Матричный накопитель для запоминающего устройства

СООЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 1 (11 1 С 114 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕТЕЛЬС Н АВТОРСКОМУ 47онный институт ое ЗУПВ емкоапасами работоника, 1981,ЗАПОМИ ЛЬ к второячейкивто-Ф ыис первыи и второи затво го ключевого МДП-тран памяти матричного нак ст ителя, абразует ш тся к вычисл онная шина матричного рая диффуэсчитывания.4 ил. наз чено длятройствах.повышение накопителя. ых у ется ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(56) 1 ен. Д. Динамическстью 64 К с большими зспособности. - ЭлектроУ 8, с. 62-69.ЕЕЕ Тгапз., 1979,р. 839-852,(54) МАТРИЧНЬЙ НАКОПИТНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА(57) Изобретение отнотельной технике и предиспользования в цифроЦелью изобретения явл степени интеграции матричного накопителя. Для этого в матричный накопитель введены вторая полупроводниковая область р-типа проводимости и вторая полупроводниковая шина р -типа проводимости, расположенная на второй полупроводниковой области и участке перво, го слоя диэлектрика, примыкающего к краю канавки, Участки второй полупроводниковой шины, расположенные на второй полупроводниковой области, диффузионная область, каждая металлическая шина и полупроводниковая подложка образуют соответственно исток,136162 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано, в частности, при построенииоперативных запоминающих устройств.Цель изобретения - повышение степени интеграции,На фиг. 1 показана структура матричного накопителя в направлениистроки, поперечный разрез; на фиг.2 - 1 Оразрез Л-А на фиг, 1; на фиг. 3 -разрез Б-Б.на фиг.1; на фиг.4 - эквивалентная схема запоминающего элемента матричного накопителя.Матричный накопитель содержит полупроводниковую подложку 1 р-типаэпитаксиальный слой 2 р-типа проводимости, первые диффузионные шины 3и -типа, первые диффузионные области+4 п -типа, канавки с боковыми поверхностями 5, первый слой 6 диэлектрика,металлические шины 7, вторую полупроводниковую область 8 р-ти 1 а, второйслой 9 диэлектрика, контакт 10 второйполупроводниковой области 8 с полупроводниковой подложкой 1, вторые полупроводниковые шины .11 рф-типа,контакт 12 второй полупроводниковой области 8 с второй полупроводниковой ши.ной 11, канал 13 первого ключевого ЗоМДП-транзистора 14, запоминающий конденсатор 15, второй ключевой МДПтранзистор 16, шину 17 выборки, шину18 записи и шину 19 считывания. Накопитель работает следующим образом.Подложка 1 соединяется с нулевой шиной, Информация в запоминающем элементе хранится в виде напряжения на запоминающем конденсаторе, образован ном емкостью р -и -перехода между подложкой 1 и областью 4 и+-типа. В режиме хранения напряжения на шинах 17-19 равны нулю и оба транзистора 14 и 16 закрыты. Конденсатор 15 отключен 5 от шин и хранит информацию: низкий (нулевой) уровень напряжения П соответствует логическому нулю, а высокий Р - логической единице. Двухзатворный транзистор 16 закрыт при сквозном 5 Ообеднении носителями слоя.При считывании на шины 18 записи подают нулевое напряжение, на шинах 19 считывания предварительно устанавливают напряжение У , которое по окончании импульса установки поддер,живается емкостью шины, После этого подают отрицательный импульс ампли" тудой Пя,на шину 17 выборки, .Тран 8 2зистор. 16 отпирается в случае храйения логического нуля, и напряжениена шине 19 понижается. В случае хранения логической единицы транзистор16 остается закрытым, а напряжениена шине 19 не изменяется,В накопителе считывание является неразрушающим, так как при считываниизапоминающий конденсатор не связан сшиной столбца и напряжение на нем сохраняется,Предлагаемый накопитель позволяетдостигнуть большой степени интеграции, так как площадь, приходящаясяна один запоминающий элемент, ограничивается разрешающей способностьюфотолитографии, а сигнал считыванияне зависит от емкости запоминающегоконденсатора,Формула изобретения Матричный накопитель для запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку р -типа проводимости, диффузионные области и -типа проводимости, расположенные в приповерхностной области полупроводниковой подложки, эпитаксиальный слой р-типа проводимости, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки, диффузионные шины п -типа проводимости, расположенные в приповерхностной области эпитаксиального слоя над диффузионными областями п - типа проводимости, канавки, выполненные в эпитаксиальном слое и приповерхностной области полупроводниковой подложки, боковые стенки канавки,соприкасающиеся с диффузионными шинами и областями и -типа проводимости, первый слой диэлектрика, расположенный на поверхностях эпитаксиального слоя и канавки, металлические шины, расположенные на поверхности первого слоя диэлектрика, причем полупроводниковая подложка и диффузион-. ные области и+-типа проводимости образуют соответственно первый и второй электроды запоминающих конденсаторов, диффузионные области и -типаф проводимости, участок диффузионной шины, расположенный над диффузионной областью и -типа проводимости, и4участок металлической шины, расположенный внутри канавки, образуют соответственно сток, исток и затвор клю з 13616284 чевого МДП-транзистора, диффузионные электрика, примыкающего к краю канав- шины и -типа проводимости и металли- ки, второй Слой диэлектрика, располоческие шины образуют соответственно женный на поверхностях второй полу- шины записи и выборки, о т л и ч а ю - проводниковой области и второй полу 5щ и й с я тем, что, с целью повы- проводниковой шины, причем участки шения степени интеграции матричного второй полупроводниковой шины, раснакопителя, в него введены вторая положенные на второй полупроводникополупроводниковая область р-типа про- вой области, первая диффузионная обводимости, расположенная на поверх ласть и"-типа проводимости, каждая нОсти полупроводниковой подложки металлическая шина и полупроводниковнутри канавки, вторая полупроводни- вая подложка образуют соответственно ковая шина р -типа проводимости,рас- исток, первый и второй затворы и положенная на поверхности второй полу- сток второго ключевого МДП-транзиспроводниковой области р-типа прово тора, а вторая диффузионная шина обдимости и участке первого слоя ди- разует шину считывания,13 б 1628 оставитель В. Венковехред М.Дидык Корректор М ктор В, Пе 7/52 ТписноВНИИПИ Госуд ираж 588 Подарственного комитета СССРч ч4/ ка