Устройство задержки

Своз Советскик Социалистических Респубник(22) Заявлено 070580 (21)2919339/18-21Фс присоединением заявки ив Госуаарствекнмй квинтет СССР ло аеааивзобретений а отармткя(54) УСТРОЙСТВО ЗАДЕРЖКИ подвижным контактом переменного резистора, который включен между коллектором полупроводникового пентодаи общей шиной, а база транзистора соединена через пятый резистор с коллектором полупроводникового пентода 21НедОстатком этого устройства эадерккц является сравнительно низкаястабильность,.Цель .изобретения - повыаение стабильности.Поставленная цель достигается тем,что в устройство задержки, содержащее транзистор, полупроводниковыйпентод, конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединенспервым эмиттером полупроводниковогопентода и общей шиной, которая черезконденсатор соединена с первой базойполупроводникового пентода, котораячерез первый резистор соединена сколлектором полупроводникового пен тода, который через второй резисторсоединен с шиной питания, котораячерез третий резистор соединена сколлектором транзистора, который через четвертый резистор соединен свторой базой полупроводникового пентода, второй эмиттер которого соедиИзобретение относится к импульс" ной технике и может использоваться в автоматике и измерительной те 1 сниКе,Известно устройство задержки, со" держащее транзистор и-р-и проводимос- ти, коллектор которого подключен к катоду параметрического стабилизатора напряжения, эмнттер - к минусовой Шине источника питания, а база черезрезистор .и .конденсатор к плюсовой .шине источника питания 1).Иедостаток этого устройства - сравнйтельйо йизкая стабильность.Известно также устройство задержки, содержащее транзистор, полупро водииковый.пентод,.конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода и общей шиной, которая через конденсатор соединена с 20 первой базой полупроводникового пентода, которая через первый резистор соединена.с коллектором полупроводникового,пентода, соединенного через второй резистор с шиной питания, которая через третий резистор соедине" на с коллектором транзистора, через четвертый резистор соединенный с второй базой полупроводникового пейтода, второй,эмиттер которого соединен с 30нен с подвижным контактом переменногорезистора, который включен между коллектором полупроводникового пентодаи общей шиной, а база транзисторасоединена через пятый резистор с коллектором полупроводникового пентода,введены дополнительный транзистор идополнительный резистор, эмиттер дополнительного транзистора соединенс общей шиной, коллектор дополнительного транзистора соединен с первойбазой полупроводникового пентода, а 1 Обаза дополнительного транзистора соединена через дополнительный резистор с коллектором транзистора,На чертеже показана структурнаясхема устройства задержки. 15Устройство задержки содержит транзистор 1, полупроводниковый пентод2, конденсатор 3, пять резисторов 48, дополнительный транзистор 9 и дополнительный резистор 10, Эмиттер - . щтранзистора 1 соединен с первым эмиттером полупроводникового пентода 2и общей Шнной 11, которая через конденсатор 3 соединена с первой базойполупроводникового пентода 2, которая через первый резистор 4 соединена с коллектором полупроводниковогопентода 2, который через второй резистор 5 .соедйнен с шиной 12 питания,которая через третий резистор б соединена.с коллектором транзистора 1, 30 который через четвертый резистор 7 соединен с второй, базой полупроводникового пентода 2, второй эмиттеркоторого соединен с подвижным контаК- том переменного резистора 13, который 35включен между коллектором полупроводникового пентода 2 и общей шиной 11,а база транзистора 1 соединена черезпятый резистор 8 с коллектором полу-.проводникового пентода 2, эмиттер рдополнительного транзистора 9 соединен с общей шиной 11, коллектор дополнительного транзистора 9 соединенс первой базой полупроводниковогопентода 2, а база дополнительноготранЗистора 9 соединена через дополнительры 9 резистор 10 с коллекторомтранзистора 1,Устройство задержки работает следующим образом.Транзистор 1, полупроводниковый 50пентод 2 и резисторы 5-8 образуюттриггер, резистор 9 образуют ВС-цепь,переменный резистор 13 служит дляустановки опорного напряжения, а 1транзистор 9 и резистор 10 образуютключ. В исходном состоянии транзистор 1 закрыт, а пентод 2 и транзистор 9 открыты и насыщены, Напряжениена конденсаторе 3 практически равнонулю,,При поступлении импульса запуска 60на базу транзистора 1 пентод 2 и транзистор 9 закрываются, а транзистор 1 открывается и насыщается. Конденсатор 3 начинает заряжаться. При достижении напряжения на нем величины напряжения включения пентода 2 последний включается и разряжает конденсатор 4. Триггер переключается в первоначальное положение. С приходом следующего импульса запуска процесс работы устройства повторяется.Применение транзисторного ключа позволило скомпенсировать остаточное напряжение на конденсаторе 3, которое остается от предыдущего цикла работы и величина которого является ненормированной величиной, существенно меняющейся при смене образцов пентодов или изменении температуры. Это и позволило повысить стабильность времени задержки,Формула изобретенияУстройство задержки, содержащеетранзистор, полупроводниковый пентод,конденсатор и пять резисторов, эмиттер транзистора соединен с первымэмиттером полупроводникового пентодаи общей шиной, которая через конденсатор соединена с первой базой полупроводникового пентода, которая через.первый резистор соединена с коллектором полупрОводникового пентода, который через второй резистор соединенс шиной питания, которая через третий резистор соединена с коллекторомтранзистора, который через четвертыйрезистор соединен с второй базойполуПроводникового пентода, второйэмиттер которого соединен с подвижным контактом переменного резистора,который включен между коллекторомполупроводникового пентода и общейшиной, а база транзистора соединеначерез пятый резистор с.коллекторомполупроводникового пентода, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с цельюповышения стабильности, в него введены дополнительный транзистор идополнительный резистор, эмиттер дополнительного транзистора соединенс.общей шиной, коллектора дополнительиого транзистора соединен с перво 1 базой полупроводникового пентода, а база дополнительного транзистора соединена через дополнительныйрезистор с коллектором транзистора,Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР9 486394, кл. Н 01 Н 47/18, 1975.2. Авторское свидетельство СССР9 78905, кл, Н 03 Н 5/13, 1980894845 Составитель О. СкворцовТехред С.ИигуноваКорректор Г, Огар Редактор И. Ковальчук Филиал ППП Патентфг. Ужгород, ул. Проектная, 4 Заказ 11508/85 Тираж 991 Подписное ВНИИПИ Государственногокомитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5