Способ определения температуры
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ОП ИСИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советсюа Социалистических Республик(5 М. Кл.01 к 718 присоединением заявки23) Приоритет осударстввннын комитетСовета й(нннстров СССРоо делам изобретенийи открытий46) Дата опубликования описания 25.11.75(7 Авторызобретения Нейма нанон и) Заявитель 4) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ Из игочоьтехник величина с тивления терм293 К;уральных логар резистора пр е - основание нат мов (2,718. В - постоянная, з свойств полуп);висяц водникового ма тение относится к измерительной может быть использовано в системах температурно-ветрового радиозоыдирования атмосферы с применением в качестве датчиков температуры устанавливаемых на радиозонды полупроводниковых терморезисторов, например, типа ММТ.Известен способ определения температуры при помоши полупроводниковых терморезисторов, например, типа ММТ, основанный на измерении сопротивления Ят терморезистора при неизвестной температуре Т и нахождений этой температуры по температурной характеристике терморезистора, аппроксимируемой аналитически зависимостью экспоненциального типа, описываемой формувой н й ,й В 1 тй -т )т т, 1-т териала, из которого тлен терморезистор;Т - температура в оК, при кого 1 йодизмеряют величину сопротив 5 ления,Недостаток описанного способа:пкпн- чается в том, что погрешность аппроксимации действительной температурной характеристики терморезистора весьма велиы ив диапазоне температур от +50 оС до-70 С достигает (для резисторов типаооММТ) величины 8 С, Это исключаетиспользования аналитических методов, цритарировке по температуре радиозондов типа РК 3, в которых датчиком температурыслужит терморезистор типа ММТ,Цель изобретения - повышение точностиаппроксимации температурной характеристики терморезистора при аналитическом задар нии аппроксимирующей формулы,Повышение точности аппроксимаши позволит использовать аналитические методытарировКи температурных характеристикпри изготовлении и использовании 1 мдио 25 зондов, в частности, наличие достаточно481785 изобре ни я Способ определения т ксимируемой экспоненци стью с коэффициентами, тем предварительной та стора ь базовых точках ры, аппроБисимо ными пу 2 ерморези- диапазоемперату альной за 1 числен овки т бочего,ад 3Заказ ,ф,изд. дд Я ф ф.Тн рати 740 НоаннсноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР атент, Москва, Г, Берегкковская наб, 24 еднрияти вдвое больше, чем в варианте с квадра 1 тичным членом, точность его вдвое ниже.Из приводимых экспериментальных данных видно, что максимальная величина погрешности аппроксимации в предлагаемом 6 способе не превышает 0,5 С, что болееочем на порядок меньше величины погрешности аппроксимации, получаемой в известном способе.В обшем случае, при произвольном зна О чении М , экспонента ( 2) полностью определится (+ 1) коэффициентами, для вычисления которых необходимо решить систему ( И + 1) уравнений, подставив в них значения Т и Р, измеренные в ( Я + 1) базовых точках. Увеличение числа базовых точек выше 4-5 нецелесообразно, так как вычисления становятся громоздкими 1на температур, отличающийс я тем, что, с целью повышения точности опре деленич температуры, предварительную тари,ровку терморезистора осуществляют в трех базовых точках рабочего диапазона темпера тур, после:чепо неизвестную температуру Г определяют, измеряя сопротивление терморезистора при этой температуре, по фор- мулее где Т - определчемая температура ( К);измеряемое сопротивление терморезистора при температуре Т (ом ); Л, В и 33 , .постоянные для данного экземпляра терморезистора коэффициенты, вычисленные по измеренным в оазовых очках значенняк температур Т и сопротивленийпт гем решения систедк 1 ы уравненийд
СмотретьЗаявка
1889979, 07.03.1973
УРАЛЬСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. С. М. КИРОВА, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7734
ГАЙНАНОВ ХАНИФ НАСИБУЛЛОВИЧ, НЕЙМАН ЮРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01K 7/18
Метки: температуры
Опубликовано: 25.08.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-481795-sposob-opredeleniya-temperatury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения температуры</a>
Способ определения температурных напряжений при заданной температуре
Номер патента: 2002205
Опубликовано: 30.10.1993
Автор: Янышев
МПК: G01B 17/04
Метки: заданной, напряжений, температуре, температурных
...контролируемом теле научастке о-и. под действием тепловой энергии возникают сжимающие избыточные силы Рс, которые вызывают реакцииотталкивания частиц и реактивные температурные силы растяжения Р,р. Они образуютрастягивающие Тн относительно точки микроравновесия го, на участке спада,На фиг. 3 изображена модель образования ТН сжатия на участке постоянства от годо максимальной температуры, при которойматериал сохраняет упругие свойства.Сплошными линиями условно изображено(фиг. 2 и 3) состояние при го, штрихпунктирными (фиг, 2) - ниже го, фиг., 3 выше го, т.е.после дополнительного воздействия температуры относительно гона фиг,4 изображена температурная зависимость предела текучести из однородной стабилизированной стали ЭП 921.Здесь 0-1...
Медицинский электротермометр
Номер патента: 951084
Опубликовано: 15.08.1982
Автор: Виленкин
МПК: G01K 13/00, G01K 7/20
Метки: медицинский, электротермометр
...элементом является терморезистор, например, типа КМТ, Значение температурного 35 коэффициента таких терморезисторов в 5-10 раз больше, чем у металлических, что дает сравнительно большое изменение сопротивления в зависимости от температуры, Эти терморезисто ры обладают большим постоянством электрических свойств, однако они имеют большие отклонения сопротивления от номинального значения, достигающие 120, что затрудняет необхо димую взаимозаменяемость. Поэтому наибольшее значение для обеспечения широкого использования терморезисторов в медицинских термометрах имеет обеспечение простоты настройки термометров при условии большого разброса сопротивления терморезисторов. При использовании в термометре линейной шкалы и терморезистора...
Способ определения типа проводимости базового слоя меза диода
Номер патента: 1712906
Опубликовано: 15.02.1992
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа
...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...
Способ получения монокристаллов на основе меди,
Номер патента: 252289
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Горюнова, Орлов, Соколова, Цветкова, Шпеньков
МПК: C30B 29/10, C30B 9/06
Метки: меди, монокристаллов, основе
...и олово 45-1, что соответствует 30 20%-ному весовому содержанию тройного соединения в олове.Количество фосфора на 1 - 1,5 вес, % больше, чем следует, если исходить из формулы соединения. Это необходимо для того, чтобы скомпенсировать потери фосфора на окисление в процессе синтеза.Навеску вышеуказанных элементов помещают в кварцевую ампулу диаметром 25 лья. Эвакуированную до остаточного давления не ниже 10 з торр и запаянную ампулу помещают в печь. Вначале производится быстрьш нагрев до температуры 400 - 450 С, затем после часовой выдержки с вибрацпонным перемещением - быстрьш подьем температуры до Т,., =1050+ 50 С. После часовой выдержки при максимальной температуре расплав медленно (20+5 С/час) охлаждается до температуры 400 С....
Способ определения теплофизических характеристик материалов
Номер патента: 859893
Опубликовано: 30.08.1981
Авторы: Гердаускене, Янкелев
МПК: G01N 25/18
Метки: теплофизических, характеристик
...г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Указанная цель достигается тем, что образец повторно термостатируют, увеличивают число источников тепла, сохраняя неизменным их растояние до точки измерения тепла, одновременно воздейсч вуют на образец всеми источниками тепла, при этом мощность каждого источника уменьшают пропорционально их числу, а об искомых характеристиках судят посредством экстраполяции результатов вычислений на нулевое значение мощности источника тепла.Способ осуществляется следующим образом.В исследуемом образце располагают 6-10 линейных источников на одинаковом расстоянии симметрично относительно одного датчика температуры. После термостатирования образца при заданной температуре, например влажного грунта при температуре ниже нуля,...
Предыдущий патент: Способ линеаризации температурной зависимости сопротивления чувствительного элемента термометра
Следующий патент: Способ измерения температуры в натурных условиях
Случайный патент: Интерферометр рэлея