Установка для маркировки изделий
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(19) (11) 02 В 27/44 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ СВИДЕТЕЛЬСТВУ А ВТОРСКО координаты точки эл Р 14й физики АН ССС а А моно кий, Сиса оекци начал ниловСойцентре ложенно ц соя 0 гол п(56) Дж. Реди. Промьппленные примене ния лазеров. М,: Мир, 1981, с. 459.Там же, с. 460,на опти т.е. уг лучом и ескии элемент между падающим нормалью к плостического элекости мента; радиус МАРКИРОВКИ ИЗ и фазовый л и ч а ю -(54) (57) УСДЕЛИЙ, содеоптическийщ а я с я КА ДЛЯ его на элеа ащая емен мент пучка; 2 ев марке; в марке; осью Оц и о, с овьпп ем ния конструкции идействия при сохраоптический элемент 2(цап ении ом точки меренныи в р аходящийся в (0,2 и), ц= пласт й оп ажающеи зон анах и нтервале и рельеф зон которажением=ц соя г(ц,ч)= -и 81 п 91 ЪЗ т 1. - й то плоскост сстояни и марк птического элемент зО й наты проекци марки на пло- ко точкикость омента; 2с(ц,ч 2и - (1. - 1)агсд И эл еск ное число- натура- длиналазера ьефа в точке ческого элевысота р(ц,ч) оп де г(ц фВ олны излучения ента;(71) Институт общи МГУ им. М.В. Ло(53) 535.312(088. целью упрощения быстроКПД, фазовыйнен в виденки, формасывается вымента в системе координат с осью Оц, направленной противоположно падающего лучам координат влемента, распоо в области,130397Изобретение относится к маркировке изделий с применением лазерного излучения и может быть использовано для одномоментного нанесения марки, состоящей из заданной конфигурации точек или для одномоментной пробивки заданного набора отверстий,Цель изобретения - упрощение конструкции и повышение быстродействия при сохранении КПД.На фиг. 1 изображена схема установки; на фиг. 2 - сечения фазовых зонных элементов; на фиг. 3 - амплитудные маски фазовых зонных элемен 15 тов и вид марок, создаваемых установками, содержащими эти элементы (плотность почернения на маске пропорциональна высоте рельефа).Установка включает (фиг, 1) лазер 1, работающий в импульсном или непрерывном режиме, и фазовую отражающую зонную пластинку 2, направляющую лазерное излучение на маркируемое изделие 3 и создающую требуемую марку 4. При этом отражающая зонная пластинка 2 имеет форму и рельеф зон, которые описываются выражением г(ц,ч) =11 тЪ -ц з 1 п 0ш 2 созо при 2 Я 271 1 - (1.-1) с агсТ (ц ч)с (2) И г Ф35 где к(ц,) - высота рельефа в точке (ц,ч) оптического элемента; ц,ч - координаты точки элемента в системе координат с осью Оц, направленной противоположно проекции падающего луча, и началом координат в центре элемента, расположенного в области ц созг 0 +г с рг где 6 - угол падения излучения50 на оптический элемент, т.е. угол между падаю - щим лучом и нормалью к плоскости оптического элемента;55 К - радиус падающего на элемент пучка; .=1,2И - номер точки в марке;И - число точек в марке;7агсС(ц,ч) ц ч; угол между осью Оц и радиус-вектором точки (ц, ч), измеренный в радианах и находящийся в интервале (О, 2 Т);1ц =ц соз 8;расстояние от .-й точки марки до плоскости оптического элемента; координаты проекции .-й точки марки на плоскость оптического элемента;ш=1,2М - натуральное число;- длина волны излучениялазера 1;1 А - дробная часть числа А.Установка работает следующим образом.Луч лазера 1 направляется на фазовую отражающую зонную пластинку 2 и отражается от нее на маркируемое изделие 3, На зонной пластинке волновой фронт излучения формируется так, что после отражения от пластинки на маркируемом изделии создается изображение в виде требуемой марки 4. Таким образом, оптический элемент 2 преобразует волновой фронт падающего излучения в волновой фронт, обеспечивающий создание марки. Оптический элемент расположен в плоскости Оц, причем центр элемента находится в начале координат Требуемая марка состоит из И точек, находящихся соответственно на расстояниях Х от плоскости Оцч. Проекции точек марки на плоскость Оцч имеют координаты ц;,ч; (= =1И). Во все точки марки фоку - сируется одинаковая энергия. Поверхность элемента 2 разбита на части С;. Каждая часть элемента фокусирует падающее на нее излучение в отдельную точку марки. Форма рельефа рассчитывается так, что все падающее на отдельную часть элемента излучение направляется в выбранную точку марки при произвольном заданном угле падения излучения на элемент. Части выбраны в виде секторов. При этом часть С содержит точки (ц,ч), удовлетворяющие условию (2). Такое разбиение обеспечивает равномерное распределение энергии по точкам марки для пучка с осесимметричным распределением интенсивности,Чтобы после отражения от части С элемента 2 излучение сфокусировалось13 О 3 в д-ю точку марки 4, плоскости Оцч должен (здесь (ц,ч) б С; ) его эйконал вбыть равен+ сопя. Ь(ц,ч)= -ц яп 6 . ц я 1 пв +сопят оматичес ныэйй оизвольного задан о марки аюивности ос создана устаческий фазовый ного етодом н ифрСО -отГ виде букв и вка содержирасстояни мого издели ть выбрано ые части С,оизвол 3.1,(ц у): Р+(ц ц, )2+(,-, )г+ Излучение большинства мощных лазерных источников, используемых в настоящее время, имеет плоский волновой фронт, Лазерный луч падает под Цри использовании мкого излучения с длиноконал определен с точичин, кратных 3 . Поэтомличину сопят, можно пщую поверхность профилной пластинки, высотане превышает ш 2 сояформирует то же самоерельефа такой пластинвыражением (1),Кроме того, можетразбиение на пр остью до велиу, подбирая ве лучить отражаю ированной зонрельефа которо 6 и которая поле. Высота и определяется 3977углом 0 к оси Ог (ось Ог перпендикулярна плоскости Оцч, а ось Оц направлена противоположно проекции падающего луча на плоскость Оцч). Отсюда 5. эйконал падающего волнового фронта вплоскости Оцу Уравнение гладкой зеркальной поверх 10 ности г=я(ц,ч), преобразующей эйконал в Ь(ц,ч) в эйконал ц;(ц,ч), есть При этом можно достигнуть любого рапределения интенсивности по точкам распределения интен щего пучка.В качестве приме новка, в которой оп элемент изготовлен рельефа с марками в (фиг. 2 и 3). Устан лазер (Л =10,6 мкм элемента до маркиру равно 300 мм.сное 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектна 7 Тираж 522 НИИПИ Государственногопо делам изобретений 3035, Москва, Ж, Рау Подкомитета СССРи открытийская наб., д.
СмотретьЗаявка
3793102, 26.09.1984
ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ АН СССР, МГУ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
ГОНЧАРСКИЙ АЛЕКСАНДР ВЛАДИМИРОВИЧ, ДАНИЛОВ ВИКТОР АНАТОЛЬЕВИЧ, ПОПОВ ВЛАДИМИР ВИКТОРОВИЧ, СИСАКЯН ИОСИФ НОРАЙРОВИЧ, СОЙФЕР ВИКТОР АЛЕКСАНДРОВИЧ, СТЕПАНОВ ВЛАДИМИР ВАДИМОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G02B 27/44
Метки: маркировки
Опубликовано: 15.04.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/4-1303977-ustanovka-dlya-markirovki-izdelijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка для маркировки изделий</a>
Предыдущий патент: Коллиматор
Следующий патент: Репродукционный объектив когерентного процессора
Случайный патент: 231914