Способ получения поляризованного пучка нейтронов

СООЭ СОВЕТСЙИ 33СОЕиЛИСТ 33 ЧЕСМИХРЕСПУБЛИК 8 1)5,"С Й 3 32 ОСУДАРС ТВЕНИО ДЕЛАМ ИЗОБРЕ КОМИТЕТ СССР ТЕНИ 1 И ОТКР 3 Т 3СПИ РЕТЕНИЯ ут яд И. Подг НесО ш 1 гюо 1, моЗ Кручинедлекные1966; с.8(54) СГОС ГО БАЧКА (57) Изоб получения трояее к эксперяме ОБ ПОЛУЧЕНЕЙТРО 33 Гретениепучковмохет бьнтах по НИЯ ПОЛЯРИЗОВА 3333 относится к техникеполяризованныа нейть, использовано внейтронной Физике ОМУСВИДЕТЕЛЬСТВ(56) Ип 8 йев Р Витку МоЕ аепйголв ртов шавпейР 1 ув 1 са 1 Яеч 1 ен, 196 1,р. 498.Абов Ю.Г Гулько А.Дкий П.А. Поляризованныенейтроны. И. Атомиздат Цель изобретения - повышение степени поляризации пучка нейтронов. Способ заключается в брэгговском отрвкении падающего пучка нейтронов от намагни.ченного внеаиим магнитным полем кристаала с близкими значениями ядерной и магнитной амплитудами рассеяния.Повышение степени поляризации пучка ,нейтронов достигается уменьшением разности абсолютных значений ядерной и магниткой амплитуд, указанное у.ень- шение дбусловлеко выбором величины внешнего магнитного поля и температуры хрнствлла, которые соответствуют точке скачка производной на Зрафике зависимости интенсивности отраженного .лучка нейтронов от величикы внешнего 39 магнитного поля. Реализация предложения позволяет повысить степень поля" ризацни лучка по сравнению с извест- ( нымк лркмарно ка двв порядка. 2 ил.1412480 Сущность предложения состоит в5следующем,Отраженный пучок нейтронов с ин"тенсивностью 1 содержит нейтроны 15 В=В , соответствующих точке скачкаФ.производной 1 1+ и р=1. При получении поляризованного пучка нейтронов с использованием кристалла кобальта .,с примесью 8 Х железа, намагниченного 46 50 Изобретение относится к технике получения пучков поляризованных ней" тронов н может быть использовано в экспериментах по нейтронной физикеЦель изобретения - повышение степени поляризации пучка нейтронов путем уменьшения разности абсолютных значений ядерной и магнитной амплитудНа фиг. 1 показана схема получения поляризованного пучка нейтронов; на фиг. 2 зависимость полной интен сивности отраженных нейтронов от величины внешнего магнитного поля. На фиг. 1 использованы следующие обозначения: С - кристалл, 0 - детектор, 1 - интенсивность падающего пучка нейтронов, 1 " интенсивность отраженного пучка нейтронов, кристалл С помещен во внешнее магнитное поле В 1- интенсивность прошедшего пучка нейтронов. Иа фиг, 2 использованы обозначения; 1, - интенсивность отраженного пучка нейтронов, В - виеш нее магнитное поле, В - значение внешнего магнитного поля В, соответствующее точке скачка производной; цифрами по осям абсцисс и ординат обозначены значения внешнего магнит ного поля и интенсивности отраженного пучка нейтронов в относительных .единицах.Получение поляризованного пучка нейтронов предложенным способом заключается в следующем, Падающий пу чок нейтронов с интенсивностью 1 преТерпевает брзгговское отражение от намагниченного внешним магнитнымполем В кристалла С с ядерной Ь 11 и магнитной Ь амплитудами рассеяниянейтронов, различающимися не более чем на 2 Х, причем используют кристаллы, в которых модуль магнитнбй амплитуды Ьпри абсолютном насыще-.нии больше модуля ядерной амплитуды Ь , Измеряют зависимость интенсивно.сти отраженного пучка нейтронов 1 1 от величины внешнего магнитного поля В и температуры Т кристалла, Определяют точку скачка производной на графике зависимости отраженного пучка нейтронов 1 от величины внешнего. магнитного поля В, устанавливают значение температуры кристалла ТТ, а внешнего магнитного поля ВВ, которые соответствуют найденной точке скачка пронзвопной и осушествляют брэгговское отражение нейтронов при данных температуре кристалла и значении внешнего магнитного Ноля. обеих поляризаций 1 + и 1 , причем 1Е + + Е . Степень поляризации равна р1/1 . Чтобы повысить р необходимо уменьшить 1 . 1 будетравно О, когда Ь1 щ Ъ 1, что соответствует точке скачка производной на графике зависимости интенсивности отраженного пучка нейтронов 1, отвеличины внешнего магнитного поля В. Чтобы модуль магнитной амплитуды Ь наблюдался при полном насыщении, модуль магнитной амплитуды Ьж должен быть больше модуля ядерной амплиту ды Ь . Для выполнения этого условия необходим соответствующий химическийсостав кристалла. Однако, если Ьзначительно превосходит Ь , то изломтоже не наблюдается, поскольку внеш"нее магнитное поле В можно менятьтолько в пределах технического насыщения. Для расщирения этой области необходимо увеличить температурукристалла Т, чтобы приблизиться к точке Кюри. При температуре кристалла ТТ 0, а внешнего магнитного поля до технического насыщения и нагретого.до. температуры, близкой к температуре перехода в парамагнитную фазупри хорошей коллимации первичногопучка и дополнительной селекции по энергии отраженного пучка, в узком спектральном интервале поляризация отраженного пучка может составлять величину, отличающуюся от единицы "не более чем на 1 О 4.Реализация изобретения позволяет повысить степень поляризации нейтронов примерно на два порядка. Формула из обретения Способ получения поляризованногопучка нейтронов путем осуществления брэгговского отражения нейтронов от намагниченного внешним магнитным по. лем кристалла с ядерной и магнитной амплитудами рассеяния нейтронов, раздичающимися не более чем на 2 Х, о т"2480 Составитель Техредд Ол Костере1 К в. Редактор Т, Шаг орректор В. Романен аказ 43 Подписнотета СССРрытийнаб., д, 4/5ко и о ска л. Проектна едприятие,г 3 14 л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения степени поляризации пучка нейтронов путем уменьшения разности абсолютных значений ядерной и магнитной амплитуд, используют кристаллы, в которых модуль магнитной амплитуды при абсолютном насыщении больше модуля ядерной амплитуды, измеряют зависимость интенсивности отраженного пучка нейтронов от величины внешнего магнитного поля и темнерату. Тираж 360 ВНИИПИ Государственн по делам изобретен 113035, Москва, Ж"35, Уоизводственно-полиграфическо ры кристалл:.,лределяют точку скачкапроизводной на графике зависимости ин-.йтенсивности отраженного пучка нейтронов от величины внешнего магнитногополя, устанавливают значения температуры кристалла н внешнего магнитногополя, соответствующие найденной точкескачка производной и осуществляют 1 О брзгговское отражение нейтронов приданных температуре кристалла и значении внешнего магнитного поля.