Способ и устройство контроля про-цессов кристаллообразования b caxap-ных утфелях

40 45 50 55 40 65 между фотоприемником и осветителем, засахариванию стекол устройства и выходу его из строя. Кроме того не обеспечивается необходимая точность и надежность контроля процессов крис таллообразонания.Цель изобретения - повышение точ ности и надежности контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования.указанная цель дбстигается тем, что контроль процессов первичного и вторичного кристаллообразования осуществляют по измерению дифферен циальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.Кроме того перед измерением повышают пересьпцение раствора путем охлаждения.Для осуществЛения способа предйаз начено устройствосодержащее источники света и сравнительный и измери. тельный фотоэлементы, включенные по мостоной схеме, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что в него внедена цирку- ляционная труба с охлаждающей рубаш. кой и оптическими окнами чя осветителей и фотоэлементов, оптические оси которых расположены в пределах 5-80 по отношению к нормали оптического окна. На чертеже изображено устройство контроля процессов кристаллообразования.Устройство состоит из циркуляционной трубы 1, снабженной охлаждающей рубашкой 2, двух-сравнительного и измерительного Фотодатчиков, установленных до и после охлаждающей рубашки и состоящих из осветителей 3,4, фотоэлементов 5,6, окон 7,8, линз 9,10 и шестеренчатого насоса 11 с электродвигателем 12. Величина охлаждения раствора регулируется прибором 13,получающим сигна. лы с датчиков .14,15 температуры, и управляющих регулирующим вентилем 16.Сигналы с фотоэлементов поступают на прибор 17 контроля процессов кристаллообразования, Устройство присоединяется к вакуум-аппарату с помощью фланцев 18,19.Устройство работает следующим образом.Часть увариваемого в вакуум-аппа рате раствора отбирается с помощью шестеренчатого насоса 11 в циркуляционную трубу 1, где в результате подачи охлаждающей воды в рубашку 2, этот раствор охлаждается. Понижение температуры раствора, находящегося в метастабильном состоянии, приводит к повышению его пересыщения и увеличению вероятности образования н нем кристаллических зароды шей. При заданной скорости циркуляции раствора по контуру происходит "опережение" процесса уваривания утфеля в вакуум-аппарате по пересы 10 20 а 5 ЗО 35,щению. В критический момент уваринания, когда н вакуум-аппарате пере.сьпцение поднимается до границы мета стабильной эоны, в контуре "опережения" в районе измерительного фото- датчика, в результате дОстижения этой границы возникают кристаллические центры, В вакуум-аппарате самопроизвольное кристаллообразование начинается через. 3-10 мин после этогоДля увеличения точности измерений которая достигается путем устранения зеркальной компоненты отраженного светового потока, на фотоэлементы на правляют только диффузионно-отражен" ные лучи, размещая осветители 3,4 и фотоэлементы 5,6 н плоскостях, углы которых относительно нормали с оптических окон 8,9 отличаются на 5-80 При появлении кристаллов в растворе появляется разность в сигналах сравнительного и измерительного фотоэлементов, по величине которой судят о концентрации кристаллов н растворе. Наперед заданная величина сиг нала по "муке" определяет момент заводки кристаллов в аппарат.Аналогичным образом производится контроль вторичного кристаллообразо" вания. Возникшие в результате повышения пересыщения вторичные кристаллы и "мука" изменяют величину отраженного света, что служит сигналом к изменению режима уваривания утфеля н аппарате с целью поддержания его на оптимальном уровне, на границе вторичного кристаллообразонания,При этом отраженный свет от первичных кристаллов н измерительном датчике компенсируется таким же количеством отраженного света в компенсационном.Предлагаемое устройство может контролировать не только наличие кристаллических центров, но и их количество, что позволяет выбирать оптимальные режимы занодки кристаллов и унаринания утфеля в аппарате, при этом увеличивается надежность устройства по сравнению с известным. Формула изобретения 1.Способ контроля процессов крис- таллообразования н сахарных утфелях по измерению дифференциальной интенсивности двух световых потоков, прошедших раствор, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повышения точности и надежности контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования, контроль осуществляют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.аказ 10012/52 Тираж 918 ВНИИПИ ГосударственноГО по делам изобретений н 113035, Мссква, Ж, РаП писн СССР Омитетаоткрытийшская на дфилиал ППП"Патент", г,.ужгород,ул.Проектна 2 е СпОсОб по и 1О т л и ч а ю щ и й с я тем, что перед измерением повышают пересыщение раствора путем охлаждения.З.устройство контроля процессов кристаллообразования в сахарных утфелях по способу пп. 1 и 2 содержащее источники света и сравнительный и измерительный фотоэлементы, вклю" ченные.по мостовой схеме, о т л и-. ч а ю щ е в с я тем, что, с целью увеличения надежности и точности измерений контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования, в него введена циркуляционная труба с охлаждающей рубашкой и оптическими окнами для осветителей и фотоэлементов, оптические оси которых расположены в пределах 5-80 фйо отношению к нормали оптическогоокна. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1.Авторское свидетельство СССР Р 575556 6 01 И 27/02, 1976.2,Авторское свидетельство СССР М 234252, 6 01 й 27/02, 1967.З.Сиренко С,И. "Исследования процессов кристаллообразования в сахарных растворах и разработка кристаллогенератора утфельного вакуум-аппарата непрерывного действия" Дис.на. соиск.учен. степени канд. наук.Киев КТИПП, 1970, с. 212-217, рис.б 4 (прототип).