Термоэлектрический полупроводниковый датчик температуры

Номер патента: 131923

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Юдин

МПК: G01K 7/24

Метки: датчиком, моста, полупроводниковым, схема, температуры

...плоскостных триодов 1 и 2. Изменение тока, в свою очередь, вызовет разбаланс131923моста.Величина азбаланса зависит от изменения величины сопротивления термистора, то есть, в конечном счете, от температуры, которая и отмечается измерительным прибором.С целью расширения температурного диапазона работы схемы между точками 11 и 12, а также 13 и 14, целесообразно включить активное сопротивление (для большего расширения температурного диапазона возможно включение между этими токами термистора с отрицательным коэффициентом в сочетании с активным сопротивлением). При этом необходимо иметь ввиду, что включение слишком большого сопротивления не улучшит температурной стабилизации, а слишком малого - уменьшит чувствительность схемы. Для...

Номер патента: 1191756

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Литовский, Локшин, Лысенко, Назаров, Щербакова

МПК: G01K 7/34

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры

...барьером. При этом электроды 3 и4 должны быть взаимно разнесены попланарной поверхности на расстояние,значительно больше толщины истощающего барьера,Максимальная высота приповерхност-.ного потенциального барьера не может превышать высоты барьера резкого р-и перехода 0,7 эВ, минимальная ограничена тепловой энергией носителей в выбранном температурном интервале, т,е.0,1 эВ. Способы создания такого приповерхностного слоя могут быть различные: равномерное ионное легирования полупроводника примесью противопохсного типа и последующая активация примеси лучевым отжигом с переменным по отжигаемой поверхности энергетическим режимом, ионное легирование поверхности кремния и отжигом различных участков легированного слоя при разных...

Номер патента: 1064156

Опубликовано: 30.12.1983

Автор: Чурбаков

МПК: G01K 7/01

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры

...через первый резистор, а коллектор второго транзистора соединен с шиной источника питания через вто-. рой резистор, введены два дополнительных резистора, источник опорного напряжения, выполненный в виде резистивного делителя, и два диф ференциальных усилителя, неинвертирующий вход одного из которых соединен с коллектором первого транзистора и с одним выводом первого дополнительного резистора, второй 55 вывод которого соединен с шиной источника питания, выход соединен с базами транзисторов, а инвертирующий вход соединен с выходом источника опорного напряжения и с неинвертируЬщим входом другого дифференци. ального усилителя, инвертирующий вход которого соединен с коллектором второго транзистора, а выход "оединен с измерительным...

Номер патента: 1273750

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Блатов, Колпаков, Комов, Кочетков, Смыслов, Соколова, Чепурнов

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры

...источником изменения сопротивления преобразователя.Нижний предел концентрации легирующей примеси бора обеспечивает только компенсацию неконтролируемых донорных примесей в процессе эпитаксии,но и работоспособность р-п-переходаво всем диапазоне температур, Верхнийпредел концентрации бора ограничен,предельной растворимостью бора в карбиде кремния (3 10см ).Материалом термочувствительногоэлемента может являться любая керамика с коэфАициентом температурного расширения, превышающим коэфАициент температурного расширения карбида кремния (5,94 ф 10 см/град). Термокомпенсирующий слой 4 обеспечивает механическую прочность конструкции датчика и жесткую взаимосвязь элементов с разными коэАфициентами температурного расширения, т,е....

Номер патента: 1740996

Опубликовано: 15.06.1992

Автор: Чурбаков

МПК: G01K 7/02

Метки: датчик, полупроводниковый, температуры

...буферный каскад соединен с выходом усилителя, причем транзистор усилителя согласован с основными транзисторами и выполнен с ними в одном кристалле.На чертеже представлена принципиал ьная схема устройства.Полупроводниковый датчик температуры содержит согласованную пару транзисторов 1 и 2, выполненных в одном кристалле, два резистора 3 и 4 и резистивный делитель 5, включенный относительно общей шины источника 6 питания, к которой подключен эмиттер первого транзистора 1, коллектор и база которого соединены с одним выводом первого резистора 3 и с базой второго транзистора 2, эмиттер которого через резистивный делитель 5 соединен с выходом усилителя, а коллектор - с входом усилителя и с одним выводом второго резистора 4, другой вывод...