Амн ссср
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 369633
Текст
369633 Ю(6) = - , е12 сЕО 2 х 1 Гсй)ЙЙсй) = 1. 35 р -- 6, з 1 п 6,а,3Для расчета предлагаемого устройства в качестве функции углового распределения рассеянных фольгой электронов возьмем предельную форму, мольеровского распределения (случай предельных мольеровских толщин фольг) - распределение Гаусса:2 Й 2Ф Интеграл выражает условие нормировки. По Мольеру ширина гауссиана К(6) зависит от энергии электронов и характеристик вещества фольги следующим образом:6 о = - (44,8) - о Ь (2 А , ЕЙ+тС 2/ где Л - заряд ядра;Л - атомный вес вещества фольги;о - толщина фольги в г/см 2;Ео - энергия, электронов в Мэв;лгс 2=0,51 Мэв;В - параметр теории Мольера.Расчет показывает, что абсолютная величина угла Оо для предельных мольеровских толщин не превышает 10 - 12.Для предлагаемого устройства коэффициент использования электронов дается выражением: Й 2= 2 С У (Й) Й 1 Й+ 2 к ) а Й) Т (Й) ОШЙо,В этой формуле первый член оценивает долю электронов, дающих:прямой вклад в формируемое поле. Это электроны, рассеянные фольгой в диапазоне углов от 0 до О).Во втором члене а(0) - коэффициент отражения от фокусирующей поверхности для электронов, рассеянных фольгой на угол О.Для оптимальной фокусирующей поверхности коэффициент а(6) будет приблизительно постоянным (близким к единице) для электронов в диапазоне углов от 6=01 до некоторого угла 02= (2,5 - 3)6 о, в пределах которого (от 0=0 до 6=62) содержится 95 - 98% всех рассеянных,фольгой электронов. Искомая оптимальная фокусирующая поверхность 1 реализуется в виде поверхности вращения (см, чертеж) вокруг оси пучка 2 образующейр(р) = ае,При этом ср изменяется от ср= ( 02) до ср=г Е =( 0. Ось пучка совпадает с ср= -г га=сопз 1 определяет при ср=О минимальный радиус входного отверстия фокусирующей поверхности, который выбирается из условия: 41- = 1 д- р-сопз 1 - угол скольжения элек- Ктронов по фокусирующей поверхности, равный углу в плоскости падения между пучком из центра фольги 8 на поверхность и касательной к поверхности в точке падения.Длина фокусирующей поверхности 1 о и диаметр 1)о выходного отверстия будут 10 о=р -- О, созО,; 0,=2 р - " - 6, Х Х з 1 п 61. Толщина стенки д предлагаемого устройства определяется из условия 15 Ясоз 6, д Ясоз 6где Я - пробег электронов. Для оценки коэффициента использования положим а=0,8, а - средний коэффициент отражения для электронов, выравнивающих поле электронов, дающих прямой вклад.Относительную величину угла Оь определяющего угловые размеры поля, определим из нслоэия полного выравн)ивания: выравнигвание идет по всему полю, т. )е. от 0=0 до 6=0, интенсивность порядка %(О). Угол 61 выбирается таким образом, чтобы электронов второй группы хватило для выравнивания поля электронов, дающих прямой вклад, или:2-,.хЮ(О) 6 Ю )2;с(1 - :1,1) Ф(0)ХЮ х с Йю - 2)с сЙ) ЙЙЙ,при этомЙ е,=2 т(11,1)Г 10)ФОЙО)=11 1,1)2 е 240 Для а = 0,8 находим 6) = (1,2 - : 1,3) Оо и коэффициент использования электроновт 1 = 0,9 - 0,85.Прямой вклад в поле дает доля электронов, 45 равная 22121 =22 с К(6)д(6) =1 - е=0,6 - ;0,55,о50и около 25 - 30% всех электронов дает вкладв поле отражения от фокусирующей поверхности,Таким образом, используя при формировании электронных полей тонкие фольги вместес о)птимальнымы фокусирующими металлическими поверхностями, можно при практическиравномерном получаемом поле повысить коэффициент использования электронов в 8 -60 9 раз Предмет изобретенияУстройство для формирования равномерных полей облучения электронами, содержа щее рассеивающую фольгу, отличающеесяедакто каз 811/1 Изд. М 1226 Тираж 523НИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветМосква, К, Раушская наб., д. 4/5 Подписное инистров СССРипография, пр. Сапунова, 2 тем, что, с целью увеличения коэффициента использования электронов пучка, за рассеивающей фольгой установлена вогнутая поверхность вращения, выполненная из электро- проводящего материала таким образом, чтобы угол между касательной к образующей этой поверхности и радиусом-всхтором пз точки пересечения оси пучка с плоскостью фольги к точке касания был одинаков для 5 всех точек поверхности.
СмотретьЗаявка
1659420
МПК / Метки
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-369633-amn-sssr.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Амн ссср</a>
Предыдущий патент: Двоичный регистр на магнитных пороговых
Следующий патент: Постоянный проволочный резистор
Случайный патент: Способ регулирования процесса коагуляции латекса дивинил стирольного каучука