Управляемый напряжением генератор

Номер патента: 1196784

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Пузин, Хорунжий

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, емкости, исследования, полупроводниковых, процессов, релаксации

...постоянного напряжения. Измеритель 1 емкости выполнен в виде измерительного контура 12 и 2 Т моста 13, вход которого соединен свыходом измерительного контура 12,первый вход которого соединен с первым входом измерителя 1 емкости, авторой вход измерительного контура12 соединен с вторым входом измерителя 1 емкости. При этом измерительный контур 12 выполнен в виде .пере 15 20 менного измерительного конденсатора 14, параллельно которому подключены последовательно соединенные индуктивность 15 и конденсатор 16, точка соединения которых подключена к второму входу измерительного контура 1, а точка соединения конденсаторов 14 и 16 контура подключена к общей шине, с которой также соединена вторая клемма 4 для подключения исследуемого...

Номер патента: 488152

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Бедняков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, постоянных, составляющих, токов

...14, соединенный с измерительными цепями 5 и 6 через детптель напряжения 15.Диоды 7 и 8 в измерительных цепях вк(цочены разнополярно.Устройстьо работает следуОцпм образом.Прп вклочецпи источника низкочастотногонапряжения 14 вык,цочателем 6 цапряжецис 20 поступает на разнополярно включенные диоды 7 ц 8, которые вклочсцы по схеме двухполуперподцого выпрямлсния. 1 ерез диоды 7, 8 и резисторы 9, 10 протекает выпрямленены ток источника низкочастотного цапряжения, 25 который фиксируется индикаторами 11 и 12.При отсутствии мощности гетеродица 17диоды 1 и 2 почти полностью закрыты и представляют собой значительные сопротивления.При наличии мощности гетеродина токи диого дов 1 и 2 резко возрастают, а сопротивления;арректор Л. Котова рчикова...

Номер патента: 1064243

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Белогуб, Бровко, Разлом, Смирнов

МПК: G01R 31/28

Метки: диодов, полупроводниковых

...при .этом к контакту 12 можетбыть подключен как анод, так и катодиспытуемого диода. Пусть подключениедиода катодом к контакту 12, а анодом 55к контакту 13 - подключение 1, апротивоположное подключение - подключение 11. После подключения диодаавтоматический загрузчик через кивертор 22 блока 5 связи с автоматическимзагрузчиком производит пуск устройства. По сигналу фПускф происходитустановка триггеров 33 и 34 анализатора 7 и триггеров 39-42 блока 8 обработки результатов анализа в начальное состояние, начинает работу генера-б 5 тор 26 импульсов блока 6 синхронизацииРабота устройства происходит в четыре такта. При поступлении первого импульса с генератора 26 импульсов в счетчик 27 начинается первый такт работы устройства....

Номер патента: 278800

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Кантор

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатора, диодах, полупроводниковых, свч, схема

...желательная взаимозависимость проводимостей диодов. Предлагаемая схема управления дподамп создает в СВЧ-устройствах определенную характеристику КСВН путем образования взаимозависимости проводимости диодов 5 от входного напряжения (общего тока).На фиг. 1 представлена предлагаемая схемас независимым управлением диодов; на фпг. 2 - предлагаемая принципиальная схема; па фпг. 3 - схема, использующая аттенюа тор, в котором могут быть применены диоды.Как показано па фиг, 1, диоды управляютсянезависимо друг от друга, ток г, - , через диоды определяется входным напряжением С/ и величинами постоянных сопротивлений 15 Л, - Я,. Пунктиром условно показана высокочастотная линия передачи, в которой располагаются полупроводниковые диоды.Как показано на...

Номер патента: 150938

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Сахаров, Тихонов

МПК: H01L 29/06

Метки: диод, полупроводниковый

...изображена схема конструктивного .выполнения описываемого диода.На гладкую поверхность монокристаллической пластины из полупроводникового материала, выполненной в виде диска или квадрата, наносят концентрические риски 1 или продольные риски 2, расположенные параллельно сторонам квадратной пластины. Для сохранения одинаковой толщины пластины по всему сечению с нижней ее стороны также наносят риски, сдвинутые относительно верхних рисок.При нанесении рисок увеличивается общая площадь пластины полупроводника, а следовательно, и мощность, снимаемая с электроннодырочного перехода, причем периметр пластины при этом остается неизменным, Наибольший эффект дает нанесение на пластины канавок, имеющих прямоугольный профиль,Описанная...