Жидкокристаллический преобразователь изображения

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано в устройствах отображения информации и в устройствах ввода некогерентных изображений в систему когерентной оптической обр аботки.Известен преобразователь изображения, содержащий многослойную структуру металл-полупроводник-диэлектрик-жидкий кристалл"металл и источник питания. При проецировании на слой полупроводника иэображения . происходит перераспределение напряжения, приложенного к электродам, между слоями полупроводника и жидкого кристалла за счет изменения сопротивления полупроводника. Недостатком преобразователя является требование статического согласо: - вания импедансов слоевНаиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является жидкокристаллический преобразователь изображения.Жидкокристаллический преобразователь изображения, содержит многослойную структуру, состоящую из прозрачйого электрода, диэлектрического слоя, полупроводникового слоя, диэлектрического зеркала, жидкокристал. лического слоя и прозрачного электрода, а также источник считывающего излучения, расположенного за многослойной структурой, со стороны жидко. кристаллического слоя, причем, электроды структуры соединены с генератором импульсного напряжения.При подаче на электроды импульсного напряжения в полупроводнике формируется объединенный слой, Припроецировании изображения на полупроводниковый слой происходит формирование потенциального рельефа на слойжидкого кристалла. Слой жидкого кристалла изменяет свои оптические свой"ства и модулирует считывающее излучение.Недотсатком устройства являетсянизкая разрешающая способность, Этотнедостаток обусловлен растеканием из освещенных областей в неосвещенные тех зарядов, которые генерируются под действие света в момент отсутствия напряжения на структуре.Целью изобретения является увеличение разрешающей способности преобразователя изображения. Поставленная цель достигаетсятем, что в жидкокристаллический преобразователь изображения, содержашиймногослойнкю структуру, состоящую из 5 прозрачного электрода, диэлектрического слоя, полупроводникового слоя,диэлектрического зеркала,.жидкокристаллического слоя и прозрачногоэлектрода, а также генератор импульс ного напряжения, соединенный с прозрачными электродами, и источниксчитывающего излучения, расположенный за многослойной структурой состороны жидкого кристалла, введены 15 модулятор света, расположенный передмногослойной структурой со стороныполупроводника, и формирователь импульсов управления, соединенный смодулятором света и с генераторомимпульсного напряжения.1Схема жидкокристаллического преобразователя изображения приведена начертеже.Жидкокристаллический преобразователь изображения содержит многослойную структуру, состоящую изпоследовательно расположенных прозрачного электрода 1, диэлектрического слоя 2, полупроводникового слоя3, диэлектрического зеркала 4, жидкокристаллического слоя 5 и прозрачного электрода 6, генератор импульс-ного напряжения 7, соединенный спрозрачными электродами 1, модуляторсвета 8, расположенный перед многослойной структурой, формировательуправляющих импульсов 9, соединенныйс модулятором света 8 и с генератором импульсного напряжения 7, а так же источник считывающего излучения10, расположенный эа многослойнойструктурой, со стороны жидкокристаллического слоя.В качестве источника считывающего 45 излучения может быть использованлазер, а в качестве формирователяуправляющих импульсов - триггер, подающий импульсы напряжения на электроортический модулятор.На прозрачныи электрод 1 подаются импульсы напряжения питания длительностью С приводящие к созда,нию в полупроводнике обедненной области - потенциальной ямы. Длительл55 ность ц выбирается меньшей времени;,заполнения потенциальной ямы за счеттермогенерации носителей в полупроводнике, В этом случае в течениеЗаказ 4845/1 Тираж 501 Подписное ВНИИПИ Государственного комтета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набг, д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 генерация свободных носителей в полупроводнике определяется в . основном интенсивностью соответствующих элементов входного изображения, Генерируемые светом носители дрейфуют в электрическом поле, создаваемом напряжением питания, к границе раздела полупроводник - диэлектрическое зеркало и создают потенциальный рельеф на слое жидкого кристалла. 10Помимо дрейфа носителей в электрическом поле присутствует и их диффузия из более ярко освещенных областей в слабо освещенные. Однако процесс диффузии длится только в тече ние времени дрейфа, что приводит к некоторому размыванию изображения.Это размывание определяется из вырвженияр, =6:7 ,где 0 - коэф- фициент диффузии носителей в опреде ленком материале, а =/1 р, где толщина обедненной области; подвижность носителей в полупровод-нике, Е - напряженность поля. При типичных параметрах структуры-2на основе кремния 3 составляет 101 О см, Р = 1000 см /с, Е = 1 О В/см)Р = 30 см/с о др составляет 1 О 91 0 " с и при этом Ьр, 10- 1 О смт.е. размытие иэображения практичес-ки отсутствует. В интервале времени между импульсами питания входное изображение перекрывается модулятором света, созданные ранее светом носители рекомбинируют и структура возвращается в исходное состояние. Согласно приведенным оценкам в случае перекрывания изображения в момент отсутствия напряжения питания на структуре разрешающая способность преобразователя увеличивается в дирар Л уцм 10 - 100 раз по сравнению со случаем стационарного изображения