Устройство согласования

(6) Н 03 К 19/091 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЬСТ К АВТОРСКОМУ СВИД ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТЬЮ(56) 1.Сиз(.ош 1 С 1)ез 1 ап Мапиа 1,РоогйЬ Ейдй 1 оп, НочешЬег, 1981,р. 4-27.2, Авторское свидетельство СССР(54) (57) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ,содержащее каскад управления, входной двухколлекторный транзистор,эммитер которого соединен с общейшиной, база - с первым входом, первый коллектор - с базой первоготранзистора выходного каскада, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй коллектор входноготранзистора соединен через резистивный делитель с шиной питания, средняяточка резистивного делителя подключена к базе второго транзисторавыходного каскада другого типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной питания, а коллекторпервого транзистора выходного каскада - с выходной шиной, о т л и -ч а ю щ е е с я тем, что, с цельюувеличения быстродействия, оно дополнительно содержит двухэмиттерный и трехколлекторный транзисторы,причем коллектор двухэмиттерноготранзистора подключен к шине питания,база - к первому коллекторутрехколлекторного транзистора и первому выводу первого резистора, другой вывод которого соединен с шинойпитания, первый эмиттер через второй резистор соединен с вторым коллектором трехколлекторного транзистора и базой первого транзисторавыходного каскада, второй эмиттерчерез третий резистор подключен кбазе двухколлекторного транзистораи к третьему коллектору трехколлекторного транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база -с вторым входом устройства, коллектор второго транзистора выходногокаскада соединен с выходной шиной,1 11389Изобретение относится к импульсной технике, в частности к микро-. электронике и вычислительной технике, и предназначено для согласова" ния цифровых устройств с инжекционным питанием с линиями передачи коллективного пользования.Известно устройство с тремя устойчивыми состояниями для согласования элементов с инжекционным пита- О нием с линиями коллективного пользования и .Недостатком устройства являются большая потребляемая мощность и недостаточное быстродействие из-за 15 большого числа инвертирующих каскадов.Известно также устройство согласования, содержащее входной двухколлекторный п-р-п-транзистор, выход ной инвертор и схему управления состоянием "Выключено", построеннуЫ на двух резисторах и двухколлекторном р-п-р-транзисторе 12 .Недостатком известного устройства 25 является невысокое быстродействие по состоянию "Выключено", Это обуславливается двумя факторами: в качестве элемента управления применяется медленный р-п-р-транзистор; формиро- Зо ванне п-р-и- транзистордв известного устройства за единый технологический цикл с инжекционными структурами исключает процесс легирования золотом, уменьшающий, время жизни неосновных носителей, что приводит к увеличению времени выключения нижнего транзистора выходного инвертора из насыщенного режима при переходе устройства в состояние "Выключено". 42 2 двухэмиттериом транзисторе в качестве .управляемого генератора тока дает возможность повысить быстродействие устройства согласования по входу управления вследствие лучших динамических характеристик как самого п-р-п-транзистора, так и эа счет того, что транзистор работает как эмиттерный повторитель, а такое включение обладает наилучшим быстродействием. Трехколлекторный транзистор на входе управления не только переключает генератор тока, но и создает ниэкоомную цепь для разряда избыточного заряда, накопленного в базах входных транзисторов, чем спо" собствует быстрому выходу их из насыщения. На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства согласования.Устройство согласования содержит схему 1 управления состоянием "Выключено", построенную на резисторах 2 - 4, трехколлекторном п-р-п- транзистрре 5 и двухэмиттерном и-р-п-транзисторе 6, входной двухколлекторный п-р-и-транзистор 7 и выходной,инвертор 8 на резисторах 9 и 12 и транзисторах 10 и 11.В предлагаемом устройстве информация с внутреннего инжекциониого вентиля поступает на базу транзисЦель изобретения - увеличение быстродействия устройства согласования с тремя устойчивыми состояниями.Поставленная цель достигается тем, что в устройство согласования, содер жащее каскад управления, входной двухколлекторный транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, база - с первым входом, первый коллектор - с базой первого транзистора 50 выходного каскада, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй коллектор входного транзистора соединен через резистивный, делитель с шинбй питания, средняя точка резистивного 55 делителя подключена к базе второго транзистора .выходного каскада другого . типа проводимости, эмиттер которого соединен с шиной питания, коллекторпервого транзистора выходного каскада с выходной шиной, дополнительно введены двухэмиттерный и трехколлекторный транзисторы, причем коллектор двухэмиттерного транзистора подключен к шине питания, база - кпервому коллектору трехколлекторного транзистора и к первому выводу, первого резистора, другой вывод которогосоединен с шиной питания, первый эмиттер через второй резистор соединен с вторым коллектором трехколлекторного транзистора и базой первого транзистора выходного каскада, второй эмиттер через третий резистор подключен к базе двухколлекторного транзистора и к третьему коллектору трехколлекторного транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной,.а база - с вторым входом устройства, коллектор второго транзистора выходного каскада соединен с выходной шиной. ,Организация схемы управления на11389 3тора 7, который управляет режимомработы выходных транзисторов 1 и 1 О,С коллекторов транзисторов10 и 11 информация подается на внешний вывод интегральной схемы и посту 5пает в линию коллективного пользования. Транзистор 5., на базу которого с внутреннего инжекционного вентиля поступает сигнал управления состоянием устройства согласования, 0управляет работой. генератора токана транзисторе 6, который задаетбазовые токи транзисторов 7 и 11.Устройство работает следующимобразом. 351(огда на вход управления подается низкий уровень напряжения, запирается. транзистор 5. На базе транзистора 6 формируется высокое напряжение, приводящее к его отпиранию, 20Если теперь на вход устройства, подключенного к коллектору инжекционного и-р-и переключающего транзистора поступит сигнал "логическая 1", т.е. инжекционный транзис тор закрыт, то эмиттерный ток транзистора 6 открывает и насыщает транзистор 7, который шунтирует базоэмиттерный переход транзистора 11 изапирает его. Одновременно транзис тор 7 током своего второго. коллектора,протекающего через резистивный делитель из резисторов 9 и 12, создает смещение на резисторе 9, достаточное для отпирания и насыщения трен зистора 10. На выходе устройства формирубтся уровень напряжения "логическая 1" (11 у =. 1- Цэ 1, ).Если на вход устройства приходит низкий. уровень напряжения П ц напря"40жение насыщения инжекционного транзистора), то транзистор 7 запирается, так как эмиттерный ток,транзистора 6 ответвляется в насыщенный инжекционный уранзистоР. ЗапиРание 45 транзистора 7 приводит к значительному изменению тока через резисто,ры 9 и 1.2, что способствует запира 42 4нию транзистора 10. Процесс запирания ускоряется с помощью резистора 9, через который происходит рассасывание накопленного,в базе р-и-ртранзистора 10 заряда. Эмиттерный ток транзистора 6, поступающий в базу транзистора 11 при закрытом, транзисторе 7, отпирает его. Транзистор 11 входит в режим насьпцения и на выходе устройства формируется низкий уроовень напряжения (Уэ" дэнн ) фПри поступлении на вход управления высокого уровня напряжения, транзистор 5 открывается и входит в режим насыщения. На коллекторах транзистора 5. формируется низкий уровень напряжения, запирающий транзисторы 6,7 и 1 независимо от уровня входного сигнала. Отсутствие коллекторного тока транзистора 7 приводит к запиранию транзистора 1 О.и на входе устройства формируется третье состояние - состояние "Выключено".Таким образом, повышение быстродействия достигается применением в качестве управляемого генератора тока двухэмиттерного и-р-и-транзистора, отличающегося лучшими динамическими.характеристиками. Повышения быстродействия перехода в третье1 состояние способствует также наличие ниэкоомной цепи рассасывания избыточного заряда в базах,транзисторов 7 и 11 через насыщенный транзис" тор 5. Применение предлагаемого устройства .согласования, обладающего малым уровнем потребляемой мощности, высо" ким быстродействием в качестве буферных схем на выходах БИС с инжекционным питанием, выполненной на этой же полупроводниковой подложке, позволяет организовать непосредственную работу БИС на линии передачи.информации коллективного пользования беэ установления дополнительных микросхем магистральных передатчиков.Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул.Проектная,И Росударс делам изоб 5, Г 1 осква,комитета СССР открытии ушская наб., д.