Накопитель для запоминающего устройства

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИН 10324 Мп а 11 С 11 Т СССРТНРЫТИЙ НИЯ " Н ДВТОРСНО СВИДЕТЕЛЬСТ 1(р ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ ПИСАНИЕ ИЗ(71) Специальное конструкторско-технологическое бюро Донецкого физикотехнического интститута АН У аинской ССР(5 (57) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий слой магнитоодноосного материала, на которомрасположены регистры хранения и каналввода-вывода информации, выполненныев виде отдельных изолированных другот друга двухслойных проводников с периодически чередующимися отверстиями и торцовыми вырезами, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюповыщения надежности накопителя и повышения быстродействия путем нераз.рущающего считывания информации, онсодержит на слое магнитоодноосногоматериала реплигсатор цилиндрическихмагнитных доменов, выполненный в видедвухслойного проводника, в торцахкоторого выполнены вырезы, совмещен"ные с торцовыми вырезами в двухслойных проводниках регистров хранения иканала ввода-вывода информации, причем соответствующие стороны торцовыхвырезов в отдельных слоях двухслойного проводника репликатора цилиндри- Яческих магнитных доменов со стороныпвухслойного проводника канала вводавывода информации выполнены пересекающимися, 1032479Изобретение относится к нычислй.тельной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЩЯ) .Известен накопитель для запоминающего устройства, содержащий слой магнитооднобсного материала, на которомрасположены изолированные друг от дру.га двухслойные проводники с .периодически чередующимися отверстиями, об- (Оразующими регистры хранения и каналввода-вывода информации 11.Недостатком этого накопителя является низкая надежность.Наиболее близким к предлагаемому 15является накопитель для запоминающегоустройства, который содержит слой магнитоодноосного материала, на которомрасполокены регистры хранения и каналь-,ода-вывода информации,н виде отдельных изолированных другот друга двухслойных проводников спериодически чередующимися отверсти"ями и торцовыми вырезами, В данномнакопителе обмен информацией междурегистрами хранения и каналом внодавынода информации осуществляетсячерез переход который выполнен нвиде периодически чередующихся отверстий. Отверстия перехода одногослоя смещены на 0,25 периода относительно отверстий другого слоя Отверстия регистрон хранения и канала:ввода-вывода ЦМД, сопряженные с переходом( выголнены н разных слояхсоосно наложенными друг на друга иимеют разные размеры н каждом изслоен соответственно 1 2 ),Недостатком такого накопителя является разрушейие информации в ре гистрах хранения при считынании. 40Цель изобретения - повышение на.- дежности накопителя и поныщениебыстродействия путем неразрущающегосчитывания информации.Поставленная цель достигается 45тем, что н накопитель для запоминающего устрой стна, содержащий слоймагнитоодноосного материалами на котором расположены регистры храненияи канал ввода-нывоца информаггии( ны 50полненные в виде отдельных изолированных друг от друга двухслойныхпроводников с периодически чередующимися отверстиями и торцовыми ныгезамисодержит на. слое магнитоодно-,осного материала репликатор ЦМД выполненный н виде двухслойного проводника, в торцах которого выполнены вырезы, совмещенные с торпонымивырезами н двухслойных проводникахрегистров хранения и канала нводавывода информации, причем состнетстнующие стороны торцовых вырезов в отдельных слоях двухслойного проводника репликатора ЦМД со стороны двухслойного г 1 онодника канала Ввода вывода информации выполнены пересекающимися.На чертеже изображена конструкцияпредлагаемого накопителя для запоминающего устройстна.Накопитель содержит канал. 1 вводавынода информации, регистр 2 хранения информации и репликатор 3 ЦМД,,выполненные н виде изолированных другот друга двухслойных проводниковсоответственно 1 и 1, 2 и 2, 3 и 3,(расположенных на слое магнитоодноосного материала 4. Регистр 2 хранения информации выполнен в виде периодически чередующихся отверстий 5 и б(4в проводниках 2 и 2, Отверстия 5сдвинуты относительно отверстий б начетверть периода. На торцах проводников 2 и 2", обращенных к репликатору 3, выполнены вырезы 7 и 8, 9 и 10,(ксовмещенные с вырезами 7 и 8, 9 и 10н проводниках репликатора 3, и 3,образуя отверстия 7-10. На другихторцах проводников репликатора Зи6(со стороны канала 1 ввода-вывода информации также выполены вырезы 11( и12, совмещенные с вырезами 11 и 12,выполненными н проводниках канала 1ввода-вывода ЦМД 1 и 1, образуя отверстия 11 и 12. Причем сторона выреза 11 репликатора 3, обращенная крегистру хранения, выполнена пересекающейся относительно соответствующейстороны выреза 12 . В проводниках( 1(1 и 1 канала 1 ввода-вывода выпол"нены периодически чередующиеся отвер-.стия 13-16, по сторонам которых перемещаются ЦМД 17. Устройства генера"ции и детектирования доменов, а также внешние управляющие устройства начертеже условно не показаны.Работа накопителя основана на вза"имодейстнии ЦМД с локальными магнитными полями, создаваемыми протекающим,по проводникам током на стоРонахотверстий 5-16,ЦМД 17 зарождаются н канале 1ввода-нывода, и за счет подачи впроводники 1 и 1 двухфазныхразнополярных импульсон продвигаютсяпо сторонам отверстий 13-16 вдоль канала 1 ввода-вывода информации.Ввод ЦМД 17 в регистр 2 храненияинформации осуществляется с верхнейстороны отнерстия 13 канала 1 ввода-нывода информации. В проводники1 и 1 подаются двухфазные раэнополярные импульсы тока и ЦЯЯ 17 йоследовательно перемещается к нижним сторонам отверстий 14 и 13 и далее к вырезам 12 ии 11.При подаче двухфазныхИразнополярных импульсов тока в пррводниках 3 и 3( ЦМД перемещается к выреву 12, после чего импульсы тока .подаются в проводникии 2 ц регистра 2 хранения информации, ЦМД 17под воздействием импульсов .тока перемещается последовательно к сторо 10324 19нам отверстий 9" и 10", 9 и 10На этом операция ввода ЦМД в регистр2 хранения информации заканчивается.Поиск адреса осуществляется подачей двухфазных разнополярных импуль ов тока в проводники 1 и 2,3. и1 2" и 3При этом ЦМД от выреза 7 последовательно перемещается к вы, 10 ф и т.д.Неразрушающее считывание информации в накопителе осуществляется следующим образом.От выреза 7 ЦМД 17 перемещается к вырезам 8, 7"," 8 , 11 , 12 при подаче токовых импульсов в проводники 15 1 и 1, и 2 и 2", 3;й 3., При протекании тока соответствующей по".,; лярности по проводнику 3 ЦМД зани-, мает место в правом нижнем углу выреза 12 . При этом повышают величину 70 тока в проводнике 3 благодаря чему ЦМД растягивается в полосовой домен вдоль стороны выреза 12 . При поддер жанни неизменным тока в проводнике 3 в проводники 1, 2" и 3" подают ток 35 соответствующей полярности, притягивающий домен к вырезам 11 и Ф . При этом полосовой домен расположится перпендикулярно стороне выреза 11/ а концы его расположатся у вырезов 11 и 9" . Дополнительное повышение тока в проводнике .3 обеспечиваетподъем локального магнитного поля у соответствующей стороны выреза 11, который вызывает коллапс центральной части полосового домена. В результатеобразуются два домена, находящиеся . в магнитных ловушках у. вырезов 11 и// 9 . При дальнейшем поступлении имИпульсов тока нормальной амплитуды ЦМД, находящийся у выреза 9" реплика-тора 3, перемещается к вырезам 10,й9 и 10 и далее в регистр 2 храненияинформации, а ЦМД - реплика, находящийся у выреза 11", перемещается квырезу 12 ц нижним сторонам отверстий 4513 и 14, верхним сторонам этих же отверстий и далее вдоль "канала 1 вводавывода информации к устройству детектирования.В режиме считывания информации сразрушением ЦМД 17, находящийся увыреза 7 , при подаче импульсов токав проводники 1 и 2, .3 и 1" 2 ф и ЗфФ тперемещается последовательно К выре-/ /( й /зам 8 , 7 ,8 ,11 и 12 .Затем ЦМД растягивается и разделяется на два,аналогично неразрушающему считыванию,ЦМДгнаходящийся у выреза 11 ,перемещаетсяйк вырезу 12 ,а ЦМД,находящийся у выреза 9",перемещается к вырезу 10 ф.и цПри этом в проводники 2 и 3 подают токи повышенной амплитуды и противоположного направления,и соответствующейполярности, приводящей к повышениюлокального. магнитного поля у вырезови9 и 9 и соответственно к коллапсу ЦМЦ,находящегося в центре отверстия 9 увыреза 10 к, что соответствует разрушению информации в регистре 2. Приподаче импульсов тока обычной амплитуды в проводники 1 .и 2 , 3 .и 12" и 3"ЦМД-реплика перемещается к вы,"резу 12, нижним сторонам отверстий13 и 14, верхним сторонам этих жаотверстий ц далее вдоль канала 1ввода-вывода в устройство детектирования. Накопнталь позволяет Осуществить разрушение цнформации по заданному адресу без ее счцтываниЪ, Дляэтого ЦМД, которьй необходимо сколлапсировать, перемещается к вырезу 10после чего в пронодникц 2 и 3 подаются токи повышенной амплцтуды ипротивоположного направления, аналогично режиму считывания с разрушением. В результате ЦИД, находящийся увыреза 10, коллапсирует, что приводитк разрушению информации в регистре 2хранения.Использование предлагаемОГО накОпителя позволяет повысить надежностьи быстродействие ЗУ за счет исключения операццц перезаписи информациипри неразрушающем считывании,1032479 Составитель Ю, Розентальедактор О. Середа Техред М,тепер , Корректор , Фе е илиал ППП Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 акаэ 5407/54 ВНИИПИ по д 113035, Тираж 594 сударственного ам изобретений оскна, Ж, Р Подпкомитета СССРи открытийушская наб