Свч-преобразователь

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Номер патента: 1730600

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Плигин

МПК: G01R 27/28

Метки: параметров, плата, свч-транзистора, тестовая

...имеющих то же волновое сопротивление 2 и длину, меньшую или равную длине каждой части микрополосковой линии 1. Симметрично относительно ее концов на тестовой плате расположен третий разомкнутый на конце отрезок микрополосковойлинии 6 с волновым сопрогивлением 2 идлиной, равной длин", каждой части микрополосковой линии 1. При этом расстояниеот его начала до оси микрополосковой линии 1 равно/2, а расстояние от его концадо края расположенной на одной с ним осикороткозамкнутой контактной площадки 3соответствует величине разрыва в серединемикрополосковой линии 1 и должно быть неменее размера корпуса исследуемого транзистора.Измерение параметров рассеяния ВЧи СВЧ - транзисторов в шестиполюсномвключении с помощью предлагаемой платыможет...

Номер патента: 970906

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Афанасьев, Будкевич, Вевиорский, Прокофьева, Соколов, Фролов

МПК: C30B 29/42, H01L 29/20

Метки: материал, полупроводниковый, свч, транзисторов

...хрома и кислорода, которые находяТся в структурно-связанном состоянии и в определенном соотношении . 40Отличие способа состоит в том, что примеси хрома и кислорода в виде глубоких акцептора и донора соответственно находятся в структурно связан ном состоянии при следующем соотно ,шенин компонентов, ат/смз:Арсенид галлия 4,42 10Хром (1-8) 106Кислород (1-10)10850Хром и кислород вводятся совместно в виде окиси хрома при компоновке шихты для получения высокоомного арсенида галлия методом Чохральского.Указанное количество хрома и кислоро да тождественно весовому проценту окиси хрома, вводимой в шнхту, и составляет О,02-0,067, по массе от исходного веса арсенида галлия,Указанное соотношение компонентов обеспечивает получение...

Номер патента: 1083136

Опубликовано: 30.03.1984

Автор: Попов

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, свч, транзисторов

...соединен с первой шинойконтактной головки 2 для подключенияиспытуемого транзистора, вторая шинакоторой соединена с выходом источника 3 питания транзистора, а третьячерез последовательно соединенныенаправленные ответвители 4-6,включенные в линии передачи СВЧ мощности, соединена с согласованнойнагрузкой 7,.второй выход генератора1 рабочего СВЧ сигнала подключенчерез аттенюатор 8 к первому входумодулятора 9, второй вход которогосоединен с выходом генератора 10низкой частоты, а выход в , с входомответвителя 6, входы ответвителей4 и 5 соответственно соединены черезпоследовательно соединенные детекторы ,11 и 12 и избирательные усилители 13и 14 с первым и вторым входами измерителя 15 отношения, выход которогоподключен к индикатору...

Номер патента: 2002271

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Акчурин, Огнищев

МПК: G01R 31/26

Метки: быстродействия, свч-транзисторов, фотодетекторов

...излучения многочастотного лазера после его детектирования на быстродействующем фотодетекторе.Последовательность операций, необходимых для реализации данного способа в соответствии со схемой, показанной на фиг.1, выглядит следующим образом.Излучение многочастотного инжекционного полупроводникового лазера 1 с просветленной рабочей гранью, внешким перестраиваемым резонатором, содержащим микрообъектив 2, в фокусе которого находится активная область лазера, и юстируемое полупрозрачное зеркало или дифракционную решетку, светоделительной пластинкой 5 делится на двз пучка, один из которых используется для измерения оптического спектра излучения с помощью дифракционного монохроматора или эталона Фабри-Перо б, низкочастотного фотодетектора...