Полумостовой двухтактный формирователь

,Плюснин П, Источники бестрансфор и связь, 1987 ХТАКТНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТГНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ПИСАь.тИЕ И КОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) Патент США М 4041411кл. Н 03 Р 21/00, 1977,Бас А,А., Миловэоров Ввторичного электропитанияматорным входом, - М.: Радис. 51, 70,(57) Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в генераторных устройствах большой и средней мощности и ключевых усилителях низкой частоты. Цель изобретения - повышение КПД и надежности в работе. Устройство содержит ь ранзисторы 1, 2, источник с шинами 5, 6, 10, диоды 7, 8, первую и вторую полуобмотки дросселя 9. В веде ие третьео и четвертого диодов и третьей и четвертгй обмоток дросселя 9 позволило в два раза уменьшить время закрывания транэисторов и тем самым уменьшить м 1 щность потерь на переключение в четыре раза. 1 ил,Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в генераторных устройствах большой и средней мощности и ключевых усилителях низкой частоты.Цель изобретения - повышение КПД и надежности в работе,На чертеже представлена электрическая принципиальная схема формирователя,Полумостовой двухтактный формирователь содержит первый и второй однотипные транзисторы 1 и 2, базы которых соединены с соответствующими входными шинами 3 и 4, а коллектор первого и эмиттер второго транзисторов 1 и 2 подключены к соответствующим шинам 5 и б питания и соответственно к катоду первого и аноду второго диодов 7 и 8, анод первого диода 7 соединен с коллектором второго транзистора 2 и концом первой полуобмотки дросселя 9, начало которой подключено к первой выходной шине 10 и концу второй полуоблютки дросселя 9, начало которой соединено с эмиттером первого транзистора 1 и катодом второго диода 8, вторая выходная шина подключена к общей шине 11 источника питания, третий и четвертый диоды 12 и 13 и вторая и третья обмотки дросселя 9, концы которых подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов 1 и 2, а начала через анод-катод соответственно третьего и четвертого диодов 12 и 13 - к коллектору соответственно первого и второго транзисторов 1 и 2,Формирователь работает следуюшим образом.На входных шинах 3 и 4 формируются противофаэные импульсные напряжения, обеспечивающие поочередное включение и выключение транзисторов 1 и 2. При этом обеспечивается насыщенный режим работы открытого транзистора, а также достигаегся поочередное форсированное включение транзисторов 1 и 2 и форсированное рассасывание заряда иэ база-эмиттерного перехода запираемого транзистора,Таким образом, транзисторы 1 и 2 обеспечивают поочередное замыкание потока энергии от источников положительного и отрицательного напряжения в нагрузку, чем достигается ключевое усиление импульсного напряжения.При работе генератора на расстроенную нагрузку либо при работе устройства в режиме широтно-импульсной модуляции часть времени периода переключений ток замыкается через диоды 7 и 8, чем обеспечивается рекуперация энергии в источники питания.5 10 15 20 25 30 ) 5 й 0 45 50 55 Использование насыщенного режима работы транзистора позволяет уменьшить мощность потерь. обусловленных их остаточными напряжениями, Основные потери в предлагаемом устройстве, так же как в известном устройстве, обусловлены потерями на переключение транзисторов и связаны с протеканием сквозного тока транзистор-транзистор,Использование в предлагаемом устройстве второй и третьей обмоток дросселя 9, обеспечивающих форсированное рассасывание заряда иэ база-коллекторного перехода закрываемого транзистора, позволяет более чем в два раза уменьшить время закрывания транзисторов, что приводит к уменьшению мощности потерь на переключение более чем в четыре раза по сравнению с известным устройствомДля нормальной работы предлагаемого устройства количество витков второй и третьей обл 1 оток дросселя 9 выбирается в 3,4 раза меньше количества витков основной обмотки дросселя 9. При переключении транзисторов к первой полуобмотке дросселя 9 прикладыв ется импульсное напряжени., которо трансформируется в третьЮ и четвертую обмотки дросселя 9, что приводит к отпиранию диодов 12 и 13 и протеканию тока через база-коплекторный переход транзисторов 1 и 2. Это приводит к задержке включения отпираемого транзистора и форсированному рассасыванию заряда (током, величина которого соизмерима с велииной рабочего тока) из базо-коллекторного перехода закрываемого транзистора. Указанный процесс обуславливает значительное уменьшение (более чем двухкратное) времени запиоания ранее проводившего транзис 1 ора, чтс приводит к уменьшению энергии, запасаемой в основной обмотке дросселя 9, от протекания сквозного тока транзистор-транзистор, За счет уменьшения времени выключения транзисторов в устройстве время рассеивания энергии, запасенной при сквозном токе, как минимум в два раза меньше, чем в известном устройстве, что позволяет обеспечить в два раза большую частоту переключений при сохранении высокой надежности работы,Таким образом, использование изобретения позволяет значительно повысить КПД и обеспечить высокую надежность работы устройства при более высокой частоте переключений.Формула изобретения Полумостовой двухтактовый формирователь, содержащий первый и второй однотипные транзисторы, базы которых соединены с соответствующими входными1622930 Составитель В. ЧижиковТехред М.Моргентал Корректор С. Шекмар Редактор А, Шандор Заказ 114 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 шинами, а коллектор первого и эмиттер второго транзисторов подключены к соответствующим шинам питания и соответстввнно катоду первого и аноду второго диодов, анод первого диода соединен с коллектором второго транзистора и концом первой полу- обмотки дросселя, начало которой подключено к первой выходной шине и концу второй полуобмотки дросселя, начало которой соединено с эмиттером первого транзистора и катодом второго диода, вторая выходная шина подключена к общей шине источника питания,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения КПД и надежности в работе, в него введены третий и четвертый 5 диоды и вторая и третья обмотки дросселя,концы которых подключены к базам соответственно первого и второго транзисторов, а начала через анод-катод соответственно третьего и четвертого диодов - к коллектору 10 соответственно первого и второго транзисторов.