Самозахватывающая бобина

Номер патента: 28774

Опубликовано: 31.12.1932

Автор: Горбунов

МПК: B65H 18/10, G03B 1/04

Метки: бобину, наматывания, нижнюю, фильма

...ось 2 по отношению к другому шкиву. Бобина надевается на втулку 4, а последняя на ссь 2 и устраивается сьемной, что дает возможность заменять ее в случае надобности другой.В приспособлении, изображенном на 1 фиг. 3, также применяется зксцентри-ковая втулка 10 с закрепительнымвинтом 12. Бобина надевается на ось 2, при чем лента наматывается, вследствиетрения, возникающего между, осью 2 и пустотелым валиком 1 /., вращающимся во втулке 10 и скрепленным со шкивом посредством шпильки 13 и кожаной прокладки 6. Для сообцения дополнитель-: ного трения сл 11 кит установленная на 1 оси 2 пружина,5 с винтом ЫВторое видоизменение приспособленияОтличается тем, что бобина наса:кенанепосредственно на ось 2 фиг. 4 и 5, , другой конец которой снабжен...

Номер патента: 1723585

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Артюхин, Ненарокомов, Трянин, Утенков, Яковлев

МПК: G21C 17/00

Метки: контактного, между, оболочкой, реактора, сердечником, сопротивления, твэла, тепловыделяющим, термического, ядерного

...в качестве аргумента;(Вк)1 - вектор констант, итеративно уточняемых по формулеВк( ) = Вк( ) + Ькгде(Ьк( 1 - вектор приращений к определяемым константам, расчитываемый с помощью тепловой модели на основе величины рассогласования расчетных и измеренных значений температуры твэла.На фиг. 1 приведены зависимости изменения внутреннего тепловыделения в твэле, реализующиеся в процессе работы реактора, по времени,На фиг. 2 иллюстрируется характер изменения интегральной оценки чувствительности температуры твэла М к изменению величины контактного термического сопротивления В по попе(гаечному сечению твэла: 1 - В = 0,125 10 мК/Вт; 2 - В=0210 м. К/Вт;3 - В=0310 м 1х К/Вт.На фиг. 3 представлена зависимость величины относительной погрешности...

Номер патента: 1785046

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Веденяпин, Гонтарь, Зазноба, Нелидов, Подогов

МПК: G21C 17/06, H01J 45/00

Метки: контактной, между, модельного, оболочкой, проводимости, сердечником, твэла, термической

...деформирования оболочки являет- ния времени испытаний по сравнению с реся ползучесть ее материала, Это 50 акторным экспериментом обеспечивается подтверждается и сравнением эксперимен- подбором внешнегодиаметра таблеток, при.тальных данных с результатами провероч- котором механический койтакт с оболочкой и ых (нормированных) расчетов, . достигается при выходе на номинальный репроведенных в предположении, что оболоч- жим испытаний, Напряжения, возникаюка деформируется распухающим сердечни щие в оболочке иэ-за случайного ком по механизму ползучести. При данном (неблагоприятного) сочетания фактических механизмедеформированиясуществуетод- размеров оболочки и таблеток в поле их нозначное соответствие между уровнем на- допусков, устраняются...

Номер патента: 28775

Опубликовано: 31.12.1932

Автор: Горбунов

МПК: B65H 18/10, G03B 1/04

Метки: бобину, наматывания, нижнюю, фильма

...в пружине, обычно применяемой для закрепления бобины на валике. В другом приспособлении ось валика установлена на шариковых подшипниках и применена эксцентриковая втулка с винтом для регулировки натяжения приводного ремня на шкиве.; Б остальных приспособлениях для сообщения дополнительного трения применяются пружины и добавочные валики.Предлагаемое приспособление представляет в нескольких вариантах дальнейшее усовершенствование приспособления, описанного в авторском свидет ел ьств е М 28774.На чертежеперечный разрезсанного в и. 3свидетельства, нполнения; фиг.разрез; фиг. 3доизмененного ппродольный разр фиг, 1 нзоора 5 кает поприспособления, опиосновного авторского о в другой форме вы то же, продольный продольный разрез...

Номер патента: 133530

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Диковский, Королев

МПК: H01L 21/479

Метки: выводным, контактов, между, поверхностью, полупроводникового, прибора, проводником, сварных

...получения сварного контакта требуемого типа, Это достигается тем, что легированию подвергается не вывод, а материал полупроводника, а импульс тока пропускают от полупроводника к выводу для получения омического контакта, и в обратном направлении - для получения выпрямляющего контакта.Сущность способа заключается в следующем.Полупроводниковый материал легируется определенной примесью, затем импульсом тока производится приварка проволоки, причем в зависимости от свойств примеси и от направления тока сварки происходиг образование или выпрямляющего., или омического контакта. Например, если кремний легировать галлием и производить сварку золотой про волоки таким образом, чтобы минус подключался к проволоке, то вместе сварки образуется...