Полупроводниковый датчик холла

Номер патента: 131923

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Юдин

МПК: G01K 7/24

Метки: датчиком, моста, полупроводниковым, схема, температуры

...плоскостных триодов 1 и 2. Изменение тока, в свою очередь, вызовет разбаланс131923моста.Величина азбаланса зависит от изменения величины сопротивления термистора, то есть, в конечном счете, от температуры, которая и отмечается измерительным прибором.С целью расширения температурного диапазона работы схемы между точками 11 и 12, а также 13 и 14, целесообразно включить активное сопротивление (для большего расширения температурного диапазона возможно включение между этими токами термистора с отрицательным коэффициентом в сочетании с активным сопротивлением). При этом необходимо иметь ввиду, что включение слишком большого сопротивления не улучшит температурной стабилизации, а слишком малого - уменьшит чувствительность схемы. Для...

Номер патента: 503144

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Антоненко, Войцех, Туровский

МПК: G01K 7/02

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры, термоэлектрический

...им т.э.д.с. можно обычным милливольтметром без дополнительных электронных приборов за счет использования в качестве материала термодатчика гидрата закиси никеля.Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры представляет собой плоскую пластину толщиной, например, 12 мм,цилиндрической или прямоугольной формы,изготовленную прессованием под давлением 50006000 кг/см 2 из-порошка гидрата закиси никеля промышленного производства. На противоположные стороны :плоской поверхно 10сти пластины методом вакуумного катодного напыления нанесены серебряные токопроводящие электроды, характерный размер которых составляет, например, 0,9 характерного размера плоской поверхности, причем к серебряным электродам припаяны медные токоотводы.Выходное...

Номер патента: 924776

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Гордеев, Канищев, Куксо, Лытко, Румак, Туманов, Черных

МПК: H01L 21/00

Метки: кремния, монокристаллического, основе, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...мин, отмывают в проточнойдеионизованной воде, обрабатываютгидромеханическим способом с помощьюмягких беличьих флейц и сушат нацентрифуге, Отмытые пластины кремнияпомещают в кассету-лодочку и загружают в зону кварцевой трубы с температурой процесса первого окисления,равной (1000 С 11 ), При данной температуре пластины кремния выдерживаютв потоке пара в течение 10 мин. Предварительно 303-ный раствор солянойкислоты заливают в парогенератор, который нагревают с помощью ИК нагреваи доводят данный раствор до температуры 40 С. Образующийся при этом парзахватывают инертным газом (путемпродувки через парогенератор, инертным газом служит аргон) и поступаетв зону реакции кварцевой трубы с находящимися в ней кремниевыми пластинами. За это время...

Номер патента: 1176183

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Чурбаков

МПК: G01K 7/01

Метки: измеритель, полупроводниковый, температуры

...всем рабочем диапазоне температур поддерживается с точностью +1 мВ. Это напряжение является опорным для полупроводникового термопреобразователя на согласованной паре кремниевых транзисторов 1 и 2. Через транзистор 2, включенный по диодной схеме, протекает ток противление резистора 4;адение напряжения на пере.ходе эмиттер - база транзистора 2.Падение напряжения на резисторе 3 равно падению напряжения на резисторе 4, так как дифференциаль.ный усилитель 5 через резистивный делитель 6 устанавливает потенциал эмиттера транзистора 1 Б .таким,У чтобы коллекторы двух транзисторов 1 и 2 были эквипотенциальны, т.е. коллекторный ток транзистора 1 будет равен:(2)К где К, - сопротивление резистора 3Разность падений напряжений на эмиттериых переходах...

Номер патента: 1191756

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Литовский, Локшин, Лысенко, Назаров, Щербакова

МПК: G01K 7/34

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры

...барьером. При этом электроды 3 и4 должны быть взаимно разнесены попланарной поверхности на расстояние,значительно больше толщины истощающего барьера,Максимальная высота приповерхност-.ного потенциального барьера не может превышать высоты барьера резкого р-и перехода 0,7 эВ, минимальная ограничена тепловой энергией носителей в выбранном температурном интервале, т,е.0,1 эВ. Способы создания такого приповерхностного слоя могут быть различные: равномерное ионное легирования полупроводника примесью противопохсного типа и последующая активация примеси лучевым отжигом с переменным по отжигаемой поверхности энергетическим режимом, ионное легирование поверхности кремния и отжигом различных участков легированного слоя при разных...