Устройство для моделирования электромагнитного поля

(51) 5 ОБРЕТЕН И ИСА ДЕТЕЛЬСТ АВ ГОРСКОМУ ческий льство СССР 7/42, 1984, ДЕЛИРОВАНИЯ анало Цель т элек2 и Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и предназначено для определения вихревых токов в тонкостенных проводящих оболочках произвольной формы и проводящих массивах при резко выраженном поверхностном эффекте и является усовершенствованием изобретения по авт. св. Р 1221664.Цель изобретения - повышение точности моделирования.На Фиг,1 представлена блок-схема устройства; на фиг,2 - схема блока моделирования распределения плотнбсти вихревых токов, блока моделирования нелинейного распределения векторов поля в слое экрана и блока моделирования нагрузки вихревых точн к пло мод в в сл виде пп тран- в виде РС-"в виде С-сетки ыполнен 9 блок т следующим о а рассм ировани т я электр в. Устройство содержит электролитискую ванну 1, первый и второй ди ои рамки,ный ток,голь ере ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ПЮТ СССР(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОЭЛЕКТРОИАГНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение относится кговой вычислительной техникеизобретения является повышен пвзО иия 7 щп. А 2 ности моделирования, что дает воз"можность решать задачи по определению вихревых токов в тонкостенныхпроводящих оболочках (экранах) дляобщего случая проникновения электромагнитного поля, а также в проводящих массивах при резком поверхностном эффекте, Для этого введен блокмоделирования нелинейного распределения векторов поля в слое экрана,выполненный в виде РС-сетки, каждыйэлемент которой включен между соседними квадратными металлическимипластинами, расположенными с однойстороны второго прямоугольного листа. 2 ил,рические прямоугольные листыквадратные металлическиеины - плоские электроды 4,.иск 5 переменного напряжения,6 моделирования распределенияости вихревых токов, блок 7ирования нагрузки вихревых тоблок 8 моделирования нелинейраспределения векторов поляе экрана,Блок 6 в вформаторов 8сетки 10, а блок 711 (фиг,2),Устройство работаразом.В качестве примерустройство для моделмагнитного поля прямпо которой проходит35 Далее при помощи внешнего задающего источника 5 устанавливается требуемый закон распределения источников внутри моделируемого пространс учетом вихревьх токов медного экраНа произвольной, например, прямоугольной формы, расположенного в плоскости, параллельной плоскости, рамкина расстоянии 30 см от нее,Размеры плоских электродов 4, нанесенных на листы 2 и 3, выбираютсяИз соотношения07 яч е10Где В- площадь квадратного плоского электрода на листе 2;Я - площадь квадратного плоского электрода на листе 3,Величина выбирается произвольно,Исходя из возможности выполненияМодели в каждом конкретном случае,Линейные размеры модели и оригинала связаны соотношением1 о К 1 юр20где 1 о - размеры в оригинале;1,е - размеры в модели;К - коэффициент подобия,Геометрические размеры рамкиа20 20 см , экрана - 45 45 см,. ПряМоугольная рамка в модели представлена в виде трех рядов плоских электродов 4, расположенных с разных сторон на листе 2,При выбранном коэффициенте Кр = 5геометрические размеры в модели получаются следующими. "расстояние от плоских электродов (модели рамки с током)о модели экрана 6 см, размеры моели рамки с,током 4 4 см , моделиэкрана 9 9 смПринимая Бч =3 см , в моделиполучаем девять трансформаторов исоответственно девять узлов С-сетки11 и ЕС-сетки 10,Выполненные в соответствии с требованиями модели. рамки с током имедного прямоугольного экрана помещаются в электролитическую ванну 1,которая заполняется электролитом -дистиллированной водой, насыщеннойатмосферным углеродом,ства - равенство разности потенциалов между каждой парой задающихплоских электродов, лежащих на противоположных сторонах диэлектрическоголиста 2,Распределение потенциала в моделисоответствует распределению моделируемой характеристики реального процесса - распределению скалярного магнитного потенциала. Для определенияраспределения плотности вихревоготока в тонком экране достаточно измерить напряжение на первичных обмотках трансформаторов 9,Аналогично проводится моделирование процессов и в реальных электроэнергетических установках с учетомгеометрии и произвольной формы электромагнитных экранов,Устройство позволяет определятьвихревые токи в тонкостенных немагнитных проводящих оболочках произвольной Формы (термин "тонкостенныеследует понимать в том смысле, чтоне учитывается нормальная составляющая вихревого тока) при различныхстепенях проникновения поля и в проводящих массивах в случае резкогоповерхностного эффекта, в отличие отизвестного устройства, предназначенного для моделирования вихревых токов в тонких оболочках и пластинахпри проникновении в них электромагнитного поля с эквивалентной глубиной, много большей, чем толщинаэтих оболочек (экранов) и пластин.Формула изобретенияУстройство для моделирования электромагнитного поля по авт.св, У 1221664, о т л и ч а в щ е е с я тем, что, с целью повьппения точности моделирования, в него введен блок моделирования нелинейного распределения векторов поля в слое экрана, выполненный в виде ЕС-сетки, каждый элемент которой включен между соседними квадратными металлическими пластинами, расположенными с одной стороны второго прямоугольного листа,.Циткин едакт 557 Подписное Производственно-издательский комбинат "Патент"г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 аказ 82 НИИПИ Г арственного 113035, Фцз митета ло изобрет сква, Ж, Раушс иям и отя наб ггиям при ГКНТ ССС4/5