Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 374660
Автор: Лвторь
Текст
ОП И-СА"Н И ЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик.Х 1,1970 (1 Ж 1499038/18-24) каявле присоединением заяв-Комитет по делам изобретойий и открыт при Совете й 1 ипистро риоритет -УД К 681,327.66 (088,8) 3. Бюллетень ЪЪ 15исания 21.И, 973 Опубликовано 20 ЛЕ 1.1 ата опубликования Авторыизобретения, Малиновский, Ю. С. Яковлев и А, А. Юрас Институт кибернетики АН Украинской ССРяви ЭЛЕМЕНТ ПАМЯ ол слоя 6 о слоя 7 м слоем, ционного ой шины изоляци(см, фиг. сти магтака для инверсн азрядно Иэооретение отн,нающих устройств.Известные элементы памяти содержат ,магнитные слоирасполаженные одик над другим, изолированные числовую шину счи тывайия и выходную шину, находящиеся между первым крайким и оредним магнитными слоями, изолированные числовую и разрядную шины записи, расположенные между вторыщ крайним и средним магнитныли слоями.Однако записанная информацияа по отношению к информации в р й шине записк.В предлагаемом элементе памяти для записи информации в прямом и инвероном коде по отношению к,информации в разрядной шине записи между числовой и разрядной шинами записи помещена дополнительная шина, овделенная от них изоляционными слоями.На рис. 1 изображена схема предлагаемого устройства, на фиг. 2 и 3 - изменение намапниченноети ферромагнитных слоев, а также временные диаграюмьт при записи в элемент памяти инверсной и прямой информации по отношению и информа 1 ции в разрядной щине записи соответственно,Устройспво состоит из щрвого крайнего 1, среднего 2 и второго крайнето 8 магнит осится к области запоминых слоев, числовой шины записинительной шины 5, изоляционногомежду шипами 4 и 5, изоляционно,между шиной 4 и средним магнитньразрядной шины записи 8, изоляслоя 9 между щинами 5 и 8, числовсчитывания 10, выходной шины 11,онного слоя 12 между шинами 10 иВ основу построенная диаграмм2 и 3) положены закон непрерывнонитяного потока и закон полногоразветвленных магнитных цепей. Наличие импульса тока записи (любой полярности) в разрядной шине записи соответствует информации в разрядной шипе записи , а его отсутствие - соответственно О.При считывании информации по числовой шине считывания 10 падают импульс тока считьввания 1 При этом первый крайний магнитный слой из размагниченного состояния намагничивается ло насыщения в направлении, показаннохт на фиг. 2 и З,в. Согласно закону неттрерьпвности магнитного такамагнитный поток первого крайнего магнитного слоя замьвкается через второй крайний,магнитный слой. Средний магнитный слой, размагничивается под действием собственного,размагничивающего поля,40 45 50 55 60 У=У=У а В результате изменения намагниченности первого к 1 райнего магнитного слоя при действии У, в выходной обмотке 11 цндуктируется выходной сигнал 1. Если элемен г памяти находится в исходном состоянии О (см, фиг. 2 и З,а), то под действием тока считывания намагниченность слоев це изменяется, и в выходной обмотке сигнал отсутствует.Запись информации в инверсном коде по отношению к информации в разрядной шине записи. При записи 1 в числовую шину записи 4 после установления состояния намагниченгности (ом, фиг. 2, в) подают импульс тока записи 1(см. фиг, 2, з). При этом в разрядную шину записи 8 импульс тока не подают (ицформация в разрядной шине записи соответствует О, Ток 1перемагничивает второй крайний магнитный слой, вследствие чего магнитный поток верхнего с,тоя замыкается через средний слой, а нижний магнитный слой размапничивается (см. фиг, 2, г). После установки состояния в дополнительную шину зациси 5 подают импульс линейного тока 1 (см. фиг. 2,з), который меняет цаправление потоков в верхнем и среднем магнитных слоях на обратное. Нижний магнитный слой при этом остается размапниченным (см. фиг. 2, е).При записи О в числовую шину записи 4 подают илпульс тока записк 1, и одновременно в разрядную шину записи 8 - импульс разрядного тока 1(информация в разрядной шипе записи равна 1). Поля этих таков направлены встречно, так что суммарное магнитное поле, воздействующее на верхний магнитный слой, равно нулю. Прц этом намагничеццость всех слоев элемента не меняется (см. фиг. 2, д).Линейный ток У, подают в шипу 5 после разрядного тока и он только подтверждает предыдущее состояние (см. фиг. 2,ж).Запись информации в прямом коде по отношению к информации в разрядной шине записи, Прц записи 1 в числовую шину записи 4 подают импульс тока записи У (ом. фиг. З,з). Одновременно в разрядную шину записи 8 подают импульс разрядного тока 1(информация в разрядной шине соответствует 1), который направлен согласно с током 1 и примерно равен ему по длительности и амплитуде. В этот же момент времени в дополнительную шину зациси 5 подают иыпульс лицейного тока Уь амплитуда которого находится в соответствии с выражен,ием: длительность может быть равна или несколько больше длительности каждого из импульсов Ур, У, Направление тока У,г противоположно направлению токов У, иУ. Эквивалент,ное магнитное поле, воздействующее ца верх 5 10 15 20 25 30 35 ний магнитный слой, перемагцичивает его, вследствие чего магнитный поток верхнего слоя замыкается через средний слой, а нижний слой размагничивается( см. фиг. 3, д). После установки состояния в шину 5 подают второй импульс линейного тока Укоторый меняет направление потоков в верхнем и среднем магнитных слоях ца обратное. Нижний магнитный слой при этом остается размагниченным (см. фиг, 3, ж).При записи О в числовую шину записи 4 подают импульс тока записи 1 . Одцовре. менно в шину 5 подают импульс линейного тока 1(см. фиг. 3, 3). Импульс тока 1 в разрядную шину записи 8 при этом це подают (информация в разрядной шине записи равца О). Магнитные поля токов У и 1, направ лены встречно, так что суммарное магнитное поле, воздействующее на верхний магнитный слой, равно нулю. При этом намагниченност всех слоев элемента це меняется (см. фиг. 3, г) Второй импульс линейного тока 1,2 подают в шину 5 после действия тока 1 и оц только подтверждает предыдущее состояние (см. фиг.3, е),Предлагаемый элемент памяти работает с полными токами считывания и записи. Минимальное значение токов 1 1,1 должно быть больше суммы коэрцитцвной силы магнитного материала слоя и размагццчивающего поля слоя. Для саморазмагничивапия магнитного слоя необходимо, чтобы размагничивающее поле превышало коэрцитивную силу магнитного материала слоя. При этом конструкция элементов це налагает принципиальных ограничений на площадь магнитных слоев и ширину управляющих шин, что позволяет значительно снижать уп. равляющие токи.Для устранения полей рассеивания токо- ведущих шин, возникающих при подаче управляющих токов, на обе стороны элемента может быть помещена изолированная от элемента проводящая фольга, по которой осуществляется возврат токов,Предмет изобретения Элемент памяти, содержащий магнитные слои, расположенные один над другим, изо. лированные числовую цину считывания и выходную шину, находящиеся между первым крайним и средним магнитными слоями, изолированные числовую и разрядную шины записи, расположенные между вторым крайним и средним магнитными слоями, отличающийся тем, что, с целью записи информации в пря мом и инверсном коде по отношению к информации в разрядной шине записи, между числовой и разрядной шинами записи расположена дополнительная шина.374660 Осхооное сосо 7 ояние Пехотное сосюояни,й йсхооноесостояние 1 Осиноесостояние 5 л, 1 гз 1 Р х,х 1г 1 хз 1 Р Л/О 7, / ( л р( л п1 л 2 е г.с е Я.фй-ф, . 5 те цивьйонией Оиипы 5 оние,1 Ьипыоонией 3 опись 1" 30 оись 0 гонисьд 1 1Заказ 246/905ЦНИИПИ Комитета Изд.34делам изобрет Москва, ЖТираж 576ий и открытий при Совете Маушская наб., д. 4/5 Подписностров СССР Тип. Харьк. фил, пр атент е: - О ц / 1 йй 7 1 се 1
СмотретьЗаявка
1499038
Б. Н. МаликоЕский, Ю. С. Яковлев, А. А. Юрасов Институт кибернетики Украинской ССР
Лвторь изобретени
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-374660-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Пленочный магнитный запоминающий блок
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Электромашинный агрегат