Патенты с меткой «rc-усилитель»

Номер патента: 235111

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Фаталиев

МПК: H03F 1/48

Метки: rc-усилитель, избирательный

...изменении уровня на,входе в сотни раз.Сигнал на выходе ограничителя имеет вид тра пеции. С выхода ограничителя сигнал подается на вход фильтров-усилителей 4 и 6 с двойными Т-образными мостами и далее - иа нагрузку 6. Кроме того, небольшой уровень входного сигналя с точки 7 устройства ответвляется на потснциомстр 8, включенный в точку 9 одной из диагонали дцодного моста 10 в цепи сбратной связи,Небольшой уровень сигнала с выхода усилителя через конденсатор 11 и сопоотивлснис 12 поступает на триод 13, работающий в схеме электронного ключа и совместно с диодом 10 ьыполняющий задачу сравнения напряжений частоты сигнала ня выходе фильтр-усилителей и частоты входного сигнала. Сопротивлениями 12 и 14 подбирается режим работы триода 13....

Номер патента: 1504787

Опубликовано: 30.08.1989

Автор: Прищепов

МПК: H03F 3/42

Метки: rc-усилитель, широкополосный

...что широкополосный усилитель представляет собой многокаскадный усилитель с множеством упорядоченных обратных связей, Можно показать, что данная система обратных связей каскадов гарантирует устойчивость усиления,Первые и вторые усилительные каскады образуют две однонаправленные КС-линии с транзисторами, поскольку эмиттеры транзисторов первых усилительных каскадов 6 питаются переменным током от первой соединительной шины 1, а вторых - от второй соединительной шины 2; каскады сгруппированы по признаку синфазности усиливаемого сигнала, При этом необходимая фазировка сигналов в линиях обеспечи" вается за счет связей усилительных каскадов, Погонные сопротивления первой и второй соединительных шин 1 и 2 входят в линии, но не влияют на...

Номер патента: 1522381

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Масленников, Пенкин

МПК: H03H 11/12

Метки: rc-усилитель, селективный

...16 и17, равным К добротность предлагаемого селективного усилителя определяется формулой К(1 + 0 в " 2 К(1 + Эгэ 1метет )Кэ где гэ, - значение дифференциального сопротивления эмиттерного перехода первого транзистора 1 в усилительномкаскаде с общим эмиттером;г - значение дифференциальногосопротивления эмиттерногоперехода четвертого транзистора 4, включенного винтегрирующую цепочку,Таким образом, в селективномгэг гэ 1КС-усилителе при -- = -- можно обесЕ Рпечить компенсацию влияния дифференциального сопротивления эмиттерногоперехода на величину добротности Я,В схеме прототипа уменьшение влияния дифференциального сопротивленияэмиттерного перехода достигается привыполнении условия Кгэ , что приэ 1неизменных сопротивлениях резисторовК и...