Мультивибратор

О П И С А Н И Е 299019ИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетскиз Социалистическиз Ресоублинависимое от авт, свидетельства-аявлено 24.Х 1.1969 (ЭЙ 1378327/26-9 313 исоединением заявкикомитет по делам изобретений и открыт при Совете Мииистро СССРиоритет -Опубликовано 16,11.1971. БюллетеньДата опубликования описания 22,1 Ч.1971 ДК 621.373.431.1аявител МУЛЪТИВИБРАТОР схема предлагае 3 Предлагаемое,изобретение отосится к области им 1 пульсной радиотехники, к схеме известного мультивибратора с коллекторнобазовой связью и эмиттерной емкостью, и можетбыть применено в импульсных схемах, где от 5мультивибратора требуется большая скважность, импульсов,Известны мультивибраторы на транзисторах с коллвкторнобазовой обратной связью иэмиттерной емкостью, с дополнительным транзиствром противоположного типа проводимости.С целью значительного увеличе 1 ния окважности генерируемых мультивибратором имстульсов в предлагаемом устройстве параллельно эмиттерному кондвнсатору через разделительный кремниевый диод включаетсядобавочный конденсатор значительно большей емкости, при этом общая точка добавочного конденсатора и разделительного диода 20через небольшое токоограничивающее сопротивление соединяется с коллектором дополнительного транзистора обратного типа проводимости, база которого через резистор соединяется с коллектором, первого транзистора 2 дмультввибратора, а эмиттер дополнительноготранзистора соединяется с шиной коллекторного пита,ния,На чертеже изображенамого мультивибратора. Основные транзисторы 1 и 2, резисторы 3 - 7, конденсаторы В и 9 и диоды 10 и 11 образуют известную схему мультивибратора с коллекторнобазовой связью и эмиттерной емкостью.Параллельно эмиттерному конденсатору 9 через разделительный крехтниевый диод 12 подсоединен добавочный конденсатор 13 значительно большей емкости.Общая точка разделительного днода 12 и конденсатора 13 через токоограничивающий резистор 14 соединяется с коллектором дополнительного транзистора 15 обратного типа проводимости, причем база дополнительного транзистора 15 через резистор 16 связана с коллектором основного транзистора 1, а эмиттер дополнительного транзистора 15 - с шиной колл екторн ого питания.Предлагаемая схема работает следующим образом.транзистор 1 закрыт отрицательным напряжением на конденсаторе 9, а тра(нзистор 2 открыт и насыщен, при этом дополнительный транзистор 15 также закрыт, а .на добавочном конденсаторе 13 от действия предыдущего импульса появляется отрицательное напряжение ло абсолютной величине меньше, чем напряжение на конденсаторе 9. Заряд, накопленный конденсатором 13, нахтного превосходит заряд, накоплекный конденсатором 9, так как емкостьконденсатора И превышает емкость конденсатора 9, и конденсатор 13 даже через небольц 1 ой токоограничивающий резистор 14 и заходящий на некоторое время в насыщение дополнительный транзистор 15 во вовремя генерирования импульса не успевает зарядиться до того на,пряжения, до которого заряжается основной эмиттерный конденсатор 9, хотя при этом конденсатор 13 и накапливает значительный заряд. Это приводит к тому, что кремниевый диод 12 смещен в обратном направлении, а конденсаторы 9 и И разделены.После этого начинаегся перезаряд конденсатора 9 через резистор 7 от источника +Еэ. Сначала этот процесс идет быстро, пока напряжения на конденсаторах 9 и 13 примерно не сравняются. Затем открывается диод 12, конденсаторы 9 и 13 соединяются параллельно и вместе перезаряжаюгся от источника +Еэ через резистор 7.Постоянная времени цепи перезаряда резко возрастает, и так как в конденсаторе 13 накоплено большое количество энергиями, то пауза между импульсами возрастает в неоколько десятков раз. Конденсаторы 9 и И разряжаются до такого напряжения, при котором начинает открываться транзистор 1. Мультивибратор опрокидывается, транзистор 2 закрывается, а транзистор 1 открывается и насыщаетсяпри этом почти одновременно открывается и насыщается на некоторое время дополнительный транзистор 15 обратного типа проводимости.Конденсатор 9 заряжается через открытый транзистор 1 и параллельную цепочку, состоящую из резисторов 3 и 1 б и сопротивления эмиттер - база насыщенного в течение некоторого времени дополнительного транзистора 15. С ним в большинстве случаев можно не считаться, так как величина резистора 1 б больше указанного выше сопротивления эмиттер - база транзистора 15.Шунтирующее действие резистора 1 б учигывается при расчете длительности импульса мультивибратора.Конденсатор 13 начинает заряжаться от источника - Е,. через насыщенный в течение некоторого времени дополнительный транзистор 15, и токоограничивающий резистор 14. Однако ввиду большой разницы в величинах конденсаторов 13 и 9, а также неоольшой задержки, вносимой дополнительным транзистором 15 и неоольшой величины коллектор 10 5 20 25 30 35 40 45 50 ного сопротивления транзистора 1, рост напряжения на конденсаторе 9 значительно опережает:рост напряжения на кондвнсаторе 13, ло этому разделительный диод 12 почти мгновенно закрывается в самой начальной стадии рормирования имлульса и отключает конденсатор И. Длительность импульса не завиоит от конденсатора 13, а определяется, в основном, величи)ной конденсатора 9 и величиной сопротивления в коллекторе транзистора 1, если считать, что величины других деталей и напряжения источников питания уже выбраны. Так как указанные величины конденсатора 9 и сопротивления в коллекторной цепи выбираются сравнительно небольшими, то отсюда следует, что от мультивибратора можно:получить сравнительно короткие импульсы прямоугольной формы, например, длительностью несколько микросекунд на транзисторах МП 42 А, т, е. такую же длительность и форму импульсов, как и у известного мультивибратора.После заряда конденсатора 9 от источника - Е, через транзисгор 1, резисторы 3 и 15 и участок база - эмиттер транзистора 15 транзистор 1 закрывается и мультивибратор опрокидывается. Транзистор 2 открывается, закрывая при этом транзистор 15. Дальше процессы повторяются.Таким образом предлагаемый мультивибратор увеличивает скважность в несколько десятков раз.практически без изменения формы и длительности генерируемых импульсов. Предмет изобретения Мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми обратными связями и эмиттерной емкостью, с дополнительным транзистором противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью значительного увеличения скважности генерируемых импульсов, параллельно эмиттерному конденсатору через разделительный диод подключен добавочный конденсатор, при этом общая точка соединения добавочного конденсатора и разделительного,диода подключена через токо- ограничивающий резистор к коллектору дополнительного транзистора, база которого через резистор соединена с коллектором основного транзистора мультивибратора, а эмиттер дополнительного транзистора соединен с шиной коллекторного питания.299019 Ек дьи Составитель Л. БагянТехред Л, Л. Евдонов Корректор Т, А, Китаева Редактор Т. И. Морозова Тип. Харьк. фил, пред, Патент Оаказ 111/460. Изд, М 343, Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5