Электронный ключ

ОП ИСАНИВ ИЗОБРЕТЕН Ия Союз Соэвтсеа Сфциалмсти месим к Республикь 675601 АВТОРСКОМУ СВИДИТВЛЬ СТО 1) Дрполиительиое к автсвил ву -3 Щ Заявлеио 27,О 4,77(23) 2481408/18-21 (И) И. Кл,Н 03 К 17/60 с присоединеиием заявки М -Гееуларатвенние еветет СССР еа делам ааебретеей в фткаитеЬОпубликоваиф 25,07.79,бюллетень 27 дата опубликоваиия описаиия 28.07.79(72) Автор изобретен Ю. Б. Рогатки Московский ордена Трудового Красного Знамен инженерно физический институт 71) Заявитель ННЫЙ КЛЮ 3Электронный ключ предназначен дляиспользования в электроннык устройствахразличного назначения, в частности винтегральных монолитных. схемах.Известны электрические ключи с регулируемой степенью насыщения ключевоготранзистора, содержащие резисторы идиоды в цепи ограничения степени насыщения 1,Общим недостатком этих устройствявляется нестабильность степени насыщения ключевоготранзистора,. что снижаетнагрузочную способность.Известен также электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторительна транзисторе П-р-Л гила проводимости,эмиттер которогосоединен с первым выводом первого резистора, ключевой трапзистор П -р-и-типа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиит, ачерез второй резистор с базой этоготранзистора, и цепь ограничения иасьпце"ния ключевого транзистора, состоящуюиз транзистора -и-р арпа проводимости,коллектор котороной, база - с ктранзистора, выха эмиттер транзиВояимосТи соедикоторый включенНедостаткамиются ни кие наг с общей шиючевогои нагрузкой,типа проди одом,правлении.йства являобность и го соединен ОПЛЕКТОРОМ КЛ одом куча стора р-и-р неи с первым в прямом на этого уотро зочная спруКПД.Бель изобретения - увеличение нагрузочной способности и КПД.для достижения этого в электронныйключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе о-р-п гипа нроходимости, эмиттер которого соединен 1 ф. с первым выводом первого резистора,ключевой транзистор т 1-р-й -гипа прово димости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а через второй резисторс базой этого транзистора, и цепь ограничения насыщения ключевого транзистора; состоящую из транзисторар-л-р-гипа проводимости, коллектор которого соединен с общей шиной, база с коллекто;/ " "падений напряжений на резисторе 5 иоткрытых эмиттерно-базовых переходах транзисторов 2 и 4,Таким образом, степень насыщения -" ключевого транзистора 9 удается регулировать выбором соотношения величин сопротивления резисторов 5 и 6. Изме нение величины тока базы ключевого 1 О транзистора 9 при изменении тока нагрого соединен с общей шиной, а черезвторой резистор с базой этого транзистора, и цепь ограничения насыщения:ключевого транзистора, состоящую изтранзисторар-п-р -типа проводимости,коллектор которого соединен с общейшиной, база - с коллектором ключевоготранзистора, выходом электронного ключа и нагрузкой, а эмиттер транзисторар-л-р-типа проводимости соединен спервым диодом, который включен в пря-.мом направлении, о т л и ч а ю щ и й,о ся тем, что, с целью увеличения нагрузочкой способности и КПД, допопнительно введены управляющий транзистор" и-р-М-типа проводимости, второй. диод итретий резистор, который включен междуэмиттером и базой управляющего транзистора, причем эмиттер управляющего транзистора соединен с базой ключевого " " транзистора, коплектор - с шиной источника питания, а база - со вторым выводом первого резистора, второй диод вклю - чен между базой транзистора входногоэмиттерного повторителя и первым дио .дом и имеет одинаковую с последнимполчрность включения.55 Источники информации принятые Вовнимание цри экспертизе1, Каталог ИМОасИ бетасоадисМ йкесь ЪгЕугаед. йЬ сийь,Иве Во,1973, р. 3-7. 3" ром ключевого транзистора, выходомэлектронного ключа и нагрузкой,"а-эмит "тер транзистора р- п -р-типа проводимостисоединенс первым диодом, который включей в прямомнаправлении, дополнительно введены управляющий транзистори-р-птипа проводимости, второй диод итретий резистор, которйй включен междуэмиттером и базой управляющего тран"зисгора, прйЧем эмиттер управляющеготранзистора соединен с базой ключевоготранзистора, коллектор - с шиной источника питания, а база -. со вторым выво- дом первого резистора, второй диод" включен между базой транзисторавхойГогоэмиттерного повторителя и первым диодоми имеет одинаковую с последним йолярность включения.На чертеже представлена принципиальная схема электронного ключа.Он содержит входную шину 1, транзистор 2 входного эмиттерного повторителя, база которого соединена с шиной 1,шину 3 источника питания, управляющийтранзистор 4, коллектор которого соединен с шиной 3, резистор 5, включенныймежду эмиттером транзистора 2 и базойтранзистора 4, резистор 6, включенныймежду базой и эмиттером транзистора 4,выходную шину 7, общую шину 8, ключевой транзистор 9, коллектор которогосоедйнен с шиной 7, эмиттер" с шйной8, а база - с эмиттером транзистора 4,резистор 10, включенный между базой иэмиттером транзистора 9, транзистор 11,база которого соединена с шиной 7, аколлектор - с шиной 8, два соединенныхпоследовательно диода 12, 13, включен-,ных между шиной 1 и эмиттером транзистора 11,Электронный ключ работает следующим образом.При подаче на входную шину 1 управляющего сигнала тока отпирающей нолярности открываются транзисторы 2, 4 .и9, причем потенциал коллектора транзистора 9 уменьшается по абсолютной вели-чине, Когда разность потенциалов междубазой транзистора 2 и коллектором транзистора 9 окажется достаточной, откры-,ваются транзистор 11 и диоды 12, приэтом часть входного тока ответвляетсячерез транзистор. 1 1 и диоды 12 в общую шину 8, а ток базы транзистора 2огранйчивается. Напряжение на -коллекторно-базовом переходе транзистора 9 вмомент насыщения определяется раэницей между суммой падений найряжейияна открытых диодах 12, и эмиттерно ба.црузки приводит к изменению тока через транзистор 4, не меняя практически величин падений напряжений на резисторах 5 и 6, поэтому оказывается возможным5 задать максимальный ток через резисторы 5 и 6 .меньшей величины, что приводит к увеличению КПД устройства призаданной нагрузочной способности. Формула и э о б р е т е н и я Электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе п-р-п-типа проводимости, эмиттер которого соединен с первым выходом первого резистора, ключевой транзистор И-р-л-типа проводимости, эмиттер котоиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектна / каз 4343/50 ЦНИИПИ Гос по делам и 113035, Москва, Тираж 10 арственногобретений и-35 Раушс 9 Подписноекомитета СССРкрыт ийкая наб., д. 4/5