Инвертор

(51)4 Н 03 К 1 ГОСУДАРСПО ИЗОБПРИ ГНИ 8 ЕННЫЙ КОМИТЕТ ниям и ОТИРытия СР ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМ ДЕТЕЛЬСТВУ НасыпайкоСавицкая льство СССР 11/40, 1986 апоминающие ение/Под М.: Радио рис. 1.10. тся к микроь использова(57) Изобретение отноэлектронике и может б но для создания полупроводниковых статических запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации. Цель изобретения - уменьшение площади инвертора. Поставленная цель достигается тем,что он содержит первую и вторую поликремниевые области 9,10 первого и второго типа проводимости соответственно. Указанные области 9,10 образуют нагрузочный диод инвертора, который имеет вольт-амперную характеристику, близкую к генератору тока. В результате на выходе повышается уровень логической "1" и пони 11жает с я уровень логического 0 . 4 ил .51 О15 20 25 30 35 40 45 50 55 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания полупроводниковых статических запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации.Цель изобретения - уменьшение площади инвертора.На фиг. 1 представлена структура инвертора 1 на фиг. 2 - характеристика нагрузочного диода типа поликремний-поликремний; на фиг. 3 - выходная характеристика инвертора; на фиг. 4 - электрическая схема элемента памяти на предложенном инверторе.Инвертор содержит полупроводниковую подложку 1 первого типа проводимости, полупроводниковые области 2 и 3 второго типа проводимости, являющиеся соответственно истоком и стоком МДП-транзистора инвертора, первый диэлектрический слой, первую проводящую область 4, являющуюся затвором транзистора и информационным входом инвертора, вторую 5 и третью 6 проводящие области, являющиеся входом нулевого потенциала и выходом инвертора соответственно, второй диэлектрический слой 7, четвертую проводящую область 8, являющуюся входом питания инвертора, первую поликремниевую область 9 первоготипа проводимости, вторую поликремниевую область 10 второго типа проводимости,Основное назначение нагрузочныхэлементов 11 и 12 - обеспечение максимальнс возможной разницы в уровнях"О" и ")" на выходах элемента памяти(или на затворах транзисторов 13 и14) в режиме хранения информации,а также эбеспечение совместно с информацио.ными шинами 15 и 16 максимальной скорости заряда емкостейзатворов транзисторов 13 и 14 с учетом паразитных емкостей стоковых об"ластей транзисторов в режиме переключения элемента памяти.Большая скорость заряда - переход элемента в режим хранения "1",что равноценно увеличению быстродействия элемента памяти, происходитза счет уменьшения сопротивленияобратно смещенного р-и-перехода помере уменьшения разницы потенциаловмежду напряжением питания и напряжением уровня "1" в одном из плеч элемента, а также большим начальным обратным током. Нагрузочная характеристика вертикального поликремниевого диода близка к генератору тока.Уровень О в элементе памяти тем меньше, чем меньше пороговое напряжение транзисторов 13 и 14 и меньше ток утечки через закрытый нагрузочный р-и-переход (что равноценно падению напряжения на открытом транзисторе 13 или 14), В этом случае благодаря нелинейности характеристики обратно смещенного поликремниевого р-п-перехода противоположного типа обеспечивается минимальное прямое падение напряжения на открытом транзисторе 13 или 14, т,е.больший уровень "1" позволяет выполнять транзисторы 13 и 14 с большимиуровнями порогового напряжения,сохранив требования по уровню "О"и следовательно, повысив помехоустойчивость инвертора.Формула и з о б р е т е н и я Инвертор, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, первую и вторую полупроводниковые области второго типа проводимости, расположенные н приповерхностном слое полупроводниковой подложки, первый диэлектрический слой, расположенный на поверхности полугроводниковой подложки между первой и второй полупроводниковыми областями, первую проводящую область, расположенную на первом диэлектрическом слое, вторую и третью проводящие области, расположенные на пергой и второй полупроводниковых областях соответственно, второй диэлектрический слой, расположенный на поверхности голупроводниковой подложки и примыкающий к второй полупроводниковой области, четвертую проводящую область, проводящие области с первой по четвертую являются соответственно информационным входом, входом нулевого потенциала, выходом и входом питания инвертора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения площади инвертора, он содержит первую область поликремния первого типа проводимости, расположенную на второй полупроводниковой области с перекрытием края второго диэлектрического слоя, вторую область поликремния второго типа проводимости, расположенную на втором5 14942146диэлектрическом слое и примыкающую первой области поликремния, а четк первой области поликремния, третья вертая проводящая область располопроводящая область перекрывает край жена на второй области поликремния.