Способ получения композиционных фоторезисторов

(19) СИ) К АВТОРСКОМ оптоэлектовано для ение Фотонных Фото влении и евую прощинойкоторой ГОСУДАРСТ 8 ЕННЫЙ НОМИТЕТпО изсБРетениям и ОтнРытияПРИ П 1 НТ СССР.(71) Особое конструкторское бюро "Регистр с опытным производством Института Физики АН АЗССР(54) СПОСОБ ПОЛУЧГНИЛ КОМПОЗИЦИОННЫХФОТОРЕЗИСТОРОВ Изобретение относится кронике и может быть.использсоздания Фоторезисторов,Цель изобретения - повышчувствительности композициорезисторов,Способ осуществляют следующим образом.Полимерный порошок обрабатываютэлектрическим разрядом в воздушнойсреде при атмосферном дакомнатной температуре.На чертеже показана установкадля обработки порошка.Установка содержит кварцбирку диаметром 15 мм с толстенок 1 мм, на поверхность 51)5 С 08 г 3/28,С 08 1. 23/00(57) Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания фоторезисторов, Изобретение позволяет повысить ФотГгчувствительность до значений 9 ф 10, что достигается смешением порошков полимеров полиолефинового ряда, предварительно обработанных в поле барьерного разряда при нормальном атмосферном давлении, относительной влажности воздуха 572 и частоте паля 50-100 Гц с напряженностью поля (1,0-2,5) Г , где Е- пробивная прочность воздуха при указанных условиях в течение 1,5-2,5 ч, с порошком фотопроводников Сс 1 Б или СЛБе при соот- а ношении компонентов, об. полимер 60; ф фотопроводггик 40. 8 табл 1 ил. нанесен заземленныи электрод 2, приэтом высоковольтный электрод 3 диа Ъметром 2 мм пропущен в пробирку через МеамФторопластовую втулку 4, которыеобеспечивают соосность электродов иих электрическую изоляцию. Зазор между электродом 3 и внутренней поверхностью пробирки заполняют полимернымпорошком, Электрический разряд возникает в системе высоковольтный электрод - воздушный зазор, заполненныйпорошком, - кварцевая стенка пробир- иЗьки - заземленнЫй электрод, Т.к. емкость зазора, заполненного порошком,меньше емкости кварцевой стенки, топриложенное переменное высокое напряжение частотой 50 Гц падает практичес 1641834ки на зазор, Толщина слоя полимера при обработке не играет роли, так. как интенсивность обработки определяется напряженностью электрического поля (1,0-2,5) Е, а не толщиной полимерного слоя. Частицы порошка полимера имеют средний диаметр 1-10 мкм. Разряд возникает в воздушных микро- прослойках между частицами порошка. 30 ения фо и различотки для Разряд, возникающий в указанной системе т.е. при наличии, кроме воздушного зазора, еще диэлектрического барьера (кварцевая стенка), называется барьерным разрядом. Затем при определенном объемном соотношении смешивают обработанный полимерный порошок и фотопроводиик, получают смесь. Из смеси прессуют образцы в виде дисков толщиной 80 мкм и диаметром 10 мм при давлении 10-15 МПа и температуре 443"493 К, Образцы выдерживают нод давлением в течение 10 мин, а затем охлаждают в воде со 25 скоростью 2000 град/мин до.комнатной температуры, Температурный интервал прессования зависит от величины температуры плавления выбранного полимера для каждой конкретной композиции. В процессе прессования к образцам припрессовывают электропроводящие стекла. Темновой и световой ток изеряют с помощью электрометрического усилителя. Образец освещают через один из электродов белым светом от лампы накаливания. Интенсивность света 6,3 мВт/смп.Изобретение иллюстрируется следующими примерами.П р и м е р 1, Полимерный порошок полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) смешивают с порошком полупроводниковых фотопроводников СЙБ (40 об.Х). Из смеси получают образцы горячим прессованием при 453 К и давлении 15 МПа в течение 5 .мин, фоточувствительность образцов составляет 1/1 т 5 104П р и м е р 2, Полимерный порошок ПЭВП, обработанный электрическим разрядом в течение 30 мин, смешивают с порошком СИБ (40 об,7)Условия получения образцов идентичны примеру 1. Фоточувствительность составля-. ет 8104В табл. 1 приведены энач 5точувствительности 1/1 т пр ном времени разрядной обраб композиции ПЭВП + СЙБ (40 об,Х). Напряженность поля во всех примерахсоставляет 2 Е я (где Е - - пробивпная прочность воздуха),П р и м е р 3. Полимерный порошокполипропилена (ПП) смешивают с порошком СЙБе (40 об.7). Из смеси получаютобразцы горячим прессованием при473 К и давлении 15 ИПа диаметром10 мм, толщиной 80 мкм, Фоточувствительность равна 610П р и м.е р 4Полимерный порошокПИ, обработанный электрическим разрядом в течение 30 мин, смешиваютс порошком СЙБе (40 об.Ж). Условияполучения образцов идентичны примеру 1,фоточувствительность составляет9 4 10В табл. 2 приведены значения фоточувствительности 1 /1 - при различномвремени разрядной обработки для композиции ПП + СИБе (40 об,Х),В табл. 3 приведены значения1/1 г для компоэитов ПЭВП + СдБ(40 об.7) при различных средних размерах частиц полимера.В табл. 4 приведены значенияотношения 1 /1 при различных времени обработки полимера в разряде причастоте 50 и 100 Гц для композицииПЭВП + СЖ (40 об,7). Остальные данные приведены в табл. 5-8,иэобретениормСпособ получения композиционных фоторезисторов путем смешивания полимерного порошка с порошком фото- проводника н горячего прессования полученной смеси при температуре плавления полимера, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения,фоточувствительности, в качестве полимеров используют порошки полиолефинов, а в качестве фотопроводника - порошки СЙБ или СЙБе при соотношении компонентов, об,7.:Полиолефин60Порошки СйБ или СИБе 40 причем сначала порошок полиолефина обрабатывают в поле барьерного разряда при нормальном атмосферном давлении, относительной влажноСти воздуха 57 Е и частоте поля 50-100 Гц с напряженностью поля, равной (1,0- 2,5) Еп, где Епр - пробивная прочность воздуха прн указанных вьппе условиях, в течение 1,5-2,5 ч с последующим смешением компонентов,,9 10 7,710 б 8 1 СГо 8,210 7,8.10 ст Та блица 4 Частота50 Гц100 Гц 8 109 10 ф 5 105 104 1 10 4 10 1,8 106 5 1 О 2 10 11 О 8 10 6 .1 О8,1.1 об 7.108 5,4 10 Табл иц а 5 Давлениее,атм 0 2 2,252,5 3 47,81 О 6,8 106 1 Об 2 106 104.,810 б Таблица 6пряже 5 2,5 3 ость 5 1 1,5 л 10 7б 10 "0 в 4 10 10 3 10.Ю10 4 106,3 10 ь 8,2Редактор М, Недолуженко ректор О, 11 ипл аэ 1123 3 одписно сударственного комитета и м при ГКНТ 113035, Москва, ЖНИИПИ о изобретениям и открытия 35, Раушская наб., д. 4/5 дательский комбинат.Патент", г.Ужгород, ул. Гагарин Производстве Влажность,Е 1,5 Ед, 2 Епр