Баскенов
Устройство для контактирования интегральных схем в растровом электронном микроскопе
Номер патента: 1626467
Опубликовано: 07.02.1991
Авторы: Баскенов, Никифоров, Пухкало, Феклистов, Шестаков
МПК: H05K 1/11
Метки: интегральных, контактирования, микроскопе, растровом, схем, электронном
...и блоком зондов.Устройство для контактирования интегральных схем содержит столик 1 и зондодержатель 2 с иглами 3, Зондодержатель 2 связан с электромагнитом 4 посредством толкателя 5 и имеет центральное подвижное кольцо 6, Между зондодержателем 2 и блоком зондов 6 установлено биморфное пьезокерамическое кольцо 7, являющееся составной частью поджимающего узла 8, В состав узла 8 входит также болт 9 и пружина 10,Устройство работает следующим образом,Исследуемая интегральная схема помещается на столик 1, размещенный в вакуумном объеме, Включается электронный луч, и с помощью электромагнита 4 опускается эондодержатель 2 до максимального сближения (но не контакта) игл с интегральной схемой. На пьезокерамические биморфные кольца 7 подаются...
Установка для электронно-лучевой сварки в низком вакууме
Номер патента: 1618549
Опубликовано: 07.01.1991
Авторы: Баскенов, Мохов, Никифоров, Феклистов
МПК: B23K 15/00
Метки: вакууме, низком, сварки, электронно-лучевой
...Камера 3 снабжена вакуумным уплотнением 7, которое обеспечивает герметизацию зоны сварки и стыка 8 свариваемых кромок во время сварки, Блок 9 управления электрически связан с управляющим электродом 10 катодно - анодного узла электронного излучателя 2 и с пьезокерамическими пластинами 5 узла 4 вывода.Поверхность каждой из пластин 5 защищена покрытием из. тугоплавкого материала, в частности из графитового порошка с температурой плавления около 10000 К. Это покрытие сформировано на поверхности пластины 5 втиранием порошка в керамику, Толщина покрытия составляетнесколько сотен микрон и может достигать долей миллиметра, в связи с чем оно сохраняет достаточную плас т ичность и не разрушается при изгибе пластины 5.Установка работает следующим...