Устройство с лямбда-характеристикой

:ЗУЛ)";.1 К 3/28, 19 ГОСУДАРСТВЕННЫЙПО ИЗОБРЕТЕНИЯМПРИ ГКНТ СССР ИТЕТКРЫТИЯЫ ПИ ЕНИЯ Е ИЗОБ ИДЕТЕЛЬ СТОУ К АВТОРСКОМ 17И,Герв епьство СССРК 3/28, 1985,еменова О,В. Переклюна лямбда-транзист, с. 97, рис. 1 г,ЯМ БДА-ХАРАКТЕ РИ 4) УСТРОИСТВТИКОЙ левого МДП-транзканалом и-типа соуправления, истокэистора 6 р-типа,к общей шине.Устройство ра ится к импульсной спользовано в схевых устройств, сисателей,расширение облаистора 5 со встроенн динен с второй шина - с истоком пятого тр ТОК КотоРОГО ПОДКЛЮ 6 тает следующим о зом. электрическая схе -характеристикой ерные характериоясняющие его ра(21) 4699482/21(56) Авторское свидетЛЬ 1195422, кл, Н 03Дьяконов В,П., Счающие устройстварах, - ПТЭ, 1977, гв 5 Изобретение относ технике и может быть и мах генераторов, порого тем защиты, преобразов Цель изобретения -сти применения. На фиг. 1 приведена ма устройства с лямбд на фиг. 2 а и б - вольт-ам стики (ВАХ) устройства, п ботуУстройство с лямбда-характеристикой состоит.иэ первого полевого МДП-транзистора 1(со встроенным каналом п-типа, сток которого подключен к шине питания и затвору второго транзистора 2. стоку третьего транзистора 3, затвор - к первой шине 4 управления, исток - к истоку второго транзистора 2 и затвору третьего транзистора 3, сток второго полевого МДП-транзистора 2 со встроенным каналом р-типа подключен к общей шине, исток третьего полевого МДП- транзистора 3 большей площади с индуцированным каналом п-типа соединен со стоком четвертого транзистора 5 и затвором пятого транзистора 6, затвор четвертого по(57) Изобретение Относи 1 ся к импульсной технике и может быть использовано в схемах генераторов, пороговых устройств, систем защиты преобразователей Цель изобретения - расширениеобласти применения. Устройство содержит МДП-транзи сторы 1 - ,3, 5 и 6, первую 4 и вторую 7 шины управления. Введение МДП-транзисторов 3, 5, 6 и новых конструктивных связей приводит к увеличению числа пиков тока, что позволяет более эффективно управлять вольт-амперной характеристикой устройства,2 ил,Поскольку каналы транзисторов 1 и 2 при напряжении на затворе, равном нулю, ф проводят ток, то при увеличении напряже- (Ь ния питания, приложенного к выводу +Оп фЬ, устройства, выше нуля ток, протекающий через устройство, возрастает (участок 1 на рр фиг. 2), Падение напряжения на одном из транзисторов 1 и 2 является напряжением смещения другого транзистора пары в направлении уменьшения протекающего че.- рез него тока, Поэтому ток через пару транзисторов 1 и 2 достигает максимально-, а го значения (точка А на фиг. 2 а) при Оо = Оотс любого транзистора пары 1 и 2 и начинает уменьшаться (участок 11 с отрицательным сопротивлением на фиг. 2) до тех пор, пока оба транзистора 1 и 2 не перейдут в состояние отсечки (точка В на фиг, 2 а), Таким образом, эту пару транзисторов можно рассматри 1647886Фвать как структуру, охваченнуЮ положительной обратной связью, т.е. лямбда-диод.Существует следующая зависимостьмежду напряжениями затвора и стокатранзисторов 1 и 2: Оэ = -708, где-коэффициент обратной связи каскада. Если транзисторы 1 и 2 полностью симметричны, то у= 1, т.е. Оэ = -Ое.Для рассмотреной пары затвор транзистора 1 отключен от стока транзистора 2 исоединен с шиной 4 управления, что даетвоэможность управлять формой ВАХ и контролировать параметры первого пика токаВАХ устройства изменением величины управляющего напряжения Оупр,ь т.е. длятранзистора 1 коэффициент у меняется одновРеменно с изменением Оупря (см. фиг. 2 б);По сути дела мы имеет лямбда-диод с управлением,Транзистор 3 начинает работать толькотогда, когда напряжение в точке соединения истоков транзисторов 1 и 2 достигаетпорогового значения Опор.з. Рассмотримслучай, когда напряжения отсечки равны поМадуЛЮ:Оотс,1=Оотс,2 =Оотс.4=Оотс 5= Оотс 12,45, КОГда ПОРОГОВОЕ На Оотс 1+Оотс 2,пряжение Опор , начинает открываться транзистор 3, А так какпоследний работает в режиме истоковогоповторителя (с коэффициентом передачи.по напряжению, равным 1, поскольку площадь его больше площади любого транзисторов 1, 2, 4, 5), то напряжение,приложенное к его затвору, передается наисток и приводит к передаче напряженияпитания на очередную пару транзисторов 4и 5, образующих вторую структуру, охваченную положительной обратной связью,т.е, второй лямбда-диод; Также как и первый, он имеет такую же лямбда-характеристику с пиком тока при напряжении назатворе транзистора 3 и соответственно вточке соединения истока транзистора 3 свыводом второго лямбда-диода, равном 3Оотс 1,2,4,5Интервал между пиками тока наВАХ устройства можно регулировать, управляя пороговым напряжением тоанзистора 3 см. фиг. 2 а, кривые при 5ОпорзОотс 1,2,4,5иОпор.эОотс 1,2,4,5Количество пиков ВАХ можно увеличивать и дальше, подключая в точке соединения истоков транзисторов предыдущего 1 О лямбда-диода с управлением затвор следующего транзистора большей площади, сток которого соединяют с шиной питания, исток с одним выводом следующей пэры транзисторов, образующих лямбда-диод с управ лением, Другой вывод лямбда-диода суправлением соединяют с общей шиной. Формула изобретения Устройство с лямбда-характеристикой,содержащее первый и второй полевые МДП-транзисторы со встроенным каналом, сток первого транзистора со встроенным каналом и-типа соединен с шиной питания, затвором второго транзистора со встроенным каналом р-типа, затвор соединен с первой шиной управления, исток - с истоком второго транзистора со встроенным каналом р-типа, сток которого подключен к общей шине, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с 3 О целью расширения области применения устройства, в него дополнительно введены третий полевой МДП-транзистор большей площади с индуцированным каналом и-типа, четвертый МДП-транзистор со встроенным каналом и-типа и пятый полевой МДП-транзистор со встроенным каналом ртипа, причем сток третьего транзистора соединен с шиной питания и стоком первого транзистора, затвор - с точкой соединения 4 О истоков первого и второго транзисторов, исток - со стоком четвертого и затвором пятого транзисторов, затвор четвертого транзистора соединен с второй шиной управления, исток - с истоком пятого транзи стора, сток которого подключен к общейшине.1647886 витель А.Цеханод М,Моргентал 0 И Корректор М Редакт ароаи та по изобретениям , Ж, Раушская на Моск б.,нат "П на,3 здзтВльский ко ит", г. Ужгород, ул.Га аказ 1652 ВНИИПИ Государ ОиэвОДСтвен Тираж ВВннОГО 113035,пиСнОВоткрытиям при ГКНТ