Устройство аналоговой памяти

Номер патента: 1377916

Авторы: Зубец, Стенин

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБ ЛИК ц 4 С 11 С 27 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ 8рно-физический ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИ АВТОРСКОМУ СБИДЕТЕЛ(54) УСТРОЙСТВО АНАЛОГОВОЙ ПАМЯТИ(57) Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике, вчастности к устройствам обработки выжодного сигнала интегральных схем сзарядовой связью. Цель изобретения -повышение точности устройства аналоговой памяти. Поставленная цель осу.801 77916 А ществляется за счет того, что в интервалах времени между выборками компенсирующие элементы на резисторах,ключевые элементы на транзисторахпервого и второго типов проводимости,а также накопительный элемент на конденсаторе образуют резистивно-емкостные делители входного сигнала с ма.лым коэффициентом передачи, обеспечивающие экранирование накопительногоэлемента и входа усилителя. Устройство содержит накопительный элемент1 на конденсаторе, ключевые элементына транзисторах 3, 6 первого типапроводимости, ключевые элементы натранзисторах 4, 5 второго типа проводимости, компенсирующие элементы нарезисторах 7, 8, коммутирующие икомпенсирующие элементы на диодах9-12, стробируемые генераторы 13, 14тока. 1 ил.Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и можетнайти применение в дискретно-аналоговых преобразователях сигналов, вустройствах считывания выходных сигналов ИС с зарядовой связью ИСЗС)и других устройствах.Цель изобретения - повышение точности устройства. 1 ОНа чертеже представлено устройство аналоговой памяти,Устройство содержит накопительныйэлемент 1 на конденсаторе, усилительповторитель 2, первый и второй ключевые элементы на транзисторах 3, 4соответственно первого и второго типа проводимости, третий и четвертыйключевые элементы на транзисторах5, 6 соответственно второго и первого типов проводимости, первый и второй компенсирующие элементы на резисторах 7, 8, первый и второй комму=тирующие элементы на диодах 9, 10,первый и второй компенсирующие элементы на диодах 11, 12 первый 13и второй 14 стробируемые генераторытока, информационный 15 и управляющий16 входы, информационный выход 17, шины 18, 19 питания,30Устройство работает следующим об"разом.В режиме выборки на входе 16 устройства имеется высокий уровень управляющего сигнала. Первый 13 и второй 3514 генераторы тока вырабатывают токипроходящие соответственно через диоды 11, 9, 10, 12, Величины токов генераторов 13, 14 выбираются равными,диод 11 и транзистор 3, диод 9 и 40транзистор 5, диод 10 и транзисторб, диод 12 и транзистор 4 подбираются в пары по равным падениям напряжения на прямосмещенном переходе диодаи на эмиттерном переходе транзистора 45в активной области при одинаковых токах, Входные сигналы передаются черездиоды 9, 11 на базу транзистора3 и через диоды 10, 12 - на базутранзистора 4, Разность токов, проте Окающая через транзисторы 3, 5 и 4,6, уравнивает потенциал на входеусилителя 2, входе 15 и выходе 17.Транзисторы 5, 6, усилитель 2 образуют усилительный блок с повторителями тока на входе и с емкостью коррекции на накопительном элементе 1,При появлении на входе 16 сигналанизкого уровня устройство переходит в режим хранения, генераторы 13, 14тока выключаются,.диоды 9-2, закрываются, потенциал базы транзистора3 становится меньше потенциала егоэмиттера, и транзистор 3 закрывается. Аналогично потенциал базы транзистора 4 становится больше потенциала его эмиттера, и он закрывается.При изменении напряжения на входе 15 в режиме хранения входнойсигнал устройства поступает в базовые цепи транзисторов 3, 4 черезприоткрывающиеся диоды 9, 1 или 10,12 в зависимости от полярности иличерез их барьерные емкостФ. Далеесигнал может проникать на вход усилителя 2 и на выход 17, существенноослабленным дифференцирующими цепочками, состоящими из емкостей эмиттерных переходов транзисторов 3, 4и рез:исторов 7, 8, а также емкостными делителями из проходных емкостейтранз:исторов 5, 6 и элемента 1. Сопротивления резисторов 7, 8 выбираются небольшими, чтобы постоянныевремени дифференцирующих цепочекбыли меньше постоянной времени Форми.рования входного сигнала или постоян"ной усилителя 2, и тогда амплитудасигналов, приходящих с входа 15 навыход 17, будет дополнительно уменьшена в несколько раз,Формула изобретенияУстройство аналоговой памяти, содержащее первый и второй стробируемые генераторы тока, первый и второй ключевые элементы на транзисторах соответственно первого и второго типов проводимости, первый и второй коммутирующие элементы на диодах, усилитель-повторитель., первый и второй компенсирующие элементы на резисторах, накопительный элемент на конденсаторе, обкладки которого подключены соответственно к шине нулевого потенциала устройства и входу усилителя-повторителя, выход которого соединен с первыми выводами первого и второго компенсирующих элементов на резисторах и является информационным выходом устройства, анод первого и катод второго коммутирующих элементов на диодах объединены и являются информационным входом устройства, входы первого и второго стробируемых генераторов тока объединены и являют1377916 Составитель А.ЕршоваТехред И.Попович Корректор М.Демчик Редактор Н.Слободяник Заказ 880/49 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ся управляющим входом устройства, аих выходы подключены соответственнок базам" первого и второго ключевыхэлементов на транзисторах, коллекторы которых подключены соответственнок первой и второй шинам питания уст ройства,.о т л и ч а ю щ е е с ятем, что, с целью повышения точностиустройства, в него введены первый ивторой компенсирующие элементы на. диодах, третий и четвертый ключевые элементы на транзисторах, коллекторы которых объединены и подключены квходу усилителя-повторителя, эмиттеры объединены соответственно с змиттерами первого и второго ключевых элементов на транзисторах и подключе- ны соответственно к вторым выводам первого и второго компенсирующих элементов на резисторах, первые выводы которых подключены соответственно к базам третьего и четвертого ключевых элементов на транзисторах, анод первого и катод второго компенсирующих элементов на диодах подключены соот-, ветственно к выходам первого и второго стробируемых генераторов тока, катод первого и анод второго компенсирующих элементов на диодах подклюучены соответственно к аноду первого и катоду второго коммутирующих элементов на диодах.

Смотреть

Заявка

4133246, 08.10.1986

МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ЗУБЕЦ ЮРИЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, СТЕНИН ВЛАДИМИР ЯКОВЛЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 27/02

Метки: аналоговой, памяти

Опубликовано: 28.02.1988

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-1377916-ustrojjstvo-analogovojj-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство аналоговой памяти</a>

Похожие патенты