Высоковольтный логический элемент

)5 Н 03 К 19/О САНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРС СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕ ННЫ Й КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССР М 995332, кл. Н 03 К 19/00, 1981.Авторское свидетельство СССР М 1058060, кл, Н 03 К 19/00, 1982.(54) ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ(57) Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для управления газоразрядными индикаторными панелями. Целью изобретения является расширение области применения за счет Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано, в частности, для управления газоразрядными индикаторными панелями.Целью изобретения является расширение области применения высоковольтного логического элемента за счет обеспечения возможности управления индикаторными панелями, имеющими разброс электрических параметров.На чертеже представлена прйнципиальная схема высоковольтного логического элемента.Высоковольтный логический элемент содержит входной диод 1, фазорасщепляющий транзистор 2 п-р-п-типа, первый и второй резисторы 3, 4, развязывающий диод 5, первый и второй транзисторы 6 и 7 и-р-п-типа, третий транзистор 8 р-п-р-типа, третий, четвертый и пятый резисторы 9, 10 ф и 11, дополнительные диод 12 и резистор 13, втообеспечения возможности управления индикаторными панелями, имеющими разброс электрических параметров. Высоковольтный логический элемент содержит фазорасщепляющий транзистор и-р-птипа, входной диод, развязывающий диод, шесть резисторов, первый, второй, четвертый и пятый транзисторы п-р-п-типа, третий транзистор р-п-р-типа, Введение дополнительных резисторов и диода, пятого и шестого транзисторов п-р-п-типа, двух резисторов и второго развязывающего диода позволяет регулировать выходной ток, тем самым компенсируя разброс по яркости между разными индикаторными панелями.1 ил. рой развязывающий диод 14, первый и вто- Я рой диоды 15 и 16, шестой, пятый и четвертый транзисторы 17, 18 и 19 п-р-п-типа, восьмой, седьмой и шестой резисторы 20, 21 ф и 22. Катод диода 1 соединен с входом 23, (анод - с базой транзистора 2 и первым выво- Дь дом резистора 3, второй вывод которОго со- ) единен с низковольтной шиной 24 питания О и через резистор 4 с коллектором транзисто- у ра 2, эмиттер которого через диод 5 соединен с базой транзистора 6 и через резистор 9 с общей шиной и эмиттером транзистора 6, коллектор которого соединен с выходом 25, эмиттером транзистора 7 и через рези- д стор 10 с базой транзистора 7 и коллектором транзистора 8, база которого соединена с первым выводом резистора 11, анод диода 12 и первый вывод резистора 13 подключены к высоковольтной шине 26 питания, катод диода 12 соединен со вторым выводом резистора 11, а второй вывод резистора 13 -и 18 соответственно, Од 14 - падение напряжения на диоде 14, и ОкэоОэБ, транзисторы 17 и 18 будут закрыты. Транзистор 19 50 с коллектором и эмиттером транзисторов 7, 8, анод диода 14 соединен с коллектором транзистора 2, катод с базой транзистора 17 и через резистор 20 с общей шиной и эмиттером транзистора 18, база которого соединена с эмиттером транзистора 17, коллектор - с коллектором транзистора 17 и через резистор 21 с эмиттером транзистора 19, коллектор которого соединен с базой транзистора 8, а база с входом управления 27, через диоды 15, 16 и резистор 22 с общей шиной.В зависимости от уровня входного сигнала на входе 23 на выходе 27 формируется высокий либо низкий уровень напряжения. При задании высокого уровня напряжения на выходе 27 выходной вытекающий ток определяется величиной тока, заданного по входу управления 27;Высоковольтный логический элемент работает следующим образом,Пчсть на входе 27 сигнал логической "1", На аноде диода 1 потенциал не менее чем Оех.1+ ОД 1= 2,7 В, что достаточно длЯ откРывания транзисторов 2 и 6. На базе транзистора 2 формируется напряжениеОБ 2 = ОЭБ 2+ Од 5+ ОэБ 6,где ОэБ 2, ОЭБ 6 - падение напряжения на база-эмиттерном переходе транзисторов 2 и 6 соответственно;Од 5 - падение напряжения на диоде 5, Учитывая, что транзистор 2 открыт, на его коллекторе формируется напряжениеОк 2 = ОэБ 6+ ОД 5+ Окэ 02, где Окэо 2 - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора 2.Учитывая, что для открывания транзисторов 17 и 18 необходимо создать на коллекторе транзистора 2 напряжение не менее Ок 2ОД 14+ ОэБ 17+ ОЗБ 18, где ОэБ 17 и ОэБ 18 - падение напряжения на база-эмиттерном переходе транзисторов 17 будет также закрыт, а следовательно, закрыты и транзисторы 8 и 7. Открытый транзистор 6 формирует низкий уровеньнапряжения на выходе 25,При задании на входе 23 сигнала логического "О" на аноде диода 1 напряжение не более чем Ох+ Од 1 = 1,4 В, что является недостаточным для открывания транзисторов 2 и 6, последние закрыты, и на коллекторе транзистора 2 формируется напряжение, достаточное для открывания транзисторов 17 и 18, Пусть по входу 27 задан ток , Он формирует напряжение на входе управления 5 10 15 20 25 30 35 40 Оупр = 2 Од +В 22, (1) при этом считается,что ток базы транзистора 19 достаточно мал, и им можно пренебречь,Аналогично можно записать:Оупр = ОЗБ 19+В 21+ ОЗБ 18+ Окэ 017, (2)где ОКЭ 017 - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора 17;- ток, текущий через резистор 21, Сравнивая выражения (1) и (2) и учитывая, что ОэБ 19 = ОЭ 18 = Од имеемВ 22 =В 22 + ОКЭ 017, откудаВ 22 - ОКЭ 017(3)В 21 Так как ток базы т 1 ранзистора 19 достаточно мал, принимаем= 19. Протекающий токсоздает на базе транзистара 8 потенциалОБ 8= Осс - ОД 12В 11, (4) где Осс - напряжение высоковольтного источника питания. Аналогично можно записатьОБ 8 = Осс -В 13 - ОэБЯ (5) Сравнивая выражения (4) и (5), имеем1 В 11= В 1 З, откуда В(6)В 1 З при этом принимается малый ток базы транзистора 8, действительно,.транзисторы 8 и 7 эквивалентны одному транзистору с коэффициентом усиления, равным произведеник 1 коэффициентов усиления этих транзисторов,1Подставляя в выражение (6) значениеиз выражения (3), имеем1%2 - ОКЭ 017В 11В 21В 13Таким образом, выходной вытекающий ток .есть функция входного управляющего тока и, следовательно, может измениться в определенных значениях в зависимости от входного управления тока, что позволяет устанавливать начальную яркость всех элементов отображения, тем самым компенсировать технологический разброс по яркости между разными индикаторными панелями, Формула изобретения Высоковольтный логический элемент, содержащий входной диод, фазорасщепляющий транзистор п-р-п-типа, шесть резисторов, развязывающий диод, первый, второй, четвертый и пятый транзисторы и-рп-типа, третий транзистор р-п-р-типа, анод первого диода через второй диод и шестой1649657 ред М. Моргентал Корректор Т.Малец Каменская едак Заказ 1873 Тираж 472 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 1 резистор соединен с общей шиной, катод входного диода соединен со входом; анод - с базой фазорасщепляющего транзистора и через первый резистор соединен с низковольтной шиной питания, которая через второй резистор соединена с коллектором фаэорасщепляющего транзистора, эмиттер которого через раэвязывающий диод соединен с базой первого транзистора и через третий резистор с общей шиной и эмиттером первого транзистора, коллектор которого соединен с выходом, эмиттером второго транзистора и через четвертый резистор с базой второго транзистора и коллектором третьего транзистора, эмиттер которого соединен с коллектором второго транзистора, а база соединена с коллектором четвертого транзистора и первым выводом пятого резистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения области применения высоковольтного логического элемента, в него введены дополнительные диод и резистор, анод дополнительного диода и первый вывод дополнительного резистора подключены к высоковольтной шине пита ния, катод дополнительного диода соединен со вторым выводом пятого резистора, а второй вывод дополнительного резистора - с коллектором второго транзистора, анод второго развязывающего диода соединен с 10 коллектором фазорасщепляющего транзистора, а катод - с базой шестого транзистора и-р-и-типа и через восьмой резистор с общей шиной и эмиттером пятого транзистора п-р-п-типа, база которого соединена с 15 эмиттером шестого транзистора, а коллектор с коллектором четвертого транзистора и через седьмой резистор с змиттером шестого транзистора п-р-п-типа, коллектор которого соединен с базой третьего 20 транзистора, а база - с входом управления, анодом первого диода. Ж