Дифференциальный усилитель напряжения

Схема предлагаемого изобретения представлена на чертеже,Шина входного напряжения схемы усилителя соединена с обкладкой конденсатора С 1 и базой и-р-и-транзистора Т 1, эмиттер которого соединен с эмиттером и-р-и-транзистора Тг и выводом генератора вытекающего тока.Коллектор транзистора Т 1 соединен с выводом резистора В 1. Коллектор транзистора Т 2 соединен с. резистором В 2 и шиной выходного напряжения схемы. Эмиттер транзистора Тз соединен с обкладкой. конденсатора С 2 и выводом резистора В 4, второй вывод которого соединен с другим выводом генератора вытекающего тока и шиной источника. постоянного отрицательного напряжения -Е,Второй вывод конденсатора С 2 соединен с базой транзистора Т 2 и выводом резистора В 5, другой вывод которого соединен с шиной нулевого потенциала и базой транзистора. Тэ, коллектор которого соединен со второй обкладкой конденсатора С 1 и выводом резистора Вз, второй вывод которого соединен со вторыми выводами резисторов В 1 и В 2 и шиной источника постоянного положительного напряжения +Е,Основу схемы усилителя напряжения составляет дифференциальный каскад на транзисторах Т и Т 2, работающий на нагрузочные резисторы В 1 и В 2, Питание транзисторов осуществляется генератором вытекающего тока. Как известно, при.действии на входе такого. усилителя высокочастотного напряжения в базах транзисторов Т 1 и Т 2 возникают емкостные токи, происхождение которых связано с барьерными емкостями коллектор-база этих транзисторов и конечным временем распространения неосновных носителей заряда в их базах, С ростом частоты входного напряжения растет и амплитуда этих емкостных базовых токов, которые (если не принять специальных мер) создают падение напряжения на внутреннем сопротивлении источника входного напряжения, что резко уменьшает полосу пропускания усилителя. При этом в случае одинаковости параметров транзисторов Т 1 и Т 2, а также равенстве номиналов нагрузочных резисторов В 1 и В 2 эти емкостные базовые токи имеют всегда примерно равную величину и противоположные знаки,Недостаток схемы прототипа, связанный с ограничением полосы пропускания, устраняется путем введения в схему транзи Формула и зоб рете н и я Дифференциальный усилитель напряжения, содержащий первый п - р - и-транзисторбаза которого является входом З 0 усилителя, а коллектор через первый резистор соединен с положительной шиной питания, и второй и - р - п-транзистор, коллектор которого через второй резистор соединен с положительной шиной питания, З 5 при этом эмиттеры транзисторов соедине. ны и через генератор вытекающего тока подключены к отрицательной шине питания, а точка соединения коллектора второго и - р - п-транзистора и второго резистора 40 является выходом усилителя, о т л и ч а ющ и й.с я тем, что, с целью расширения полосы пропускания, введены третий и - р - п-транзистор, третий, четвертый и пятый резисторы и первый и второй конденсато ры, при этом база третьего и - р - п-транзи.стора соединена с общей шиной, коллектор через третий резистор соединен с положительной шиной питания и через первый конденсатор - с базой первого и - р п-транзистора, а эмиттер через четвертыйрезистор соединен с отрицательной шиной питания и через последовательно соединенные второй конденсатор и пятый резистор - с общей шиной, причем точка соединения 55 второго конденсатора и пятого резистораподключена к базе второго и - р - и-транзистора. 5 10 15 20 25 стара Тз, включенного по схеме с общей базой. Этот транзистор используется для замыкания через конденсаторы С 2 и С 1 емкостного базового тока транзистора Т 2,набазу транзистора Т 1(вход схемы усилителя), гдепроисходит взаимная компенсация (вычитание) емкостных базовых токов транзисторов Т 1 и Т 2, что резко увеличивает входное сопротивление схемы на высоких частотах,Таким образом, благодаря транзистору Тэ падение напряжения от емкостных составляющих базовых токов транзисторов Т 1 и Т 2 на внутреннем сопротивлении источника входногО напряжения практически отсутствует, что и является причиной резкого расширения (в 2 - 3 раза) полосы пропускания схем ы и редлагаемого усилителя по сравнению с прототипом,Резистор В 4 является токоэадающим для транзистора Тэ. Резисторы В 5 и Вэ используются для получения достаточной по величине доли, замыкаемого на базу транзистора Т 1, емкостного тока базы транзистора 12.1806440 Составитель П.ДзардановТехред М,Моргентал Корректор М Куль еда кто аказ 978 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5при ГКНТ ССС Произв твенно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул,Гагарина, 10