Способ изготовления защитных рельефов

О ПИ С А Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советски кСоциалмстическикРеспублик728109 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(22) За я алено 04.05.78 (21) 2613321/23-04с присоелииением заявки РЙ(51,)М. Кл. 6 03 С 1/68 Государственный комитет Опубликовано 15.04,80, Бюллетень Ле 14Дата опубликования описания 15.04.80 да делам изобретений и открытий(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РЕЛЬЕФОВ Изобретение относится к способу изготовления зыцитных рельефов при производстве печатных плат и других аналогичных иэделий фотохимическим методом.Известен способ изготовления защитных5 рельефов при производстве печатных плат путем удаления загрязнений с поверхности фольгированного диэлектрика (обе зжиривание, декапиров ание минеральными кислотами), нанесения на него светочувствительного слоя на основе жидкого фоторезиста, например сенси. билизированного поливинилциннамата, экспони-" рования, проявления и термообработки светочувствительного слоя 11).Недостатком известного способа является неудовлетворительное качество защитного рельефа, вследствие мацой толщины светочув. ствительного слоя (2-8 мкм), что приводит к искажению профиля проводников и образова. нню дендритов металла при гальваническом . наращивании проводников, а также перетравам проводников при получении их путем травления. Другим недостатком является то, что использование жидкого фотореэиста затрудняет механизацию производственных процессов изготовления "печатных платособенно при работе с перфорированными подложками,Наиболее близким к изобретению по тех.нической сущности является способ изготовле.ния защиттптх рельефов на подложке из фольгированного диэлектрика путем удаления загрязнений с поверхности фольгированного диэлектрика, ламинирования на него сухого пленочного фоторезиста на основе акриловых моноьтеров, экспонирования фоторезиста и проявления 21Недостапсом известного способа является то, что при ламинировании сухого пленочното фоторезиста на границе светочувствительный слой - поверхность фольгированного диэлектрика образуются воздушные включения, содер жащие кислород. При дальнейшем экспониро ванин фоторезиста кислород ингибирует про. цесс фотонолимериэации на участках светочувствительного слоя, граничащих.с воздушными включениями, В результате снижается качества защитного рельефа - возрастает неровность края рельефного изображения, а также парис. т ость.728109 4фольгой толщиной 35 мкм, дпя удалениязагрязнений с его поверхности обрабатываюттрихлорэтилеиом в течение 2 мин, затем обрабатывают 5%-ным водным раствором сернойкислоты в течение 1 мин и подвергают дополнительной очистке вращающимися щеткамииэ полиамидного волокна в присутствии вод.но-пемзовой суспенэии. Заготовку с очищеннойповерхностью промывают водой в течение0 2 мин и сушат обдувом воздухом при 30 Св течение 5 мин.На поверхность фольгированного диэлектрика наносят из пульверизатора следующийсостав, вес.ч15 Монометакрилат этиленгликоля 1002-Трет-Бутилантрахинон 1.Заготовку с нанесенным составом устанав.ливают в вертикальном положении и дают воз.20 можность для стекания избытка жидкости. Затем на поверхность фольгированного диэлектрика наносят сухой пленочный фоторезист наоснове триметилолпропантриакрилата, проявляемый 2%-ным водным раствором карбоната25 натрия. Толщина светочувствительного слоя фоторезиста 40 мкм, Нанесения фотореэиста производится с, использованием валкового ламинатора при температуре нагревательных элементов, равюй 110 С. Скорость ламинирования30 1 м/мин. Целью изобретения является повышениекачества защитного рельефа.Цель изобретения достигается тем, чтопосле операции удаления загрязнений на поверхность фольгированного диэлектрика наносят состав, включающий акрйловый мономери фотоинициатор при следующем соотношениикомпонентов, вес.ч.:Акриловый мономер 100Фотон нициатор 1 - 30.Состав, наносимый на поверхность фольгированного диэлектрика, наряду с акриловыммономером и фотоинициатором может дополнительно содержать технологические добавки,такие как ускорители фотополимеризации,например диэтиленгликоль, добавки, регулирующие вязкость состава, например пластифика торы - триацетин, дибутилфталат и друтие,растворители, например хлористый метилен,иэопропиловый спирт,В качестве акриловых мономеров могутбыть использованы, главным образом, соединения, содержащие в молекуле 1-3 (мет)акрильных остатка, например монометакрилатэтиленгликоля, триэтилентликольдиметакрилатдиметакрилат (бис-этиленгликоль-) -фталат,триметилолпропантриакрилат, пентаэритриттриакрилат или их смеси.В качества фотоинициаторов могут бытьиспользованы преимущественно соединения,чувствительные .к УФ-излучению в области250-400 нм, такие как 2-трет - бутилантрахинон, кетон Михлера, бензофенон, метиловыйэфир бензоина, трихлордифенил или их смеси.Применение предлагаемого способа позволяетулучшить качество защитного рельефа безизменения существующей технологии их изготовления, а также. конструкции оборудования.Предлагаемый способ может использоваться40при изготовлении изделий из различных фольгированных диэлектриков, которые могут бытьперфорированными или сплошными, с двухили односторонним покрытием фольгой. Способ может быль реализован также при исполь 45эовании фольгированных диэлектриков, имеющих несштошное (локальное) покрытие фольгой) .В качестве сухих пленочных фоторезистов:могут использоваться, главным образом,негативные фоторезисты, имеющие сухой50светочувствительный слой на основе акриловыхмономеров толщиной 15.150 мкм, проявите.лем которых является метилхлороформ ипиводные растворы.П р и м е р 1. Фольгированный диэлек55трик, представляющий собой диэлектрическоеоснование иэ стеклотекстолита толщиной01 мм с наклеенной с двух сторон медной Фоторезист экспонирую 1 ртутной лампойЛРСв течение 40 с через фотошаблон,имеющий рисунок проводников с неровностьюкрая не более 3 мкм.Проявление фоторезиста производят наструйной установке 2%ным раствором карбо.ната натрия в; течение 1 мин.Неровность края защитного рельефа непревышает:,: 5 мкм. Защитный рельеф, из.готовленный по известному способу в тех жеусловиях, имел неровность края, достигающую50 мкм,П р и м е р 2, Защитный рельеф изготавливают, как указано в примере 1, но на поверхность фольгированного диэлектрика нано.сят следующий состав, вес,ч.:Триэтиленгликольдиметакрилат 70Пента эритриттриакрилат 30Метиловый эфир бензоина 5Изолропиловый спирт 300,После нанесения и стекаиия избытка составафольгированный диэлектрик выдерживаютопри 20 С в течение 1 ч дляиспарения раство.рителя.Изготовленный защитный рельеф имеет теже показатели, как и в примере 1.728109 би- Лля изготовления защитного рельефа вы.полняют аналогично указанному в примере 1,но на поверхность фольгированного диэлектри. " -ка наносят сухой пленочной фоторезист, про.являемый метилхлороформом с толщиной светочувствительного слоя 130 мкм. После экспо.нированйя фоторезист проявляют на струйнойустановке в течение 90 с.Неровность края защитного рельефа не превышает 30 мкм. Защитный рельеф, изготовленный по известному способу в тех же условиях,имеет неровность края, равную 120 мкм.Как видно из приведенных примеров, использование предлагаемого способа позволяет су.15шественно улучшить качество защитногорельефа. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Справочник по печатным схемам. Подред. К. Ф. Кумбза. Нью-йорк, 1967, Пер. сангл. Под ред, Б, Н. Файзулаева и В, Н, Квасницкого. М., "Советское радио", 1972,с. 123-150.2. Федулова А.А Котов Е. П., Явич Э. Р.45 Многослойные печатные платы. Под ред.Е. П. Котова, Изд. 2-е, перераб. и доп. М."Советское радио", 1977, с. 39-78 (прототип). Составитель А, КругловТехред Н,Ковалева Корректор Н. Стец Редактор Т. Левятко Заказ 1136/47 Тираж 526 ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 П р и м е р 3. Защитный рельеф изготавл вают, как указано в примере 1, но на поверх ность фольгированного диэлектрика наносят слсдующий состав, вес,ч.:Диметакрилат (бнс.этиленгликоль) -фталат 100Кетон Михлера 3Бензофенон 3Лиэтиленгликоль 10Триацетин 10Хлористый метилен 500После нанесения и стекания избытка состава фольгированный диэлектрик выдерживаютв течение 30 мин для испарения растворителя,"На поверхность фольгированного диэлектрика наносят сухой пленочный фоторезист наоснове диакрилата (бис.этиленгликоль) -изофталата. Время экспонирования 44 с. Фоторе.зист проявляют метилхлороформом на струйной установке в течение 70 с.20Неровность края защитного рельефа составляет 10 мкм. Защитный рельеф, изготов.ленный по известному способу в тех же условиях, имел неровность края, равную 70 мкм.П р и м е р 4. Фольгированный диэлектрик 25представляет собой диэлектрическое основаниетолщиной 1,5 мм с наклеенной с двух сторонникелевой фольгой толщиной 50 мкм, имеющейпокрытие сплавом олово-никель толщиной10 мкм, Фольга наклеена на поверхность диэлектрического основания в виде полос шириной 3 мм, причем суммарная поверхность, занимаемая фольгой, составляет 40% ппощади фольгированного диэлектрика. Последний выполнен перфорированным и имеет отверстия диаметром 1 мм.Лля удаления загрязнений поверхность фольгированного диэлектрика обрабатывают перхлор этиленом при 40 С в течение 3 мин.На поверхность фольгированного диэлектрика наносят следующий состав, вес.ч.:Триметилолпропантриакрилат 100Трихлордифе пил 282-трет-Бутилантрахинон 2 Либутилфталат 20Хлористый метилен 300. Формула изобретения Способ изготовления защитных рельефов на подложке из фольгированного диэлектрика пу. тем удаления загрязнений с поверхности фольгированного диэлектрика, ламинирования на него сухого пленочного фоторезиста на основе акриловых мономеров, экспонирования фотооезиста и проявления, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения качества защитного рельефа, после операции удаления загрязнений на поверхность фольгированного диэлектрика наносят состав, включающий акриловый мономер и фотоинициатор при следующем соотношении компонентов, вес.ч,:Акриловый мо номер 100Фотоинициатор 1 - 30.