Способ нанесения электропроводящего покрытия на стеклянную подложку

) СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРО ПОКРЫТИЯ НА СТЕКЛЯННИО П ЕГО О и. ек Изобретение относится к области полученияпрозрачных электронроводящих покрытий, вчастности к получению прозрачных электродона основе окиси олова, и может быть нспользовано прн изготовлении оптоэлектронныхустройств и средств отображения информацнИзвестен способ получения прозращого элтрода путем катодного распыления в вакуумна стеклянную подложку окислов олова и индия (1 пОэ 50 - 90 вес.%,8 пО 2 - 50 вес.%1 1 Ц 10Однако электрод, полученный этим способом, имеет сравнительно низкое пропускание света в видимой области 70 - 80%, размер частил кристаллов изменяется в широких пределах от 0,3 до 1,6 х 10см, полученные слон имеют малую стабильность и воспроиэводимость элект. рофизнческнх параметров ф 20%).Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является способ получения прозрачного электропроводящего слоя методом термического разложения тетраэтилолова в окислительной среде 2),Известный способ достаточно прост в аппаратурном оформлении, однако для него характерны все недостатки, связанные с химическойинертностью слоя окиси олова, в частностинизкое качество фотолитографического рисунка.Кроме того, для получения приемлемой скорости осаждения процесс проводятпрн температуре 400 - 450 С, вызывающей деформацию,стеклянных пластин и снижение выхода годныхэлектродов. Невысокая скорость осажденияэлектропроводящих слоев снижает производительность процесса.. Целью изобретения является повышение ка.честна фотолитографического рисунка и производительности процесса.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу нанесения злектропроводящего:покрыты на стеклянную подложку путемтермического разложения газовой фазы, содер.жащсй алкильное соединение олова ЯЗп иокислитель, в газовую фазу дополнительновводят соединение индия из группы Яз 1 и илиЯз 1 п 0(СрН) при соотношении Я,Вп; Яз 1 пили Язп.О(СН,) = 1:(0,01 - 0,6), где.Й " СНз,СгНвСэНг г а разложение ведут притемпературе 300 - 350 С.В результате совместного термического разложения алкильного соединения индия (илиВ зЬ 0(СгН,)г и алкильного соединения олова при температуре подложки 300 - 350 С формируется слой, состоящийиз смеси окисловолова и индия в диапазоне: ЯпОг - от 99,2%до 48 вес,%, ЬгОг - от 0,8% до 52 вес,%,в зависимости от соотношения исходных ме. Оталлоорганических соединений (МОС). Сниженйе температуры осаждения стало возможнымвследствие меньшей термической стабильностисоединения индия, а также эффекта совместного каталитического разложения МОС олова ииндия, Значительно выросла скорость осажде.ния слоя. Низкотемпературный процесс получения слоев ЯпОг - пгОз (300 - 350 С) не вызывает деформацию стеклянных подложек,Полученный слой равномерно травится в 20растворе НС 1 (28%) без добавления порошкаметаллического цинка, в связи с этим уменьшается уход размеров, неровность края рисунка.Дефектов типа "невытравленные точки" нет.В результате уменьшается трудоемкость 25процесса формирования рисунка, увеличиваетсяпроизводительность и повышается выход годныхэлектродов.Продукты разложения МОС олова и индия(СОг, НгО) не агрессивны, не изменяют ка. зочества прозрачных электропроводящих слоев.Процесс совместного термического разложенияВд 8 п и Взи (или Вз и О (СгНя)г) характеризуется высокой воспроизводимостью параметров получаемых электродов (+3%). Слои, полученные по предлагаемому способу, имеютповерхностное сопротивление Вз = 500 Ом/сми не требуют дополнительной термообработки,что существенно упрощает процесс и повышаетвыход годных электродов.Предлагаемый способ прост, дешев и универсален, что делает его удобным для промышленного использования. При соотношенииВаап:Взи (или Взи 0(СгНя)г ( 1:0,01осаждают прозрачные электропроводящие слоиокиси олова с содержанием пгОз ( 0,8 вес.%характеризующиеся низким качеством получае.мого на них фотолитографического рисунка.При. соотношении В 48 п В, и (или Взп,10(СгН,)г) ) 1:0,6 получают электропроводя 50щие слои, которые имеют "рыхлую" структуру,по - видимому, с высокой скоростью осаждения,меньшую адгезию к подложке и низкое качест.во фотолотографического рисунка (большойуход размеров, неровность края),Процесс осаждения слоев ВпОг - пгОз прово.дят при температуре подложки 300 - 350 С. Притемпературе подложки ниже 300 С не происхо.дит полного термического разложения МОС олова и индия. При температуре осаждения выше350 С увеличивается деформация стеклянныхподложек и уменьшается выход годных элект.родов,П р и м е р . В качестве подложки используют щелочное стекло с содержанием Наг Ов13,7+0,2%; СаО - 6,8+0,2% размерами56 х 24 х 1,3 мм и 56 х 19 х 1,3 мм (подложки для жидкокристаллических индикаторов).Нанесение прозрачного электропроводящегослоя ЯпРг - пгОэ осуществляют на установке"ЭМ - 347" с горизонтальным реактором щелевого типа при следующих условиях: соотношение (СгН,)4 Бп: (СНз)зи 0(СгНз)г - 1:0,01;скорость подачи аргона 1800 мл/мин; скоростьподачи кислорода 3100 мл/мин; температураподложки 330 С; давление в реакционнойкамере 15 мм рт, ст,; температура испарителяс МОС С. Получают проводящий слой ссодержанием БпОг = 99,2%, пгОг= 0,8%, тол-щиной 800 А. Необходимый топологическийрисунок в слое ЯпОг - пгОз получают методомконтактной фотолитографии с использованиемфоторезиста ФП. Травление производят28%-ной соляной кислотой в течение 200 мин,Параметры процесса и качество получаемыхэлектродов приводятся в таблице. Кроме того,в таблице представлены и другие примеры выполнения. Ввиду низкой упругости пара применение алкильных металлоорганических соединений олова и индия с В = С 4 Нд, С,Н ивыше нецелесообразно,Из таблицы видно, что предлагаемый способ обеспечивает повышение выхода годных электродов (производительность процесса) примерно в два раза и высокое качество фотолитографического рисунка слоев ЯпОг - пг Ог,Полученные слои обладают большой стабиль- ф ностью параметров во времени, а прозрачные электроды, изготовленные на их основе, показывают большой ресурс работы в оптоэлектронных приборах и устройствах отображения информации.Составитель Г. БуровцеваТехред М,Наць Корректор Г. Огар Редактор Г. Волкова Заказ 9828/28 Тираж 508ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раущская наб д, 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", гужгород, ул, Проектная, 4 7, 983096 8Формула изобретения соотношении й 8 п: йэ и или й, пффО(Сиз )г = 1:(0,01-0,6), где й " СНз, СзйСпособ нанесения электропроводящего по-, СзН 7, а разложение ведут при температурекрытия на стеклянную подложку путем терми Зд 0-350 С.ческого разложения газовой фазы, содержащей 5 Источники информации,алкильное соединение олова йд 8 п н окислитель, принятые во внимание при экспертизео т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью 1, Патент Японии У 6316, кл, 21/336,повьппения качества фотолитогрзфического рисун. 1972ка и производительности процесса, в газовую фазу 2, Разуваев Г. А. и др, Металлоорганическиедополнительно вводят соединение индия иэ 10 соединения в электронике", М"Наука",группы йэи или йзпО(СН, )т при 1972, с. 239 - 243 (прототип).