Способ получения демпфера ультразвукового преобразователя

(19) ( 719412 А И Т евски ПФЕЗОВА нию деза ватеающем овысить войства попучексидной - дибу- рамовольфдитеп зобретениму контролпения дебразователель изобреьности ира,ример юще гото прео вите осуществляли поЗаливку каж разователей пр предыдущего сл туре в течение 3 преобразоватеп 24 чпри 20 С,по кой,ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ИСАНИЕ ИЗОБР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Авторское свидетельство СССРМ 832465, кл. 6 01 й 29/04, 1980.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕРА УЛЬТРАЗВУКОВОГО ПРЕОБРТЕЛЯ(57) Изобретение относится к получемпферов ультразвуковых преобралей, используемых при неразрушконтроле, Изобретение позволяет ичувствительность и поглощающие сдемпфера за счет того, что е способения демпфера путем смешения эподиановой смолы с пластификаторомтилфталатом, наполнителем -вым порошком и отвер е относится к неразрушаю и касается способа измпферов ультразвуковых еи.тения - повышение чуестпоглощающих свойств деИзготовление композиции известной технологии. дого слоя в корпусе преобоизводипи после выдержки оя при комнатной темперач. После заливки всех слоев и выдерживались в течение сле чего закрывались пробя)5 С 08 3 63/02, С 08 К 3/08 В 1/28,6 01 й 29/04полиэтиленполиамином с последующей заливкой в форму и отверждением при комнатной температуре, демпфер изготав,ливают послойным, при этом заливку каждого последующего слоя осуществляют до окончания попимеризации предыдущего слоя. Первый слой содержит, мас.ч.: эпоксидная диановая смола 100 - 105; вольфрамовый порошок 65 - 70; полиэтиленполиамин 10 - 15, второй слой . содержит, мас,ч.: эпоксидная диановая смола 100 - . 105, вольфрамовый порошок 65 - 70; полиэтиленполиамин 10 - 15; дибутилфталат 10 - 15, третий слой содержит, мас.ч,: эпоксидная диановая смола 100 - 105, вольфрамовый порошок 65- 70; полиэтиленполиамин 10 - 15; дибутилфталат 20 - 35, четвертый слой содержит, мас.чэпоксидная диановая смола 100 - 105; вольфрамовый порошок 65 - 70. дибутилфталат 30 - 50.3 табл,Для исследования был изготовлен ряд преобразователей частотой 5 МГц по описанной технологии диаметром пьезопластины 6 мм с демпфирующими слоями, состав которых приведен в табл,1.Сравнительный анализ характеристик полученных преобразователей приведен в табл.2,В табл.3 приведены характеристики полученных преобразователей в сравнении с известным решением.Формула изобретения Способ получения демпфера ультразвукового преобразователя, включающий смешение эпоксидной диановой смолы с пластификатором - дибутипфталатом, на1719412 Второй слойЭпоксидная диановаясмолаВольфрамовый порошокПолиэтиленполиаминДибутилфталатТретий слойЭпоксидная диановаясмолаВольфрамовый порошокПолиэтиленполиаминДибутилфталатЧетвертый слойЭпоксидная диановаясмолаВольфрамовый порошокДибутилфталат 100 - 105 65 - 70 10 - 15 10 - 15 100 - 10565 - 7010 - 1520 - 35 100 - 10565 - 7030-50 Таблица 1 Количественный состав демпферов преобга ователей Эпоксидная П о р о ш о к Полизтиленпосмола ЭД - 20, вольфрамо- лиамин, мас.ч, мас. ч. вый, мас. ч. Состав слоя ПреобразовательДибутилфталат, мас,ч,12,5 1.2,5 12,5 12,5 65 65 65 полнителем - вольфрамовым порошком, и отвердителем - полиэтилен полиамином с последующей заливкой в форму и отверждением при комнатной температуре, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения 5 чувствительности и поглощающих свойств преобразователя, демпфер изготавливают послойным, при этом заливку каждого последующего слоя осуществляют до окончания полимеризации предыдущего слоя при 10 следующем соотношении компонентов по слоям, мас.ч,;Первый слойЭпоксидная диановаясмола 100 - 105 15 Вольфрамовый порошок 65 - 70 Полизтиленполиамин 10- 15 1 100 100 100 100 2 100 100 100 100 3 100 100 100 100 4 100 . 100 100 100 5 100 100 3 100 100 ш 1 105 2 105 3 105 4 1051719412 Таблица 2 Осйовные характеристики экспериментальных преобразователей аблица 3 сХарактеристикапреобразователей Демпфе актеристики посизготовления сота. м арактеристики поста ения на 120 ч н а 10 230 322 132 звестныиол ченныйТираж Подписное И Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5изводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 Частотапрозвучивания, МГц между принятыми эхосигналами Йс, б коэффициентзатухния ммежду принятыми эхосигналами йс, б коэффи-"циент затухания (м)