Способ изготовления микросхем

СОЮЗ СОВЕТСНИХ ЦИАЛИСТИЧЕСНИХ СПУБЛИН 1455399 09 5 К 3(О ОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ВИДЕТЕПЬСТВ АВТОРСНО(56) Бадулин С,Сирования микроы. М.: Советск 63 У 4 .Се юхи 9.75 (О и др,ектрон радио,8.8)сновы проей аппарату1977 гальванически ки с послащивание Уед и и антикоррозионноеля, удаление фотореи напыленного слоя го покрыт зистивной ник скивани нного е антикор следующее и, на авлени слоя золота и 5 т эл ноР оеЭ с. 50-52.(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к электронной технике и .может быть использо вано при изготовлении СВЧ-схем.Цель изобретения - повышение стабиль ности электрических характеристик. Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование токнопленочных резисторов,Изобретение относится к электронной технике, а именно к тонкопленочной технологии изготовления микросхем, и может быть использовано при изготовлении СВЧ-микросхем.Цель изобретения - повышение стабильности электрических характеристик путем повышения стойкости антикоррозионного покрытия.На чертеже показана последовательность операций предлагаемого способа,Способ изготовления микросхем на диэлектрической подложке включает формирование тонкопленочных резисторов, напыление сплошного слоя меди с адгезионяым подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивной нанесение структуры ром-медь, формирование фоторезистивной маски в виденегативного изображения проводникови контактных площадок, обрамленногопрямоугольной замкнутой рамкой, выполняющей функцию маски для формирования технологических проводников,электрохимическое наращивание медии никеля, удаление фоторезистивноймаски, травление меди, наращиваниеантикоррозионного слоя золота при использовании вкачестве технологическихпроводников прямоугольной замкнутоймедной рамки,сфориировавшейсяпо пе-.риметру подложки на сплошном слоехрома, и последующее травление хрома. Способ обеспечивает повышениестабильности электрических характеристик. 1 ил. хрома.П р и м е р. Поликоровую подложку (д) очищают в хромпике, промывают в проточной деионизованной воде и деионизованной воде с ультразвуком, сушат на центрифуге азотом, подогретым до 40-60 С. Затем на подложке формируют с помощью фотолитографии тонкопленочные резисторы из тантала (6), Далее подложку снова очищают в хромпике с последующей отмывкой де ионизованной водой, наносят вакуум 1455399Хромовый ангидрид,г/лСерная кислота,мп/л 450 50 наращивают антикоррозионный слой золота (Ъ) из фосфатного электролита,имеющего состав, г/л: Дицианоаурат .калия 10 Аммоний Фосфорнокислыйоднозамещенный 40 Аммоний фосфорнокислыйдвухзамещенныйНитрат таллия,при температуре 70 С и плотности то ка 2-3 мА/см толщиной 3 мкм, а затем травят хром в травителе следую,щего состава, г/л:Желеэосинеродистыйкалий . 250 Гидрат окиси калия 28 бО 0,01 ным напылением структуру хром-медьОмс ущ = 100 - + 153 и толщиной меди 0,910,2 мкм (Ь), создают фоторезис" тивную маскув виде негативного изображения проводников и контактных площадок, ограниченного прямоуголь;ной замкнутой рамкой по периметру подложки, проводят электрохимическое ,наращивание меди в сернокислом электролите, нагретом до 40 фС при плотности прямого тока 5 мА/см, до заанной толщины, затем - антикоррозионного слоя никеляиз борного электролита при комнатной температу е и плотности тока 3 мА/смф толщи,ной 0,3+О, 1 мкм, удаляют Фоторезисивную маску (е) в органических растворителях, травят медьв травите е, именицем состав: Негативная фоторезистивная маскапозволяет в процессе наращивания меди и антикоррозионного слоя никеля 5и последующего травления меди получить медную замкнутую прямоугольнуюрамку на сплошном слое хрома, которая обеспечивает воэможность наращивания антикоррозионного слоя золота 10 без применения вспомогательных технологических проводников, а такжеобеспечивает полную защиту краевпроводников и контактных площадокантикоррозионным покрытием, что при 1 б, водит к повышению стабильностиэлектрических характеристик, Исключ%ние из технологического процессаопераций защиты и удаления вспомогательных технологических проводниковпозволяет уменьшить его трудоемкостьФормула и з о б р е т е н и яСпособ изготовления микросхем надиэлектрической подложке, включающийФормирование тонкопленочных резисто 2 яров, напыление сплошного слоя медис адгеэионным подслоем хрома, формирование негативной фоторезистивноймаски с последующим гальваническимнаращиванием меди и антикорроэионного покрытия никеля и золота и удалением Фоторезистивной маски и напыленного слоя меди и хрома, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения стабильности электрическиххарактеристик путем повышения стойкости антикоррозионного покрытия,слой золота наращивают после удаления Фоторезистивной маски и травления напыленного слоя меди, причем в 4 Опроцессе изготовления микросхемодновременно формируют по краю подлОжки замкнутую технологическую рамку, структура которой повторяетструктуру проводников.1455399 Составитель М.КузнецоваТехред М.Ходанич Корректор М,Самборс ктор М.Петро Т ССС Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектн аказ 7459/57 Тираж 7 НИИПИ Государственного комитет 113035, Москва, по из