Устройство для измерения напряженности магнитного поля
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(5 01 К ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ государственныйунэе.Крамарь,хов нитные иэ ьство СССР3/00, 1979. ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(,54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ(57) Изобретение относится к магнитным измерениям. В устройство для измерения напряженности магнитного поля в качестве магнитооптическогоэлемента берут набор магнитных пленок 2 с различной величиной поля однородного зарождения и располагаютего между анализатором 3 и поляризатором 1, на котором имеется шкала, что упрощает конструкцию устройства и снижает его габариты. 1 ил.(1) л 2 КН =(1М,Ч (1+Я) " 35 40 Р - толщина пленки. 1 13487Устройство относится к средствам магнитных измерений и предназначено для измерения напряженности постоянных и импульсных магнитных полей.Целью изобретения является упрощение конструкции с одновременным снижением габаритов, что дает возможность производить магнитные измерения в труднодоступных местах мало го объема,На чертеже показана схема устройства.Устройство включает поляризатор 1, магниточувствительный элемент, . 15 содержащий набор магнитооптических плецок 2, анализатор 3 и шкалу, нанесенную на поляризатор и проградуированную в единицах напряженности магнитного поля, причем используют ся магнитные одноосные пленки, доменная структура которых может наблюдаться с помощью магнитооптического эффекта (например, пленка ферритгранатов 1. 25Каждая пленка характеризуется величиной поля однородного зарождения, значение которого определяется формулой А и где Я = ( ---- )2 ПМК - константа одноосной анизоитропии магнитной пленки;М - намагниченность насыщения магнитной пленки;А - константа обмена магнитной пленки; которая качественно отличается отлабиринтной ЛС,Переход ДС от лабиринтной к ДС,соответствующей однородному зарождению, происходит при строго определенных значениях. внешнего магнит -ного поля, приложенного в плоскости элемента. После прекращения действия поля на элемент, ДС соответствующая однородному зарождению, остается в пленке и может переходить в другую только при воздействии поля, приложенного перпендикулярно плоскости образца, равному полю насыщения. Наблюдение ДС осуществляется с помощью магнитооптического эффекта. При изменении конфигурации ДС от лабиринтной в ДС, соответствующей однородному зарождению, измеряют величину напряженности внешнего магнитного поля, так как моменту однородного зарождения соответствует определенное значение напряженности поля.Таким образом, под действием внешнего магнитного поля лабиринтная ДС пленки, обладающей определенным по величине полем однородного зарождения, переходит в доменную структуру поля однородного зарождения, качественно отличающуюся от лабиринтной ДС. Зная величину поля однородного зарождения, присущую каждой магнитной пленке, входящей в магниточувствительный элемент, можно определить цену деления шкалы, нанесенной на поляризатор в единицах напряженности магнитного поля.Предлагаемое устройство может быть использовано для допускового контроля изготовляемых магнитных45 50 55 Устройство работает следующим образом.Для измерения магнитного поля в объем исследуемого поля вносится магниточувствительный элемент, состоящий из набора магнитооптических пленок. Каждая пленка, входящая в элемент, обладает определенной величиной поля однородного зарождения. Измерение поля происходит по изменению характера доменной структуры (ДС). В исходном состоянии пленки обладают лабиринтнбй ДС, после воздействия исследуемого поля на элемент, его ДС переходит в ДС, соответствующую однородному зарождению,систем, у которых доступ к точкамизмерения обычными методами затруднен, при этом полученная информация о напряженности поля может сохраняться элементом на неограниченноевремя. Формула изобретения Устройство для измерения напря - женности магнитного поля, содержащее магниточувствительный элемент, в виде магнитооптической пленки, ана лизатор, поляризатор, о т л и ч а ющ е е с я тем, что, с целью снижения габаритов с одновременным упрощением конструкции, в устройстз 13487604во введена шкала, нанесенная на по- чиной поля однородного зарожденияеляризатор, а в качестве магнитоопти- при этом магнитооптический элементческого элемента используется набор расположен между анализатором и помагнитных пленок и различной вели- ляризатором.Составитель В.Шульгин Редактор Ю.Середа Техред Л.Сердюкова Корректор Н.КорольЗаказ 5186/45 Тираж 729 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР пб делам изобретений и открьгтий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г.ужгород, ул. Проектная, 4
СмотретьЗаявка
3786416, 04.09.1984
СИМФЕРОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. М. В. ФРУНЗЕ
ДУБИНКО СЕРГЕЙ ВЛАДИМИРОВИЧ, КРАМАРЬ АЛЕКСАНДР ДМИТРИЕВИЧ, ГРОШЕНКО НИКОЛАЙ АЛЕКСАНДРОВИЧ, ПУХОВ ИГОРЬ КОНСТАНТИНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01R 33/00
Метки: магнитного, напряженности, поля
Опубликовано: 30.10.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1348760-ustrojjstvo-dlya-izmereniya-napryazhennosti-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для измерения напряженности магнитного поля</a>
Предыдущий патент: Зонд для проверки сигналов цифровых микросхем
Следующий патент: Устройство для автоматизированной поверки измерительных приборов
Случайный патент: Способ стимуляции работоспособности спортсменов