Многоустойчивый элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)М. Кл. 0 11 С 11/00 3 ЬвудэрствйшыВ кфмнтет СССР ав дамм нзобрвтеннй н юткрытнйДата овубликоваиля описания 07.07.82(72) Авторы изобретения Б. Б. Дремов и Б. Л. Останков Специальное конструкторское бюро пишущих-нташин(54) ННОГОУСТОЙЧИВЫЙ ЭЛЕНЕНХ ПАНЯТИ Изобретение относится к запоминаю-:щим устройствам.Известен элемент памяти, имеющий:элементов И-НЕ, выход каждого из ко"торых соединен со входами всех остальных 1. Недостаток элемента состоит в,большом количестве межэлементных свя-твзей. Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является многоИ устойчивый элемент памяти с десятичным выходом, содержащий две группы по десять элементов И-НЕ, первая из которых представляет собой четырехфазный десятичный элемент памяти, а вторая - дешифратор состояний, причем в первой группе элементов И-НЕ выход первого из них соединен со входами пятого, шестого и седьмого,2выход второго соединен со входами шестого, седьмого и восьмого и т,д., т,е. с увеличением номера выходного элемента на единицу; настолько же увеличиваются и номера элементов,со входами которых соединяется выходданного, причем в последовательности номеров вслед за десятым идет первый кроме того, выходы элементов И-НЕ первой группы соединен со входами элементов И-НЕ второй, а именно со входами первого элемента И-НЕ второй группы соединены выходы пятого, шестого и десятого элементов И-НЕ первой группы, входы второго элемента И"НЕ второй группы соединены с выходами шестого, седьмого и первого элементов И-НЕ первой группы, и т.д. увеличивая на единицу значение элемента первой группы, увеличиваем на единицу все значения злементов И-НЕ второй группы, причем за десятым элементом И-НЕ первой группы следует первый 2.выходов элементов И-НЕ Номерасостояний Значения 1"( 5 6 7 8 1 О О 0 .0 0 0 0 1 1 0 О 1, 0 0 О 1 1 1 1 1 1 1 111 1 1 0 0 О 3 1 1 0 1 . 1 0 0 0 О 0 0 0 0 1Ъ 1 0 0 1 1 0 0 О О 0 0 0 0 1 1 0 1 0 О О 0 0 1 О 0 1 1 О 1 О 0 0 О 1 1 1 1 1 3 9121Недостаток элемента заключается в низкой надежности вследствие его сложности, а именно большого коли чества связей.Цель изобретения - повышение надежности элемента за счет упрощения его.Поставленная цель достигается тем, что в многоустойчивый элемент памяти, содержащий две группы по десять элементов И-НЕ, причем выходы элементов И"НЕ первой группы с перво го по четвертый соединены соответственно с первыми входами элементов И-НЕ первой группы с седьмого по десятый и с вторыми входами элементов И-НЕ первой группы с шестого по девятый, выходы элементов И-НЕ первой группы с седьмого по десятый подключены соответственно к первым . входам элементов И-НЕ первой группы с второго по пятый и к вторым входам элементов И-НЕ первой группы с первого по четвертый, первые входы элементов И-НЕ второй группы с второго по десятый соединены соответственно с выходами элементов И-НЕ первой группы с первого по девятый, вторые входы элементов И-НЕ второй группы с первого по пятый подключены соответственно к выходам элементов И-НЕ первой группы с шестого по десятый, а вторые входы элементов И-НЕ второе группы с седьмого по десятый соедьйены соответственно с выходами 13 4элементов И-НЕ первой группы с первого по четвертый, одни из входов элементов И-НЕ первой группы являютсявходами, а выходы элементов И-НЕвторой группы - выходами элемента па.мяти, введен дополнительный элементИ-НЕ, первый вход которого соединенс выходом пятого и вторым входом десятого элементов И-НЕ первой группы, второй вход дополнительного элемента И-НЕ подключен к первому входу первого и выходу шестого элементов И-НЕ первой группы, а выход соединен с первым входом шестого ивторым входом пятого элементовИ-НЕ первой группы и первымвходом первого и вторым входом шестого элементов И-НЕ второй группы,На чертеже изображена функциональная схема запоминающего элемента.Иногоустойчивый запоминающий элемент содержит первую группу элементов И-НЕ 1-10, дополнительный элементИ-НЕ 11 и вторую группу элементовИ"НЕ 12"21,Иногоустойчивый элемент памятиработает следующим образом.Элементы И-НЕ 1-11 образуют элементпамяти на 11 состояний, а элементыИ-НЕ 12-21 - группу формирования выходных сигналов и фиксируют состояния элементов И-НЕ 1-11.8 таблице приведены состояния элементов И-НЕ 1-11.5 94214В предлагаемом многоустойчивом элементе памяти используется десять состояний, соответствующие кодам сос. тояний, приведенным а первых десяти строках таблицы, Например, первому ю состоянию соответствуют единицы на выходах элементов И-НЕ 6 и 11, укаванные в первой строке таблицы.Второму состоянию элемента памяти соот- . ветствуют единицы на выходах элемен тов И-НЕ 1 и 7, выделенные во второй строке таблицы, а другим состояниемсоответствуют выделенные единицы в других строках таблицы.. Технико-экономическое прЕимуществс 1 предлагаемого многоустойчивого элемента. памяти заключается в его более высокой надежности, так как он содер-жит на пятьдесят связей меньше, чем прототип 20формула изобретенияМногоустойчивый элемент памяти, содержащий две группы по десять элементов И-НЕ, причем выходы элементов И-НЕ первой группы с первого по чет-. вертый соединены соответственно с первыми входами элементов И-НЕ первойз группы с седьмого по десятый и с вторыми входами элементов И-НЕ первой группй с шестого по девятый, выходы элементов И-НЕ первой группы с седьмого по десятый подключены соответственно к первым входам элементов И-НЕ первой группы с второго по пятый и к вторым входам элементов И-НЕ первой группы с первого по четвертый, первые входы элементов И-НЕ второй группы с второго по де 3,бсятый соединены соответственно свыходами элементов И-НЕ первой группы с первого по девятый, вторые входы элементов И-НЕ второй группыс первого по пятый подключены соответственно к выходам элементов И-НЕпервой группы с шестого по десятый,а вторые входы элементов И-НЕ второйгруппы с седьмого по десятый соединены соответственно с выходами элементов И-НЕ первой группы с первогопо четвертый, одни из входов элементов И-НЕ первой группы являютсявходами, а выходы элементов И-НЕвторой группы - выходами элементапамяти, о т л и ч а ю щ и й с я тем.что, с целью повышения надежностиэлемента памяти, он содержит дополни 4тельный элемент И-НЕ, первый входкоторого соединен с выходом пятогои вторым входом десятого элементовИ-НЕ первой группы, второй входдополнительного элемента И-НЕ подключен к первому входу первогои выходу шестого элементов И-НЕ первой группы, а выход соединен с первымвходом шестого и вторым входом пятого элементов И-НЕ первой группы ипервым входом первого и вторым входом шестого элементов И-НЕ второйгруппы,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Букреев И.Н., Мансуров Б,М. иГорячев В.И. Микроэлектронные схемыцифровых .устройств. М., "Советскоерадио", 1975, с.208-210.2, Букреев И,Н Мансуров Б,М.и Горячев В.И. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М., "Советскоерадио", 1975, с,309-312 (прототип).942143 Составитель Т.ЗайцеваТехред.Т. Маточка Корректор Г.Решетни ктор С.Ю ПП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная Фи Реда ско Заказ 481/45 Тира ВНИИПИ Государс по делам 113035, Москва, 622 Подлисное венного комитета СССР зобретений и открытий -35, Раущская наб., д.
СмотретьЗаявка
3213918, 20.10.1980
СПЕЦИАЛЬНОЕ КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ПИШУЩИХ МАШИН
ДРЕМОВ БОРИС БОРИСОВИЧ, ОСТАНКОВ БОРИС ЛЕОНИДОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/00
Метки: многоустойчивый, памяти, элемент
Опубликовано: 07.07.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-942143-mnogoustojjchivyjj-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Многоустойчивый элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Резервированное многоканальное запоминающее устройство
Следующий патент: Устройство для измерения периода страйп-структуры в доменосодержащих пленках
Случайный патент: Устройство для прокладки кротовых дрен