаков, Мельников, Мельникова

МПК: C07D 251/52

Метки: 2-бензилокси-4-алкоксиамино-6n-aл, азимов, амн, киль, но-5-три

...объемом аце тона и отфильтровывают КаС 1 (0,5 г). Отфильтрата отгоняют ацетон в вакууме водо- струйного насоса, остаток промывают водой.Водный слой, значение рН которого равно 9, подкисляют НС 1 (кислотой) до рН 7, экстра гируют эфиром. Эфирные вытяжки соединяют с бензиловым слоем, отгоняют на водяной бане эфир в вакууме водоструйного насоса, а бензиловый спирт в вакууме масляного насоса. Получают 2,8 г желтоватого рас плава, кристаллизующегося при охлаждениии добавлении и-гексана, т. пл. 70 - 75 С. После перекристаллпзации из смеси бензол; и-гексан (1: 2) получают 2,2 г (73,5%) 2-бензилоксиХ-этоксиамцноХ - амиламино,-Я 20 -триазина, т. пл. 93 - 94 С. Продукт такжехорошо кристаллизуется из смеси абсолютный этиловый спирт: петролейный...

Номер патента: 277419

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Габуни

МПК: A61B 6/00

Метки: амн, горбушин, институт, медицинской, мирианашвили, радиологии, ссср

...Т 4, в коллектор которого включен нагрузочный резистор Я, и трансформатор Тр, у которого параллельно первичной обмотке подключен диод Д. Вторичная обмотка трансформатора Тр. ,через резистор Я 4 подключена ко входу интегратора б.Интегратор содержит компенсирующий делитель на резисторах Я 4 и Яь транзистор Т 4, включенный по схеме с общей базой, в коллектор которого включены резистор Ры, интегрирующая цепочка РцС 4 и транзистор Т,; с нагрузочным резистором Я,. Кроме этого, в состав интегратора входят транзистор Т нагрузочный резистор Р, и транзистор Т эмиттер которого соединен с подвижным контактом одного из резисторов компенсирующего делителя Я 4, Я через нагрузочный резистор Рм и входной резистор Я 4 регистрирующего устройства...

Номер патента: 361513

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Леднев, Проймин, Тарасов

МПК: H03K 3/15

Метки: »л»1gt, амн, биamp, сссрl

...между эмиттерамитранзисторов дополнительно включен резистор. Однако известные триггеры Шмиттаимеют повышенную величину гистерезиса.Цель изобретения - уменьшить величину 1 огистерезиса и стабилизацию работы триггераШмитта при изменяющихся значениях амплитуды входного сигнала.Поставленная цель достигается тем, что дополнительный резистор, включенныи между 15эмиттерами транзисторов, выполнен в виде переменного резистора, зашунтированного полу,проводниковым диодом. Кроме того, в триггере Ш митта установлен дополнительныйтранзистор р - п - р типа, выключенный по 20схеме с общим коллектором, база которогоподключена к резистивному делителю напряжения, а эмиттер - к базе входного транзистора,Н а чертеже изобр ажена принципиальная 25схема...

Номер патента: 367089

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C07J 1/00

Метки: амн, ссср

...Полученный триметилсилиловый эфир тестостерона восстанавливают избытком комплекса 1.1 4 МНа с последующим гидролизом образовавшегося при этом триметилсилилового эфира 5и выделением целевогоприемами.5 а-Дигидротестостерон выделяют с выходочо 90%.367089 Предмет изобретения Составитель Т. Жукова Техред Л. БогдановаКорректор Е, Миронова Редактор Т. Никольская Заказ 1351/7 Изд. Хе 1193 Тираж 523 ПодписноеЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открь:тий прн Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 тестостерона с т. пл. 128,3 С, (Лит. данные т. пл. 132,3 С).Весь продукт растворяют в 20 мл сухого эфира, содержащего 0,41 мл трет-амилового спирта и прибавляют за 1 мин 20 мл литий- аммиачного комплекса...

Номер патента: 369398

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Сошин, Тарасов

МПК: G01D 5/28

Метки: i-mmm, амн, отенл, ссср

...ЯРКОСТНЫХ ОТМЕТОКИзобретение относится к области приборостроения.Известны способы записи на фотоматериал яркостных отметок с изменением яркост и источника света пропорционально значению измеряемой величины,Однако эти способы пе позволяют определять тенденцию изменения исследуемой величины.Для получения наглядного представления об изменении исследуемой величины в стороны уменьшения и увеличения по предлагаемому способу изменяют цвет отметок в соответствии со значением измеряемой величины и вводят амплитудную коррекцию по яркости в соответствии со спектральной характеристикой фотоматериала.Амплитудную коррекцию вводят таким образом, чтобы на фотоматериале в случае неизменности измеряемой величины получился белый цвет,Предмет...

Номер патента: 369633

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G21K 1/00, H05H 7/00

Метки: амн, ссср

...с ср= -г га=сопз 1 определяет при ср=О минимальный радиус входного отверстия фокусирующей поверхности, который выбирается из условия: 41- = 1 д- р-сопз 1 - угол скольжения элек- Ктронов по фокусирующей поверхности, равный углу в плоскости падения между пучком из центра фольги 8 на поверхность и касательной к поверхности в точке падения.Длина фокусирующей поверхности 1 о и диаметр 1)о выходного отверстия будут 10 о=р -- О, созО,; 0,=2 р - " - 6, Х Х з 1 п 61. Толщина стенки д предлагаемого устройства определяется из условия 15 Ясоз 6, д Ясоз 6где Я - пробег электронов. Для оценки коэффициента использования положим а=0,8, а - средний коэффициент отражения для электронов, выравнивающих поле электронов, дающих прямой вклад.Относительную...

Номер патента: 374966

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ткаченко

МПК: G01T 1/161, G01T 1/24

Метки: амн, ссср

...дефференцирующей ЯС-цепи;К - постоянная, зависящая от свойствфильтра,Для ограничения полосы пропускания усилителя и улучшения отношения сигнал/шумдобавлен активный фильтр нижних частот,Средняя частота полосы пропускания усилителя оо --- . Фильтр нижних частот не влияет1т,на чувствительность к положению, но определяет момент пересечения нулевой линии 1 биполярным импульсом, соответствующим скачку напряжения на его входе1, = (о + 1) Тгде и - эквивалентное число интегрирующихЯС-цепей фильтра нижних частот.Для дважды дифференцированных сигналовширокополосного и быстрого усилителей, имеющих двойную полярность, момент пересечения нулевого уровня не зависит от амплитудысигнала.Чтобы фиксировать момент прохождения нулевой линии импульсом...

Номер патента: 381358

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: A61G 10/02

Метки: амн, ссср

...выполнены из эластичного материала. 25На чертеже схематически изображено устройство для компрессии и декомпрессии. Устройство содержит камеру 1, разделенную перегородками на отдельные отсеки. Пере. городки 2 выполнены из эластичного ЗО материала. Каждыи отсек с помощью шлангов г соединен с источником 4 давления и разрежения через блок 5 регулирования давления и вакуума, выполненным, например, в виде золотника и установленным на линии подачи давления и вакуума в отсеки. Блок 5 обеспечивает раздельное регулирование в каждом отдельном отсеке степени давления или разрежения, регулируемой вакуумметрами 6, Края стенок камеры 1 и перегородок 2 заканчиваются одно- или двусторонними фартуками 7, выполненными из эластичного материала и,...